在斜槽转子堆叠区段应用中通过传递树脂成型的磁体固定制造技术

本公开提供了“在斜槽转子堆叠区段应用中通过传递树脂成型的磁体固定”。提供了一种斜槽转子芯总成，所述斜槽转子芯总成具有设置在多个纵向通道和树脂流动路径中的树脂模具。所述转子芯具有各自限定多个纵向通道的第一磁体堆叠和第二磁体堆叠。所述用于所述第一堆叠的多个纵向通道与所述用于所述第二堆叠的多个纵向通道错位。还提供了制作所述斜槽转子芯总成的方法。总成的方法。总成的方法。

【技术实现步骤摘要】
在斜槽转子堆叠区段应用中通过传递树脂成型的磁体固定


[0001]本公开涉及斜槽转子芯的树脂传递成型。

技术介绍

[0002]传递成型树脂已用于生产非斜槽转子芯。然而，由于与斜槽设计的重叠相关联的树脂流动路径的约束，尚未针对斜槽转子芯采用树脂传递成型。然而，斜槽转子芯可提供更好的谐波，防止镶齿效应，并且具有更大的扭矩容量。

技术实现思路

[0003]提供了一种斜槽转子芯总成。所述斜槽转子芯总成包括限定纵向轴线的纵向杆、第一磁体堆叠(stack)、第二磁体堆叠以及包围所述第一磁体堆叠和第二磁体堆叠的硬化树脂模具。所述第一磁体堆叠具有围绕所述纵向杆环形布置的多个磁体，并且在每个磁体之间限定第一多个纵向通道。所述第二磁体堆叠也具有围绕所述纵向杆环形布置的多个磁体，并且限定第二多个通道。所述第一多个通道和所述第二多个通道彼此错位。所述第一磁体堆叠和所述第二磁体堆叠被配置成在所述第一多个磁体与所述第二多个磁体之间限定树脂流动路径。所述硬化的树脂模具设置在所述第一多个通道和所述第二多个通道以及所述树脂流动路径中。
[0004]提供了一种转子芯总成。所述转子芯总成包括多个磁性堆叠和固定所述多个磁性堆叠的树脂模具。每个磁性堆叠限定纵向通道，使得相邻的磁性堆叠的通道错位达重叠距离，并且相邻的磁性堆叠在其间限定横向树脂流动路径。树脂模具设置在纵向通道和树脂流动路径中。
[0005]提供了一种制作斜槽转子芯总成的方法。所述方法包括：提供各自具有多个纵向通道的第一磁体堆叠和第二磁体堆叠；将所述堆叠按压在一起使得所述第一磁体堆叠的纵向通道和所述第二磁体堆叠的纵向通道错位；将可流动树脂注入到多个纵向通道和所述树脂流动路径中；以及使设置在所述多个通道和所述树脂流动路径中的所述可流动树脂硬化，从而形成固定所述磁体堆叠的位置的树脂模具。所述第一磁体堆叠和所述第二磁体堆叠在所述第一多个磁体与所述第二多个磁体之间限定树脂流动路径。
附图说明
[0006]图1是包括人造树脂流动路径的斜槽转子芯总成。
[0007]图2是非斜槽的或常规的转子芯总成。
[0008]图3是不具有人造树脂流动路径的斜槽转子芯总成。
[0009]图4是示出制作斜槽转子芯总成的方法的流程图。
具体实施方式
[0010]本文描述了本公开的实施例。然而，应理解，所公开的实施例仅仅是示例并且其他
实施例可呈现各种和替代形式。附图不一定按比例绘制；一些特征可被放大或最小化以示出特定部件的细节。因此，本文公开的具体结构和功能细节并不解释为限制性，而仅解释为用于教导本领域技术人员以各种方式采用本专利技术的实施例的代表性基础。如本领域普通技术人员将理解，参考附图中的任一者示出和描述的各种特征可与一个或多个其他附图中示出的特征组合以产生未明确地示出或描述的实施例。示出的特征的组合提供用于典型应用的代表性实施例。然而，对于特定应用或实施方式，可能期望与本公开的教示一致的对特征的各种组合和修改。
[0011]此外，除非另有明确指示之处，否则在描述本公开的更广范围时，本公开中的所有数值量应理解为由字词“约”修饰。在所陈述的数值极限内的实践通常是优选的。同样，除非明确陈述为相反：否则百分比、“份数”和比率值均以重量计；术语“聚合物”包括“低聚物”、“共聚物”、“三元共聚物”等；针对给定目的合适或优选的一组或一类材料的描述暗示该组或类的成员中的任何两个或更多个的混合物同等地合适或优选；为任何聚合物提供的分子量是指数均分子量；用化学术语对成分的描述是指添加到说明书中指定的任何组合时的成分，并且不一定排除一旦混合后混合物的成分之间的化学相互作用；首字母缩写词或其他缩写词的第一定义适用于本文中具有相同缩写词的所有后续使用，并且进行必要的修改而适用于最初定义的缩写词的常规语法变体；并且，除非明确陈述为相反，否则通过与之前或之后针对同一性质所提及的相同技术来确定性质的度量。
[0012]本公开并不限于下文所述的具体实施例和方法，因为具体部件和/或条件可能不同。此外，本文所使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而并不意图以任何方式进行限制。
[0013]除非上下文另外明确指明，否则如说明书和所附权利要求中所使用，单数形式“一个”、“一种”和“所述”包括复数个参考物。例如，以单数形式提及部件意在包括多个部件。
[0014]术语“基本上”或“大体上”在本文可用来描述公开或要求保护的实施例。术语“基本上”可修改本公开中公开或要求保护的值或相对特性。在此类情况下，“基本上”可表示其修饰的值或相对特性在所述值或相对特性的
±
0％、0.1％、0.5％、1％、2％、3％、4％、5％或10％内。
[0015]关于术语“包括”、“由
……
组成”和“基本上由
……
组成”，在本文中使用这三个术语中的一者的情况下，当前公开和要求保护的主题可包括其他两个术语中的任一者的使用。
[0016]还应了解，整数范围明确包括所有中间整数。例如，整数范围1至10明确包括1、2、3、4、5、6、7、8、9和10。类似地，范围1至100包括1、2、3、4...97、98、99、100。类似地，当需要任何范围时，作为上限与下限之间的差值除以10的增量的中间数值可被视为替代的上限或下限。例如，如果范围是1.1至2.1，则以下数值1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9和2.0可被选择作为下限或上限。
[0017]提供了一种斜槽式的树脂传递成型的转子芯总成。在图1中，转子芯100包括限定纵向轴线Y的纵向杆110以及彼此相邻并围绕纵向杆110定位的第一磁体堆叠120和第二磁体堆叠130。第一磁体堆叠120包括围绕杆110环形布置的第一多个磁体。在第一多个磁体中的每个磁体124之间是纵向通道126。因此，第一多个磁体形成多个纵向通道128。第二磁体堆叠130同样包括形成第二多个纵向通道138的第二多个磁体132。如图1中所示，第一多个
纵向通道128与第二多个纵向通道138错位或偏斜。错位或偏斜可由重叠距离D1限定。在一个变型中，D1可以是0.1mm至10mm，或更优选地是1mm至7mm，或者甚至更优选地是2mm至4mm。在改进方案中，重叠距离可由第一多个通道或第二多个通道的旋转距离或位移限定。例如，重叠可以是0.1度至20度，或更优选地是1度至6度，或者甚至更优选地是1.5度至4度。更平坦的总成可能需要更大的重叠距离。仅用于理解，图2示出了其中第一多个磁体和第二多个磁体对准的非斜槽设计。如图2中可见，第一多个通道和第二多个通道对准以创建连续路径，以使树脂在没有任何约束的情况下从顶部流到底部，或反之亦然。然而，在常规的斜槽设计中，如图3中所示，树脂材料通过第一多个通道的流动受到第二磁体堆叠的多个磁体的抑制或约束。通过在磁体堆叠120、130之间并入具有宽度W1的第一人工树脂流动路径140来克服该限制。在变型中，宽度W1可以是0.1mm至1.5mm，或更优选地是0.2mm至0.9m本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种斜槽转子芯总成，其包括：纵向杆，所述纵向杆限定纵向轴线；第一磁体堆叠，所述第一磁体堆叠包括围绕所述纵向杆环形布置的第一多个磁体并且限定所述第一多个磁体中的每个磁体之间的第一多个纵向通道；第二磁体堆叠，所述第二磁体堆叠邻近所述第一磁体堆叠并且包括围绕所述纵向杆环形布置的第二多个磁体，并且限定所述第二多个磁体中的每个磁体之间的第二多个纵向通道，所述第二多个纵向通道与所述第一多个纵向通道错位，并且所述第一磁体堆叠和所述第二磁体堆叠限定在其间并且横向于所述纵向轴线的第一树脂流动路径；以及硬化的树脂，所述硬化的树脂设置在所述通道和所述第一树脂流动路径中。2.如权利要求1所述的斜槽转子芯总成，其中所述第一树脂流动路径具有0.1mm至1.5mm的宽度。3.如权利要求2所述的斜槽转子芯总成，其中所述第一树脂流动路径具有0.2mm至0.7mm的宽度。4.如权利要求3所述的斜槽转子芯总成，其中所述第一多个纵向通道与所述第二多个纵向通道错位达0.1mm至25mm的距离。5.如权利要求1所述的斜槽转子芯总成，其中所述树脂流动路径具有为所述第一磁体堆叠的高度的0.1％至15％的宽度。6.如权利要求5所述的斜槽转子芯总成，其中所述第二多个纵向通道与所述第一多个纵向通道错位达0.1度至20度。7.如权利要求1所述的斜槽转子芯总成，其还包括第三磁体堆叠，所述第三磁体堆叠邻近所述第二磁体堆叠并且包括第三多个磁体，所述第三多个磁体被环形布置并且限定所述第三多个磁体中的每个磁体之间的第三多个纵向通道，所述第三多个纵向通道与所述第二多个纵向通道错位，并且所述第二磁体堆叠和所述第三磁体堆叠限定在其间并且横向于所述纵向轴线的第二树脂流动路径，所述硬化的树脂设置在所述第三多个纵向通道和所述第二树脂流动路径中。8.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：福特全球技术公司，
类型：发明
国别省市：