【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在芯片处的故障注入事件检测以及相关系统、方法和设备
[0001]相关事项的交叉引用
[0002]本申请根据35U.S.C.
§
119(e)要求2020年6月2日提交的美国临时专利申请序列号62/704,894的权益,该临时专利申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。
[0003]本文所讨论的示例总体上涉及在芯片处的故障注入事件检测。
技术介绍
[0004]开发故障注入技术以测试电子系统(硬件和软件)并且理解这些系统在应力下是如何表现的。然而,正如此类技术可被合法地用于提取关于系统的可用信息,故障注入技术可被非法地用于提取关于系统的秘密信息。在所谓的故障注入攻击的情况下,攻击者诱导系统以特定方式运行(通常通过经多个迭代注入故障或注入特定故障),然后通过在此类诱导之后观察其操作来获得关于系统的可用信息(例如,秘密信息)。
附图说明
[0005]为了容易地识别对任何特定元素或动作的讨论,参考标号中最重要的一个或多个数字是指首次介绍该元素的图号。
[0006]图1是描绘根据一个或多个示例的包括故障事件检测器的芯片部分的示意图。
[0007]图2A是描绘根据一个或多个示例的故障事件检测器的框图。
[0008]图2B是描绘根据一个或多个示例的另一故障事件检测器的框图。
[0009]图3是描绘根据一个或多个示例的被修改为故障事件检测电路的标准单元的数字电路的示意图。
[0010]图4是描绘根据一个或多个示例的过程的流程图。
[001 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种芯片部分,所述芯片部分包括:第一故障事件检测器,所述第一故障事件检测器包括第一双稳态设备,所述第一双稳态设备响应于在所述第一故障事件检测器的第一周围区域内的故障注入事件的存在而改变状态;和第一易受攻击的数字电路,其中所述第一易受攻击的数字电路的至少一部分位于所述第一周围区域内。2.根据权利要求1所述的芯片部分,其中所述第一故障事件检测器被配置为至少部分地响应于所述第一双稳态设备的改变的状态而断言第一故障事件指示。3.根据权利要求2所述的芯片部分,所述芯片部分包括处理器,其中所述处理器被配置为至少部分地响应于所断言的第一故障事件指示而采取适当动作。4.根据权利要求1所述的芯片部分,所述芯片部分包括:第二故障事件检测器,所述第二故障事件检测器包括第二双稳态设备,所述第二双稳态设备响应于在第二周围区域内的第二故障注入事件的存在而改变状态;和第二易受攻击的数字电路,其中所述第二易受攻击的数字电路的至少一部分位于所述第二周围区域内。5.根据权利要求1所述的芯片部分,所述芯片部分包括布置在所述第一周围区域内的一个或多个其他易受攻击的数字电路。6.根据权利要求1所述的芯片部分,其中所述第一故障事件检测器包括故障事件传感器,所述故障事件传感器被配置为检测在所述第一故障事件检测器的所述第一周围区域内的所述故障注入事件的存在。7.根据权利要求6所述的芯片部分,其中所述故障事件传感器被布置成至少部分地响应于在所述第一故障事件检测器的所述第一周围区域内的所述故障注入事件的所检测到的存在而触发所述第一双稳态设备的状态改变。8.根据权利要求6所述的芯片部分,其中所述故障事件传感器为故障事件感测电路,所述故障事件感测电路包括PMOS晶体管,所述PMOS晶体管被布置成始终断开并且被布置为上拉晶体管。9.根据权利要求6所述的芯片部分,其中所述故障事件传感器为故障事件感测电路,所述故障事件感测电路包括NMOS晶体管,所述NMOS晶体管被布置成始终断开并且被布置为下拉晶体管。10.根据权利要求9所述的芯片部分,其中所述第一故障事件检测器包括电阻性电路,所述电阻性电路被布置成协助所述故障事件感测电路来触发所述第一双稳态设备的所述状态改变。11.根据权利要求1所述的芯片部分,其中所述第一故障事件检测器包括两个故障事件传感器,每个故障事件传感器被配置为检测在所述第一故障事件检测器的所述第一周围区域内的所述故障注入事件的存在。12.根据权利要求1所述的芯片部分,其中所述第一故障事件检测器包括复位电路,所述复位电路被布置成响应于复位信号的断言和去断言来设置所述第一故障事件检测器的操作模式。13.一种方法,所述方法包括:
首先断言复位信号以将故障事件检测器的操作模式设置为复位操作模式;去断言所述复位信号以将所述故障事件检测器的所述操作模式从复位操作模式改变为正常操作模式;从所述故障事件检测器接收所断言的故障事件指示;至少部分地响应于所断言的故障事件指...
【专利技术属性】
技术研发人员:M,
申请(专利权)人:微芯片技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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