一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶的制备方法及其产品和应用技术

本发明专利技术涉及一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于钙钛矿半导体纳米晶制备技术领域。本发明专利技术的制备方法不仅成功在全无机钙钛矿半导体纳米晶中引入铈离子降低铅含量，成功提升全无机钙钛矿半导体纳米晶的光学性能；同时该全无机钙钛矿半导体纳米晶只需要在常温环境中进行，也为工业生产提供可行性。本发明专利技术还公开了一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶，具有缺陷密度低、光学性能好的优点性能，在量子点发光二极管(QLED)中具有良好的应用前景。良好的应用前景。良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶的制备方法及其产品和应用


[0001]本专利技术属于钙钛矿半导体纳米晶制备
，涉及一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶的制备方法及其产品和应用。

技术介绍

[0002]近几年来，由于全无机钙钛矿纳米晶具有带隙可调、发射峰窄以及宽带吸收等光电特性，在各种光电器件领域成为最有潜力的光电器件材料。不过由于全无机钙钛矿纳米晶存在低光致发光产率、较差的稳定性、Pb元素有害环境以及热注入方法制备繁琐等不可避免的问题，使得纳米晶材料探索道路有所阻碍。
[0003]目前，全无机钙钛矿纳米晶的研究集中于表面修饰、离子掺杂等方式改善缺陷态问题，其中离子掺杂被作为降低Pb含量的主要手段之一。近年来，一些研究集中于CsPbX3纳米晶中Pb
2+
位置的替代，利用金属离子Zn
2+
、Cd
2+
、Mn
2+
等取代Pb
2+
位，成功制备了低缺陷密度、高性能的掺杂CsPbBr3纳米晶。然而这些研究涉及的纳米晶涉材料多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)向溴化铅的甲苯溶液中加入CeBr3的辛酸掺杂溶液，混合后加入乙酸甲脒的辛酸溶液、碳酸铯的辛酸溶液，搅拌混合均匀，加入双十烷基二甲基溴化铵的甲苯溶液，搅拌混合均匀，得到上部溶液；(2)取所述上部溶液与乙酸乙酯混合，置于离心机中离心，去除上清液后加入甲苯、乙酸乙酯溶解后再次进行离心去除上清液，加入正己烷溶液溶解沉淀，即可得到基于三价铈离子掺杂的全无机钙钛矿半导体纳米晶。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述溴化铅的甲苯溶液按照如下方法配置：将溴化铅和四辛基溴化铵加入甲苯中溶解，制备溴化铅的甲苯溶液，所述溴化铅、四辛基溴化铵和甲苯的质量体积比为0.369︰1.0936︰10，g︰g︰mL。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述CeBr3的辛酸掺杂溶液中CeBr3与辛酸的质量体积比为0.01～0.04︰1，g︰mL；所述乙酸甲脒的辛酸溶液中乙酸甲脒与辛酸的质量体积比为0.0208︰1，g︰mL；所述碳酸铯的辛酸溶液中碳酸铯与辛酸的质量体积比为0.0325︰1，g︰mL；所述双十烷基二甲基溴化铵的甲苯溶液中双十烷基二甲基溴化铵与甲苯的质量体积比为0.03︰3，g︰mL。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述溴化铅的甲苯溶液、CeBr3的辛酸掺杂溶液、乙酸甲脒的辛酸溶液、碳酸铯的辛酸溶液和双十烷基二甲基溴化铵的甲苯溶液的体积...

【专利技术属性】
技术研发人员：王振，谭星，陈威威，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：