【技术实现步骤摘要】
MOS管的通态损耗获取方法、装置、存储介质以及电子设备
[0001]本申请实施例涉及MOS管领域，特别是涉及一种MOS管的通态损耗获取方法、装置、存储介质以及电子设备。
技术介绍
[0002]随着开关电源器件的普及，开关电源器件的发热成为了备受关注的一个重点，如何解决散热问题是一个迫切需要解决的问题。但是，需要解决散热问题首先需要了解各个功率器件的热耗散的功耗，他们是发热的源头，而对于绝大多功率器件来说，其损耗的大小是根据电路实施工作的状态来决定的，损耗大小的不确定性成为了需要解决难题。
[0003]近年来，高频化开关电源应用越来越广泛，针对高频开关电源，通常使用的开关管是金氧半场效晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor,MOSFET，以下简称MOS管)，其开关速度快，开关损耗低的特点使其可以广泛应用在高频开关电源中，而通态损耗作为MOS管无可避免的损耗之一，其大小备受关注。
[00...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOS管的通态损耗获取方法，其特征在于，包括如下步骤：构建MOS管通态损耗计算模型；其中，所述MOS管通态损耗计算模型包括MOS管的通态损耗与温度系数、导通电压和导通电流的关系函数，MOS管在各个工作温度下的导通电压和导通电流的关系函数以及MOS管的温度系数函数；其中，所述温度系数函数包括MOS管在各个工作温度下的温度系数，所述温度系数用于校正MOS管在相应工作温度下的通态损耗；获取待测MOS管的工作参数；所述工作参数包括待测MOS管所在的拓扑电路参数以及待测MOS管的工作温度；所述拓扑电路参数用于指向待测MOS管的导通电流；将所述待测MOS管的工作参数输入至所述MOS管通态损耗计算模型，根据所述拓扑电路参数、所述待测MOS管的工作温度、所述待测MOS管的工作温度对应的导通电压和导通电流的关系函数、所述待测MOS管的工作温度对应的温度系数、以及MOS管的通态损耗与温度系数、导通电压和导通电流的关系函数，获得待测MOS管的通态损耗。2.根据权利要求1所述的MOS管的通态损耗获取方法，其特征在于：所述MOS管的通态损耗与温度系数、导通电压和导通电流的关系函数的表示方式为：其中，P
dson
为MOS管的通态损耗；Temp为MOS管的工作温度；K
dson
(Temp)为工作温度为Temp对应的温度系数；I
ds
(t)为MOS管的导通电流一个周期T内随时间t变化的函数，V
ds
(t)为MOS管的导通电压一个周期T内随时间t变化的函数。3.根据权利要求1所述的MOS管的通态损耗获取方法，其特征在于：还包括获取所述MOS管在各个工作温度下的导通电压和导通电流的关系函数；所述获取所述MOS管在各个工作温度下的导通电压和导通电流的关系函数的步骤，包括：将所述MOS管连接在测试电路中，在各个工作温度下，对所述MOS管输入测试电流，获得所述MOS管在各个工作温度下的导通电流以及对应的导通电压；将所述MOS管在各个工作温度下的导通电流以及对应的导通电压进行拟合，获得所述MOS管在各个工作温度下的导通电压和导通电流的关系函数。4.根据权利要求3所述的MOS管的通态损耗获取方法，其特征在于：还包括获取所述MOS管的温度系数函数；所述获取所述MOS管的温度系数函数的步骤，包括：选取参考温度，以所述MOS管在所述参考温度下的导通电流对应的导通电压作为参考电压，将各个工作温度下相应的导通电流对应的导通电压除以所述参考电压，获得各个工作温度下的相应导通电流对应的转换电压；将同一工作温度的导通电流对应的转换电压进行平均计算，获得对应工作温度下的温度系数；将各个工作温度以及所述工作温度对应的温度系数进行拟合，获得MOS管的温度系数函数。5.根据权利要求4所述的MOS管的通态损耗获取方法，其特征在于：从40度至50度之间选择一个工作温度作为参考温度。
6.根据权利要求2所述的MOS管的通态损耗获取方法，其特征在于：所述测试电流采用MOS管实际工作电流范围内的电流。7.根据权利要求1至6中任...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖胜峰，任文，
申请(专利权)人：广州视源电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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