固态成像装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于抑制模式切换时的死区时间。根据本发明专利技术的一种固态成像装置包括：多个像素(300)，每个像素输出入射光的亮度变化；以及检测电路(305)，基于从每个像素输出的亮度变化来输出事件信号。每个像素包括：光电转换元件(311)，用于根据入射光量产生电荷；对数转换电路(312，313)，连接至光电转换元件，并将从光电转换元件流出的光电流转换为与所述光电流的对数值对应的电压信号；以及第一晶体管(318)，其漏极连接到对数转换电路的感测节点。其漏极连接到对数转换电路的感测节点。其漏极连接到对数转换电路的感测节点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态成像装置


[0001]本公开涉及固态成像装置和成像装置。

技术介绍

[0002]与成像装置等相关的常规技术已经使用同步固态成像装置，该同步固态成像装置与同步信号(诸如垂直同步信号)同步地捕获图像数据(帧)。这种典型的同步固态成像装置仅能够在每个同步信号周期(例如，1/60秒)获取图像数据，使得在与运输、机器人等相关的领域中需要时难以处理更快的处理。为了解决这个问题，已经提出了一种固态成像装置，该固态成像装置针对每个像素地址检测像素的亮度的变化量超过阈值的事件作为地址事件(例如，参考专利文献1)。以这种方式检测每个像素的地址事件的固态成像装置也称为基于事件的视觉传感器(EVS)或动态视觉传感器(DVS)。
[0003]引用列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：JP 5244587 B2

技术实现思路

[0006]技术问题
[0007]然而，在传统的EVS中，存在由于噪声的产生、切换操作模式时电位的波动等导致操作变得不稳定的情况。
[0008]鉴于此，本公开提出了能够抑制不稳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种固态成像装置，包括：多个像素，每个所述像素输出入射光的亮度变化；以及检测电路，基于从每个所述像素输出的所述亮度变化输出事件信号，其中，每个所述像素包括：光电转换元件，根据入射光量产生电荷；对数转换电路，连接到所述光电转换元件，并将从所述光电转换元件流出的光电流转换为对应于所述光电流的对数值的电压信号；以及第一晶体管，所述第一晶体管的漏极连接至所述对数转换电路的感测节点。2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，所述第一晶体管的源极连接到等于或高于参考电位并且低于电源电压的第一电位。3.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，每个所述像素进一步包括第一电路，所述第一电路基于从所述对数转换电路输出的所述电压信号输出进入所述光电转换元件的所述入射光的所述亮度变化，以及所述检测电路包括第二电路，所述第二电路基于从每个所述像素输出的所述亮度变化输出所述事件信号。4.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，所述参考电位是负电位或地电位。5.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，所述第一电位是比在所述对数转换电路正常操作时所述感测节点的电位更低的电位。6.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，所述对数转换电路包括：第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接至所述光电转换元件；以及第三晶体管，所述第三晶体管的源极连接至所述光电转换元件，所述第三晶体管的栅极连接至所述第二晶体管的漏极，以及所述感测节点是连接到所述第二晶体管的栅极的配线。7.根据权利要求6所述的固态成像装置，其中，每个所述像素进一步包括第四晶体管，所述第四晶体管的漏极连接至所述第二晶体管的栅极和所述第三晶体管的源极，并且所述第四晶体管的源极连接至所述光电转换元件。8.根据权利要求7所述的固态成像装置，其中，每个所述像素还包括：第五晶体管，所述第五晶体管的源极连接到所述光电转换元件；以及读出电路，所述读出电路连接到所述第五晶体管的漏极，并且根据在所述光电转换元件中生成的电荷生成像素信号。9.根据权利要求8所述的固态成像装置，其中，所述第一晶体管通过所述第五晶体管和所述第四晶体管连接至所述感测节点。10.根据权利要求8所述的固态成像装置，其中，每个所述像素还包括第六晶体管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：井本努，池田裕介，丹羽笃亲，铃木敦史，江藤慎一郎，高宫健一，丸山卓哉，日吉连，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：