一种同时对MXene进行表面改性和层间插层的普适方法技术

技术编号:36739149 阅读:28 留言:0更新日期:2023-03-04 10:13
本发明专利技术提出了一种利用低温共晶熔融盐中的离子同时对MXene进行表面改性和层间插层的普适方法,用以实现MXene(二维过渡金属碳氮化物)基材料的功能化。本发明专利技术包括二维多层MXene和路易斯碱性卤化物处理后的MXene两部分,多层MXene由MAX相刻蚀剥离得到,经过路易斯碱性卤化物处理后的LB

【技术实现步骤摘要】
一种同时对MXene进行表面改性和层间插层的普适方法


[0001]本专利技术属于锂离子储能材料
,涉及锂离子电池电极材料,特别涉及一种同时对MXene进行表面改性和层间插层的普适方法。

技术介绍

[0002]储能技术深刻改变了我们的生活,对高性能储能技术的不断追求将继续推动社会进步。锂离子电池是起源于实验室的典型现代产业,在智能终端和电动汽车电源领域处于领先地位。负极材料是锂离子电池的重要组成部分,对锂离子电池的电化学性能有重要影响。石墨和锂合金材料是目前研究最多的初始负极材料,但锂合金电极的动力学局限性,特别是充放电时体积膨胀/收缩大,阻碍了其在高性能储能设备中的应用。研究人员致力于寻找具有高多重性能和长循环寿命的先进电极材料。MXenes因其机械柔韧性好、导电性好、比表面积大、化学活性位点丰富而备受关注,被认为是最具潜力的锂离子电池组材料之一。
[0003]值得注意的是,表面基团和层间间距对MXenes的物理和化学性质的影响是巨大的。例如,较大的层间距有利于离子输运更多、更快,从而具有较高的能量存储速率。氯基团MXene作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同时对MXene进行表面改性和层间插层的普适方法,其特征在于:包括有二维多层MXene和路易斯碱性卤化物处理后的MXene,所述路易斯碱性卤化物处理后的MXene为LB

Mxene,所述二维多层MXene由MAX相刻蚀剥离得到,所述路易斯碱性卤化物处理后的MXene表面基团种类由F变为Cl、Br和I,将阳离子插入到二维多层MXene层间,扩大层间距。2.按权利要求1所述的一种同时对MXene进行表面改性和层间插层的普适方法,其特征在于:所述二维多层Mxene的导电率为200Sm
‑1,横向长度为20μm。3.按权利要求1所述的一种同时对MXene进行表面改性和层间插层的普适方法,其特征在于:所述MXene包括但不限于Ti2C、Ti3C2、Mo2C、Mo2TiC2、Mo2Ti2C3、V2C、Nb4C3或Ta4C3。4.按权利要求1所述的一种同时对MXene进行表面改性和层间插层的普适方法,其特征在于:所述LB

MXene由熔融的路易斯碱性卤化物加热搅拌处理获得。5.按权利要求1

4任一项所述的一种同时对MXene进行表面改性和层间插层的普适方法,其特征在于包括有以下步骤:步骤一、通过蚀刻MAX相得到MXene;步骤二、将步骤一中得到的MXene用...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖旭张天择
申请(专利权)人:电子科技大学长三角研究院湖州
类型:发明
国别省市:

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