阵列基板及显示面板制造技术

本申请实施例提供的阵列基板及显示面板中，包括衬底、驱动电路层以及像素定义层。其中，相邻的像素定义层之间设有开口区。驱动电路层包括第一台阶区。第一台阶区在衬底上的正投影位于开口区在衬底上的正投影的一侧。其中，将第一台阶区设置在开口区的一侧的对应位置，即将第一台阶区设置在开口区靠近其边界的对应位置。其一，开口区未与第一台阶区对应的区域可以设置其他台阶区，从而达到减少段差的效果，进而提升发光器件的发光效率。其二，在开口区的膜层未形成中间厚两边薄的对称性咖啡环结构，进而提升发光器件的发光效率。进而提升发光器件的发光效率。进而提升发光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]目前，有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，是极具潜力的新一代显示方式而被广泛应用。对于中小尺寸的OLED来说，通常采用蒸镀工艺形成，而对于大尺寸的OLED来说，通常采用喷墨打印(Ink
‑
jet Print，IJP)技术形成。其中，OLED顶发射结构是未来高分辨率电视产品的选择，具体地，IJP技术为低成本量产技术，尤其是用于高分辨率的OLED顶发射器件中。
[0003]其中，在采用IJP技术形成OLED顶发射器件时，由于与像素开口区对应的遮光层、栅极层以及源漏极层等无机金属膜层的存在，会形成高低错落的底部地势。且该地势平面后续无法通过有机平坦层完全平坦化，从而造成在涂布时像素开口区膜层时，因墨水铺展流平不均而发生不均匀的成膜，形成段差，进而影响OLED器件的发光效率。
[0004]因此，如何改善在涂布时像素开口区膜层时易发生不均匀的成膜的现象，从而提升OLED器件的发光效率是现有面板厂家需要努力攻克的难关。

技术实现思路

[0005]本申请实施例的目的在于提供一种阵列基板及显示面板，能够解决现有OLED器件中因在涂布时像素开口区膜层时易发生不均匀的成膜现象而导致其发光效率较低的技术问题。
[0006]本申请实施例提供一种阵列基板，其特征在于，包括：
[0007]衬底，所述衬底包括相对设置的第一面和第二面；
[0008]驱动电路层，所述驱动电路层设置在所述第一面上，所述驱动电路层包括第一台阶区，所述第一台阶区的地势高度高于所述驱动电路层其他区域的地势高度；
[0009]像素定义层，所述像素定义层设置在所述驱动电路层远离所述衬底的一面上，相邻的所述像素定义层之间设有开口区，且所述第一台阶区在所述衬底上的正投影位于所述开口区在所述衬底上的正投影的一侧。
[0010]在本申请的阵列基板中，所述开口区的一边界在所述衬底上的正投影位于所述第一台阶区在所述衬底上的正投影中。
[0011]在本申请的阵列基板中，所述驱动电路层还包括第二台阶区，所述第二台阶区的地势高度低于所述第一台阶区的地势高度，且所述第二台阶区在所述衬底上的正投影位于所述开口区在所述衬底上的正投影中。
[0012]在本申请的阵列基板中，所述第二台阶区设有多个，所述第二台阶区均位于所述第一台阶区的一侧。
[0013]在本申请的阵列基板中，所述第二台阶区的地势高度沿第一方向依次增大，所述第一方向为所述第二台阶区延伸至所述第一台阶区的方向。
[0014]在本申请的阵列基板中，所述第二台阶区设有多个，所述第一台阶区的两侧均设有所述第二台阶区。
[0015]在本申请的阵列基板中，所述第一台阶区包括第一电极块、第二电极块以及第三电极块，所述第一电极块、所述第二电极块以及所述第三电极块绝缘设置，且所述第二电极块位于所述第一电极块远离所述衬底的一面上，所述第三电极块位于所述第二电极块远离所述衬底的一面上，所述第一电极块与所述第三电极块经第一过孔连接。
[0016]在本申请的阵列基板中，所述第二台阶区包括依次层叠设置的遮光层、有源层、栅极绝缘层、栅极层以及源漏极层；其中，所述源漏极层与所述有源层经第二过孔连接，所述源漏极层与所述遮光层经第三过孔连接。
[0017]在本申请的阵列基板中，所述像素定义层的坡度角为15度至45度。
[0018]本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上所述的阵列基板。
[0019]在本申请实施例提供的阵列基板及显示面板中，包括衬底、驱动电路层以及像素定义层。其中，相邻的像素定义层之间设有开口区，开口区用于涂布墨水形成发光层等膜层。驱动电路层包括地势高度高于其他区域的第一台阶区。第一台阶区在衬底上的正投影位于开口区在衬底上的正投影的一侧。在本申请实施例中，将第一台阶区设置在开口区的一侧的对应位置，即将第一台阶区设置在开口区靠近其边界的对应位置。其一，开口区未与第一台阶区对应的区域可以设置其他台阶区，从而达到减少段差的效果，进而提升发光器件的发光效率。其二，在开口区的膜层未形成中间厚两边薄的对称性咖啡环结构，进而提升发光器件的发光效率。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本申请实施例提供的阵列基板的第一种实施方式的第一结构示意图。
[0022]图2为本申请实施例提供的阵列基板的第一种实施方式的第二结构示意图。
[0023]图3为本申请实施例提供的阵列基板的像素腔长与发光强度的关系示意图。
[0024]图4为本申请实施例提供的阵列基板的第二种实施方式的结构示意图。
[0025]图5为本申请实施例提供的阵列基板的第三种实施方式的结构示意图。
[0026]图6为本申请实施例提供的阵列基板的第四种实施方式的结构示意图。
[0027]图7为本申请实施例提供的阵列基板的第五种实施方式的结构示意图。
[0028]图8为本申请实施例提供的阵列基板的第六种实施方式的结构示意图。
[0029]图9为本申请实施例提供的阵列基板的第七种实施方式的结构示意图。
具体实施方式
[0030]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施
例，都属于本申请保护的范围。
[0031]请参阅图1、图2以及图3，图1为本申请实施例提供的阵列基板的第一种实施方式的第一结构示意图，图2为本申请实施例提供的阵列基板的第一种实施方式的第二结构示意图。图3为本申请实施例提供的阵列基板的像素腔长与发光强度的关系示意图，如图1以及图2所示，本申请实施例提供的阵列基板10包括衬底101、驱动电路层102以及像素定义层103。
[0032]其中，衬底101包括相对设置的第一面101a和第二面101b。驱动电路层102设置在第一面101a上。驱动电路层102包括第一台阶区102a。第一台阶区102a的地势高度高于驱动电路层102其他区域的地势高度。像素定义层103设置在驱动电路层102远离衬底101的一面上。相邻的像素定义层103之间设有开口区103a。第一台阶区102a在衬底101上的正投影位于开口区103a在衬底101上的正投影的一侧。
[0033]其中，具体地，第一台阶区102a在衬底1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括相对设置的第一面和第二面；驱动电路层，所述驱动电路层设置在所述第一面上，且所述驱动电路层包括第一台阶区，所述第一台阶区的地势高度高于所述驱动电路层除所述第一台阶区之外的区域的地势高度；像素定义层，所述像素定义层设置在所述驱动电路层远离所述衬底的一面上，相邻的所述像素定义层之间设有开口区，且所述第一台阶区在所述衬底上的正投影位于所述开口区在所述衬底上的正投影的一侧。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开口区的一边界在所述衬底上的正投影位于所述第一台阶区在所述衬底上的正投影中。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路层还包括第二台阶区，所述第二台阶区的地势高度低于所述第一台阶区的地势高度，且所述第二台阶区在所述衬底上的正投影位于所述开口区在所述衬底上的正投影中。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二台阶区设有多个，所述第二台阶区均位于所述第一台阶区的一侧。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二台阶区的地势高...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹武，请求不公布姓名，韩佰祥，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：新型
国别省市：