堆叠式存储器的电压调节分配制造技术

本申请涉及堆叠式存储器的电压调节分配。堆叠式存储器装置可支持用于在多个存储器裸片的电压调节电路系统之间耦合或用于耦合一些存储器裸片的电压调节电路系统和与其它存储器裸片的操作存储器阵列相关联的电路系统的各种技术。在一些实例中，此类技术可包含电压调节电路系统基于阵列电路系统的存取活动或存取活动程度进行的交叉耦合。在一些实例中，此类技术可包含基于阵列电路系统的存取活动或存取活动程度而隔离电压调节电路系统。电压调节电路系统之间的动态耦合或隔离可以通过与堆叠式存储器装置相关的各种信令来支持，例如所述堆叠式存储器裸片之间的信令、存储器裸片和中央控制器之间的信令，或所述堆叠式存储器装置和主机装置之间的信令。储器装置和主机装置之间的信令。储器装置和主机装置之间的信令。

【技术实现步骤摘要】
堆叠式存储器的电压调节分配
[0001]交叉参考
[0002]本专利申请要求维切斯(Veches)等人于2021年8月12日提交的标题为“堆叠式存储器的电压调节分配(VOLTAGE REGULATION DISTRIBUTION FOR STACKED MEMORY)”的第17/400,914号美国专利申请的优先权，所述申请转让给本受让人且以引用的方式明确并入本文中。


[0003]
涉及堆叠式存储器的电压调节分配。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可编程到两种支持状态中的一种，常常由逻辑1或逻辑0来表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个状态，所述状态中的任一个可被存储。为了存取所存储的信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可写入或编程存储器装置中的状态。
[0005]存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫属化物存储器技术等。存储器单元可为易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器即使在无外部电源存在下仍可维持所存储的逻辑状态很长一段时间。例如DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失它们所存储的状态。

技术实现思路

[0006]描述一种方法。在一些实例中，所述方法可包含：在第一半导体裸片处接收信号，所述第一半导体裸片包括电压调节器、与第二半导体裸片耦合的触点及与第一存储器阵列相关联的电路系统，所述第二半导体裸片包括与第二存储器阵列相关联的电路系统；至少部分地基于接收到所述信号，修改所述第一半导体裸片的所述电压调节器和与所述第二半导体裸片耦合的所述触点之间的开关组件的状态。
[0007]描述一种方法。在一些实例中，所述方法可包含：在包括与第一存储器阵列相关联的电路系统、第一电压调节器和可用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点的第一半导体裸片处，识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的条件，所述第二半导体裸片包括与第二存储器阵列相关联的电路系统；以及至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件，修改与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统和可用于与所述第二半导体裸片的所述第二电压调节器耦合的所述触点之间的开关组件的状态。
[0008]描述一种方法。在一些实例中，所述方法可包含：在存储器装置的逻辑处识别操作所述存储器装置的条件，所述逻辑与所述存储器装置的包括与第一存储器阵列相关联的电路系统的第一半导体裸片耦合且与所述存储器装置的包括与第二存储器阵列相关联的电路系统的第二半导体裸片耦合；以及至少部分地基于识别到操作所述存储器装置的所述条件，修改所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片的电压调节器之间的连接或所述第二半导体裸片和所述第一半导体裸片的电压调节器之间的连接或这两者。
[0009]描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包含第一半导体裸片，所述第一半导体裸片包括第一电压调节器、与第一存储器阵列相关联且可至少部分地基于所述第一电压调节器而操作的电路系统、可用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点，以及耦合在所述触点和与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统之间的开关组件。
[0010]描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包含：第一半导体裸片，其包括第一电压调节器和与第一存储器阵列相关联的电路系统；第二半导体裸片，其包括第二电压调节器和与第二存储器阵列相关联的电路系统；电力供应器，其位于所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片外部，并且可用于与所述第一电压调节器和所述第二电压调节器耦合；第一开关组件，其可用于耦合所述第二电压调节器和与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统；以及第二开关组件，其可用于耦合所述第一电压调节器和与所述第二存储器阵列相关联的所述电路系统。
附图说明
[0011]图1示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的系统的实例。
[0012]图2示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的存储器裸片的实例。
[0013]图3A和3B分别示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的存储器裸片和存储器装置的实例。
[0014]图4示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的存储器装置的实例。
[0015]图5示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的半导体裸片的框图。
[0016]图6示出根据本文所公开的实例的支持堆叠式存储器的电压调节分配的存储器装置的框图。
[0017]图7到9示出根据本文所公开的实例的流程图，示出了支持堆叠式存储器的电压调节分配的一或多种方法。
具体实施方式
[0018]存储器装置可包含一或多个存储器裸片，其中每一存储器裸片可以指配置有相应存储器阵列和用于至少操作相应存储器阵列(例如，用于支持读取操作、写入操作、存储器管理操作)的电路系统的半导体组件(例如，芯片)。在一些实例中，存储器装置可包含多个离散存储器裸片，这些存储器裸片可由主机装置经由公共通信链路(例如，经由公共命令和
地址信道或总线)控制或存取。堆叠式存储器装置可以指包含多个耦合到一起(例如，接合、钎焊、焊接)的离散存储器裸片的存储器装置，其中此类耦合可包含在不同存储器裸片(例如，邻近存储器裸片、直接邻近的存储器裸片)的一或多个电触点之间提供物理或电互连。在一些实例中，堆叠式存储器装置可包含由其中两个或更多个存储器裸片共有(例如，共享)的电源，并且其中每个存储器裸片可包含用于根据一或多个经调节电压操作相应存储器裸片的电压调节电路系统。
[0019]根据本文所公开的实例，堆叠式存储器装置可支持用于在多个存储器裸片的电压调节电路系统之间耦合或用于耦合一些存储器裸片的电压调节电路系统和与其它存储器裸片的操作存储器阵列相关联的电路系统或某种组合的各个技术。在一些实例中，此类技术可包含不同存储器裸片当中的电压调节电路系统基于阵列电路系统的存取活动(例如，存在存取活动)或存取活动程度(例如，相对活跃的存取、存取等于或高于阈值速率、带宽或性能标准)以及其它因素和实例进行的交叉耦合。在一些实例中，此类技术可包含基于阵列电路系统的存取活动(例如，不存在存取活动)或存取活动程度(例如，相对不频繁的存取、存取等于或低于阈值速率、带宽或性能标准)以及其它因素和实例隔离不同存储器裸片当中的电压调节电路系统。电压调节电路系统之间的动态耦合或隔离可通过堆叠式存储器装置的各个信令来支持，例如堆叠式存储器裸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：在第一半导体裸片处接收信号，所述第一半导体裸片包括电压调节器、与第二半导体裸片耦合的触点和与第一存储器阵列相关联的电路系统，所述第二半导体裸片包括与第二存储器阵列相关联的电路系统；以及至少部分地基于接收到所述信号，修改所述第一半导体裸片的所述电压调节器和与所述第二半导体裸片耦合的所述触点之间的开关组件的状态。2.根据权利要求1所述的方法，其中接收所述信号包括：在所述第一半导体裸片处从所述第二半导体裸片接收修改所述开关组件的所述状态的请求。3.根据权利要求1所述的方法，其中接收所述信号包括：在所述第一半导体裸片处从与所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片耦合的第三半导体裸片接收修改所述开关组件的所述状态的命令。4.根据权利要求1所述的方法，其中接收所述信号包括：在所述第一半导体裸片处从与包含所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片的存储器装置耦合的主机装置接收修改所述开关组件的所述状态的命令。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述信号包括操作与所述第二存储器阵列相关联的所述电路系统的条件的指示。6.根据权利要求5所述的方法，其中操作与所述第二存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件的所述指示包括带宽的指示、性能模式的指示、电力模式的指示、电压的指示、电流的指示或存取状态的指示，或其组合。7.根据权利要求1所述的方法，其中修改所述开关组件的所述状态隔离所述电压调节器和与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统。8.根据权利要求1所述的方法，其中修改所述开关组件的所述状态包括：至少部分地基于接收到所述信号，将所述开关组件的所述状态从闭路状态转变到开路状态。9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：在所述第一半导体裸片处接收第二信号；以及至少部分地基于接收到所述第二信号，将所述开关组件的所述状态从所述开路状态修改为所述闭路状态。10.一种方法，其包括：在包括与第一存储器阵列相关联的电路系统、第一电压调节器和能够用于与第二半导体裸片的第二电压调节器耦合的触点的第一半导体裸片处，识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的条件，所述第二半导体裸片包括与第二存储器阵列相关联的电路系统；以及至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件，修改与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统和能够用于与所述第二半导体裸片的所述第二电压调节器耦合的所述触点之间的开关组件的状态。11.根据权利要求10所述的方法，其中至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件而修改所述开关组件的所述状态包括：
至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件，将所述开关组件的所述状态从开路状态转变到闭路状态。12.根据权利要求10所述的方法，其中至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件而修改所述开关组件的所述状态包括：至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件，将所述开关组件的所述状态从闭路状态转变到开路状态。13.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：向所述第二半导体裸片传输信号，所述信号是修改所述第二半导体裸片的所述第二电压调节器和与所述第一半导体裸片耦合的所述第二半导体裸片的触点之间的第二开关组件的状态。14.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：接收存取所述第一存储器阵列的命令；以及至少部分地基于接收存取所述第一存储器阵列的所述命令，识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件。15.根据权利要求10所述的方法，其中识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件包括：识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的速度或带宽满足阈值。16.根据权利要求10所述的方法，其中识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述条件包括：识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的电压或电流满足阈值。17.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：在所述第一半导体裸片处识别操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的第二条件；以及至少部分地基于识别到操作与所述第一存储器阵列相关联的所述电路系统的所述第二条件，修改所述开关组件的所述状态。18.根据权利要求17所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：