一种钙钛矿薄膜、其制备方法和钙钛矿太阳能电池技术

本发明专利技术提供了一种钙钛矿薄膜、其制备方法和钙钛矿太阳能电池。所述钙钛矿薄膜，包括钙钛矿薄膜本体和覆盖在所述钙钛矿薄膜本体表面的钝化层，所述钝化层具有如式Ⅰ或式Ⅱ所示的结构，通过引入钝化层，可以钝化钙钛矿薄膜表面及晶界的缺陷。同时，可以隔离钙钛矿薄膜与水汽、氧气的接触，抑制钙钛矿的降解。所述钙钛矿薄膜可以用于制备钙钛矿太阳能电池，有效提升太阳能电池的光电转化效率，并提升其工作稳定性。稳定性。稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿薄膜、其制备方法和钙钛矿太阳能电池


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种钙钛矿薄膜、其制备方法和钙钛矿太阳能电池。

技术介绍

[0002]近些年来，钙钛矿太阳能电池发展迅猛，受到学术界和产业界的广泛关注。其中，以有机
‑
无机杂化体系为代表的金属卤化物钙钛矿太阳能电池因其非凡的光电特性而得到了快速的发展，然而，其器件性能可能会受到不良的表面特性的限制，阻碍载流子传输和诱导复合，使得钙钛矿薄膜中存在大量的缺陷，这些缺陷会充当非辐射复合中心，从而对钙钛矿太阳能电池的性能和稳定性造成不利影响。目前，通过减少和钝化钙钛矿薄膜中的缺陷，是降低非辐射复合损失和抑制界面退化，以提升钙钛矿太阳能电池光电性能和稳定性的主要策略。
[0003]对于传统半导体(例如元素半导体和III
‑
V半导体)，通过共价键将功能基团与半导体的表面原子相结合实现表面功能化，可以使得表面的电子性质更加良性，以减少复合和散射。然而，杂化钙钛矿太阳能电池中的化学键是离子键，表面缺陷水平通常比传统共价半导体中发现的要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿薄膜，其特征在于，包括钙钛矿薄膜本体和覆盖在所述钙钛矿薄膜本体表面的钝化层；所述钝化层的结构式如式Ⅰ或式Ⅱ所示：其中，R1选自C、N或S，R2或R3独立地选自C或N，且R1、R2和R3不同时为C；R4及其所在的碳原子与R3成芳香环，或R4选自C1～C6的烷基；R5或R8独立地选自
‑
(CH2)
m
‑
，m为1～6的整数；R6或R7独立地选自C或N，且R6和R7不同时为C；R9选自C1～C6的烷基。2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述R6和R7选自N；所述R8为
‑
(CH2)
m
‑
，m为1～4的整数；所述R9选自C1～C4的烷基。3.根据权利要求2所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述R1选自N或S；R5为
‑
(CH2)
m
‑
，m为1～4的整数。4.根据权利要求3所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述钝化层选自下式A
‑
1～式A
‑
3中的任意一种：5.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述钙钛矿薄膜本体的化学式为(FAPbI3)
x
(MAPbBr3)
y
(CsPbI3)1‑
x
...

【专利技术属性】
技术研发人员：于越，白建明，赵玉琢，王琪，李治学，邢增杰，赵炳阳，王峰，税荣森，
申请(专利权)人：华电重工股份有限公司，
类型：发明
国别省市：