半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

具备：半导体衬底(10)；以及金属膜(22)，形成在半导体衬底(10)上，具有与半导体衬底(10)进行肖特基接合的部分，由对铝添加了元素的铝合金构成。金属膜(22)是将配置在半导体衬底(10)侧的下层金属层(22a)与配置在下层金属层(22a)上的上层金属层(22b)层叠而构成的。并且，下层金属层(22a)的沿着下层金属层(22a)与上层金属层(22b)的层叠方向的厚度为2.6μm以下。下。下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
[0001]关联申请的相互参照
[0002]本申请基于2020年6月26日提出的日本专利申请第2020－110888号，这里通过参照而引用其记载内容。


[0003]本专利技术涉及具有肖特基结的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0004]以往，提出了在硅等的半导体衬底上配置有进行肖特基接合的金属膜的半导体装置。另外，金属膜由对铝添加了硅或铜等元素的铝合金构成。在这样的半导体装置中，如果在金属膜内形成结核(nodule)，则由结核引起的应力有可能会施加于进行肖特基接合的部分。并且，在应力大的情况下，肖特基势垒有可能变化，泄漏(leak)问题率有可能变高。
[0005]因此，例如，在专利文献1中，提出规定了进行肖特基接合的部分的半导体装置。具体而言，该半导体装置在半导体衬底上形成有层间绝缘膜，在层间绝缘膜中形成有使半导体衬底露出的接触孔。此外，半导体装置形成为，包含金属膜经由接触孔而与半导体衬底肖特基接合的部分。并且，该半导体装置，由于形成在金属膜中的结核容易形成在层间绝缘膜的开口部附近，所以使得进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，在半导体衬底(10)上形成有金属膜(22)，其特征在于，具备：上述半导体衬底；以及上述金属膜，形成在上述半导体衬底上，具有与上述半导体衬底进行肖特基接合的部分，由对铝添加了元素的铝合金构成；上述金属膜是将配置在上述半导体衬底侧的下层金属层(22a)与配置在上述下层金属层上的上层金属层(22b)层叠而构成的；上述下层金属层的沿着上述下层金属层与上述上层金属层的层叠方向的厚度为2.6μm以下。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述金属膜成为上述下层金属层内的粒子(Ra)和上述上层金属层内的粒子(Rb)被截断了的状态。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，上述金属膜的上述上层金属层内的粒子的平均粒径比上述下层金属层内的粒子的平均粒径小。4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，上述金属膜除了上述进行肖特基接合的部分以外还具有与上述半导体衬底进行欧姆接合的部分。5.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在半导体衬底(10)上形成有金属膜(22)，该金属膜具有与上述半导体衬底进行肖特基接合的部分、...

【专利技术属性】
技术研发人员：野间诚二，志贺智英，千田厚慈，西胁刚，古村雄太，添野明高，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：