背盖及其加工方法和电子设备技术

本申请提供一种背盖及其加工方法和电子设备，涉及电子产品技术领域，能够解决在将电致变色膜层贴合在盖板上的过程中，容易在盖板和电致变色膜层之间产生气泡的问题。电子设备包括背盖，背盖包括：透光盖板、电致变色膜层和遮挡部，电致变色膜层与透光盖板层叠设置；遮挡部设置于电致变色膜层的边缘部位与透光盖板之间，遮挡部的厚度小于4微米。本申请实施例提供的背盖应用于电子设备。提供的背盖应用于电子设备。提供的背盖应用于电子设备。

【技术实现步骤摘要】
背盖及其加工方法和电子设备


[0001]本申请涉及电子产品
，尤其涉及一种背盖及其加工方法和电子设备。

技术介绍

[0002]相关技术中，具有电致变色膜层背盖的电子设备中，电致变色膜层的边缘具有走线区、封装区或因水汽、氧气等影响形成的变色不均匀区，为了提高电子设备的外观美观性，通常在电致变色膜层或电子设备的透光盖板上设置用于遮挡电致变色膜层的边缘部位的遮挡部，以避免电致变色膜层的边缘部位外露。然而，在电致变色膜层或透光盖板上设置遮挡部后，在将电致变色膜层贴合在透光盖板上的过程中，容易在透光盖板和电致变色膜层之间产生气泡，降低了电子设备的生产良率。

技术实现思路

[0003]本申请的实施例提供一种电子设备的背盖及其加工方法和电子设备，用于解决在将电致变色膜层贴合在盖板上的过程中，容易在盖板和电致变色膜层之间产生气泡的问题。
[0004]为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：
[0005]本申请实施例的第一方面，提供一种电子设备。其中，电子设备包括背盖，背盖包括：透光盖板、电致变色膜层和遮挡部，电致变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备，其特征在于，包括背盖，所述背盖包括：透光盖板；电致变色膜层，所述电致变色膜层与所述透光盖板层叠设置；遮挡部，所述遮挡部设置于所述电致变色膜层的边缘部位与所述透光盖板之间，所述遮挡部的厚度小于4微米。2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述遮挡部的厚度小于或等于1微米。3.根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，所述遮挡部的厚度大于或等于0.01微米。4.根据权利要求1
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3任一项所述的电子设备，其特征在于，所述遮挡部的光线透过率为0
‑
50％。5.根据权利要求1
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4任一项所述的电子设备，其特征在于，所述遮挡部为非导电件。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的电子设备，其特征在于，所述遮挡部的电阻不小于5兆欧。7.根据权利要求1
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6任一项所述的电子设备，其特征在于，所述遮挡部包括遮光层，所述遮光层包括铟层、铟合金层、由二氧化硅层和二氧化钛层依次交替并层叠形成的第一交错层、由二氧化硅层和氧化铌层依次交替并层叠形成的第二交错层、由二氧化硅层和氧化钽层依次交替并层叠形成的第三交错层中的一种或多种。8.根据权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述交错层为由二氧化硅层和二氧化钛层依次交替并层叠形成的第一交错层、或由二氧化硅层和氧化铌层依次交替并层叠形成的第二交错层、或由二氧化硅层和氧化钽层依次交替并层叠形成的第三交错层。9.根据权利要求7或8所述的电子设备，其特征在于，所述铟层和所述铟合金层的厚度均为10纳米
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50纳米；所述交错层的厚度为200纳米
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1000纳米。10.根据权利要求7
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9任一项所述的电子设备，其特征在于，所述遮挡部设置于所述透光盖板的朝向所述电致变色膜层的表面。11.根据权利要求10所述的电子设备，其特征在于，所述遮挡部还包括：打底层，所述打底层设在所述遮光层与所述透光盖板之间。12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，所述打底层为含硅打底层或含氧化锆打底层。13.根据权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述含硅打底层的厚度为1纳米
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7纳米，所述含氧化锆打底层的厚度为5纳米
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30纳米。14.根据权利要求7
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13中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述遮挡部还包括：保护层，所述保护层设在所述遮光层的远离所述透光盖板的一侧。15.根据权利要求14所述的电子设备，其特征在于，所述保护层为氧化铌层或氧化钛层。16.根据权利要求14或15所述的电子设备，其特征在于，所述保...

【专利技术属性】
技术研发人员：郜成杰，
申请(专利权)人：荣耀终端有限公司，
类型：发明
国别省市：