电子器件制造技术

本申请公开了一种电子器件，该电子器件包括：天线基板，具有腔体，其中腔体具有天线耦合共振腔；射频芯片，设置于腔体内并在天线耦合共振腔之外；屏蔽间隔件，设置于腔体内，并且屏蔽间隔件区隔射频芯片与腔体内的天线耦合共振腔。上述技术方案，至少能够减少来自射频芯片的干扰，从而提升天线效能。从而提升天线效能。从而提升天线效能。

【技术实现步骤摘要】
电子器件


[0001]本申请涉及半导体和天线
，更具体的，涉及一种电子器件。

技术介绍

[0002]参考图1所示，现行常见天线模组中，通常将RFIC(射频集成电路，Radio Frequency Integrated Circuit)芯片10与天线12堆叠设置，以减少封装尺寸，即减少X
‑
Y平面中的尺寸。但在封装薄化(减小方向Z上的尺寸)的需求下，如图2A所示，现有做法是将RFIC芯片20设置在天线22耦合的空腔25中。然而，将RFIC芯片20配置在空腔25中会干扰天线22耦合，即使在RFIC芯片20上设置芯片屏障(scale shielding)层29，仍会影响天线22的性能。
[0003]结合图2A和图2B所示，在天线22与RFIC芯片20的布局设计中，RFIC芯片20设置于多个天线22中间，RFIC芯片20的这种配置也会干扰四周天线22，使得天线22性能较差。
[0004]此外，根据天线设计要求，各天线22与RFIC芯片20之间、及各个天线22之间需要在X
‑
Y平面中保持大于1/2电磁波波长的特定距离。这会造成占用较大的尺寸，而无更多的空间以整合其他元件。另一方面，空腔25顶部处的基板28不易维持平行，中间位置的基板28会相对两侧位置的基板28向下塌陷，这将不利地影响天线性能。另一方面，RFIC芯片20的边缘区域处的电连接件24可以接地(GND)，以帮助RFIC芯片20散热。但在图2A和图2B所示的结构中，RFIC芯片20的接地区域面积小，散热较差，RFIC芯片20产生的热量会影响RFIC芯片20与各个天线22之间的射频走线32的传输特性。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中的上述问题，本申请提出一种电子器件，至少能够减少来自射频芯片的干扰，从而提升天线效能。
[0006]根据本申请的一个方面，提供了一种电子器件，该电子器件包括：天线基板，具有腔体，其中腔体具有天线耦合共振腔；射频芯片，设置于腔体内并在天线耦合共振腔之外；屏蔽间隔件，设置于腔体内，并且屏蔽间隔件区隔射频芯片与腔体内的天线耦合共振腔。
[0007]在一些实施例中，屏蔽间隔件从天线基板的第一侧延伸至与第一侧相对的第二侧。
[0008]在一些实施例中，天线基板上设置有天线，屏蔽间隔件包括在屏蔽间隔件的延伸方向上间隔设置的屏蔽元件，以减少射频芯片与天线之间的电磁波干扰。
[0009]在一些实施例中，天线基板具有第一区和相邻于第一区的第二区，天线设置于第一区，射频芯片设置于第二区下方，其中，第二区与屏蔽间隔件共同构成屏蔽墙，以阻隔至少两个方向的电磁波传递。
[0010]在一些实施例中，电子器件还包括射频基板，射频基板用于支撑射频芯片、屏蔽间隔件和天线基板；其中，天线基板上设置有天线，射频基板包含射频走线，射频走线延伸经过屏蔽间隔件下方以电连接射频芯片与天线。
[0011]在一些实施例中，射频基板还包含与天线基板的天线对齐且用于与天线电耦合的馈电元件。
[0012]在一些实施例中，天线基板与屏蔽间隔件为一体结构。
[0013]在一些实施例中，射频基板包括位于射频芯片下方的散热区域。
[0014]在一些实施例中，电子器件还包括支撑件，支撑件设置于腔体的相对侧并用于支撑天线基板，支撑件包括用于减少射频芯片的电磁波干扰的屏蔽元件。
[0015]在一些实施例中，屏蔽元件、屏蔽间隔件和射频芯片上方的天线基板共同构成屏蔽墙。
[0016]本申请的上述技术方案，通过利用屏蔽间隔件将射频芯片与天线耦合共振腔区隔开，至少可以避免射频芯片对天线耦合共振腔的干扰。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是现行的一种天线模组的截面示意图。
[0019]图2A和图2B分别是现行的另一种天线模组的截面示意图和俯视示意图。
[0020]图3是根据本申请的实施例的电子器件的截面示意图。
[0021]图4是图3所示电子器件中的射频芯片与多个天线单元连接的俯视示意图。
[0022]图5A和图5B分别是根据本申请的不同实施例的图3中电子器件的俯视示意图。
[0023]图6是根据本申请的另一实施例的电子器件的截面示意图。
具体实施方式
[0024]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0025]图3是根据本申请的实施例的电子器件100的截面示意图。参考图3所示，电子器件100包括天线基板110，天线基板110具有腔体180。腔体180包括天线耦合共振腔182。电子器件100还包括射频芯片120(如RFIC芯片)和屏蔽间隔件150。屏蔽间隔件150设置于腔体180内，并且屏蔽间隔件150区隔射频芯片120与天线耦合共振腔182，使得射频芯片120设置于腔体180内并位于天线耦合共振腔182之外。通过利用屏蔽间隔件150将射频芯片120与天线耦合共振腔182区隔开，可以避免射频芯片120对天线耦合共振腔182的干扰。
[0026]天线基板110上设置有天线112。天线112和天线耦合共振腔182可以在方向Z上位于天线基板110的相对侧。天线112位于天线耦合共振腔182上方。在该实施例中，天线112利用天线基板110的介电材料来当做天线底材，天线基板110的介电材料一般为低k介电材料，这可以保证天线112的效能良好。
[0027]电子器件100还包括射频基板130，射频基板130用于支撑射频芯片120、屏蔽间隔
件150和天线基板110。屏蔽间隔件150从天线基板110在方向Z上延伸至与射频基板130连接。射频基板130包含天线132，天线132与天线基板110上的对应天线112对齐并且与天线112电耦合，射频基板130上的天线132可以用作天线基板110上的天线112的馈电元件，以与天线112电耦合。因此，天线132也可以称为馈电元件。在一些实施例中，各个天线112、132是毫米波天线。在一些实施例中，天线基板110上的天线112和射频基板130上的天线132的位置可以具有不同的配置。例如，天线基板110上的天线112可以配置为突出于天线基板110的表面，而射频基板130上的天线132可以配置为嵌入在射频基板130中。
[0028]天线112与天线132可以一一对应地在方向Z上对齐设置。多个天线112和多个天线132共享一个天线耦合共振腔182，利用天线耦合共振腔182耦合共振而发出电磁波。一个天线112与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：天线基板，具有腔体，其中所述腔体具有天线耦合共振腔；射频芯片，设置于所述腔体内并在所述天线耦合共振腔之外；屏蔽间隔件，设置于所述腔体内，并且所述屏蔽间隔件区隔所述射频芯片与所述腔体内的所述天线耦合共振腔。2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述屏蔽间隔件从所述天线基板的第一侧延伸至与所述第一侧相对的第二侧。3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述天线基板上设置有天线，所述屏蔽间隔件包括在所述屏蔽间隔件的延伸方向上间隔设置的屏蔽元件，以减少所述射频芯片与所述天线基板上的所述天线之间的电磁波干扰。4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述天线基板具有第一区和相邻于第一区的第二区，天线设置于所述第一区，所述射频芯片设置于所述第二区下方，其中，所述第二区与所述屏蔽间隔件共同构成屏蔽墙，以阻隔至少两个方向的电磁波传递。5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：余忠儒，吴韦汎，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：