显示装置和制造该显示装置的方法制造方法及图纸

提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法，所述显示装置包括：光阻挡层，设置在基底上；缓冲层，设置在光阻挡层上；半导体层，设置在缓冲层上；栅极绝缘层，设置在半导体层上；连接图案层和栅电极，设置在栅极绝缘层上，并且彼此间隔开；层间介电层，设置在连接图案层和栅电极上；过孔层，设置在层间介电层上；第一桥接层和第二桥接层，设置在过孔层上；像素电极，设置在第二桥接层上；以及发光层，设置在像素电极上。第一桥接层的一端通过连接图案层连接到光阻挡层，并且其另一端连接到半导体层。第二桥接层将半导体层与像素电极连接。二桥接层将半导体层与像素电极连接。二桥接层将半导体层与像素电极连接。

【技术实现步骤摘要】
显示装置和制造该显示装置的方法


[0001]专利技术的实施例总体上涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。

技术介绍

[0002]随着信息化社会发展，对显示装置的各种需求不断增加。例如，诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置正采用显示装置。
[0003]显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置和发光显示装置的平板显示装置。发光显示装置包括：有机发光显示装置，包括有机发光元件；无机发光显示装置，包括诸如无机半导体的无机发光元件；以及微型发光显示装置，包括超小型发光元件。
[0004]有机发光元件可以包括两个相对的电极和置于它们之间的发光层。从两个电极供应的电子和空穴在发光层中复合以产生激子，所产生的激子从激发态弛豫到基态，从而可以发射光。
[0005]包括有机发光元件的有机发光显示装置不需要诸如背光单元的单独的光源，因此，其消耗更少的电力，并且可以制造得轻且薄，以及表现出诸如宽视角、高亮度和对比度以及快的响应速度的高质量特性。因此，有机发光显示装置作为下一代显示装置而受到关注。
[0006]在该
技术介绍
部分中公开的上方信息仅用于理解专利技术构思的背景，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。

技术实现思路

[0007]本专利技术的实施例提供了一种具有更简单结构和工艺的显示装置以及制造该显示装置的方法。
[0008]专利技术构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过专利技术构思的实践来习知。/>[0009]本专利技术的实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：光阻挡层，设置在基底上；缓冲层，设置在光阻挡层上；半导体层，设置在缓冲层上；栅极绝缘层，设置在半导体层上；连接图案层和栅电极，设置在栅极绝缘层上，并且彼此间隔开；层间介电层，设置在连接图案层和栅电极上；过孔层，设置在层间介电层上；第一桥接层和第二桥接层，设置在过孔层上；像素电极，设置在第二桥接层上；发光层，设置在像素电极上；以及共电极，设置在发光层上。第一桥接层的一端通过连接图案层连接到光阻挡层，并且其另一端连接到半导体层，并且其中，第二桥接层将半导体层与像素电极连接。
[0010]连接图案层和栅电极可以设置在同一层并且包括相同的材料。
[0011]连接图案层可以通过穿透栅极绝缘层和缓冲层的第一接触孔与光阻挡层接触。
[0012]第一桥接层的一端可以通过穿透层间介电层的第二接触孔和穿透过孔层的第一通孔与连接图案层接触。
[0013]第一桥接层的另一端可以通过穿透层间介电层的第三接触孔和穿透过孔层的第
二通孔与半导体层的一部分接触。
[0014]第二桥接层可以通过穿透层间介电层的第四接触孔和穿透过孔层的第三通孔与半导体层的另一部分接触。
[0015]第一桥接层和第二桥接层可以包括金属氧化物，并且金属氧化物可以包括从由ITO、IZO、ITZO、ZnO和In2O3组成的组中选择的一种。
[0016]第一桥接层和第二桥接层可以包括多晶金属氧化物。
[0017]第一桥接层可以包括：第一电极层；第二电极层，设置在第一电极层上；第三电极层，设置在第二电极层上；以及第四电极层，设置在第三电极层上。
[0018]第一电极层、第二电极层和第四电极层可以包括金属氧化物，并且第一电极层可以包括多晶金属氧化物。
[0019]本专利技术的另一实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和垫区域；光阻挡层和下垫电极，光阻挡层设置在基底的显示区域上，下垫电极设置在基底的垫区域上；缓冲层，设置在光阻挡层和下垫电极上；半导体层，设置在缓冲层上，并且与光阻挡层叠置；栅极绝缘层，设置在半导体层上；连接图案层和栅电极，在显示区域中设置在栅极绝缘层上；上垫电极，在垫区域中设置在栅极绝缘层上并且与下垫电极叠置；层间介电层，设置在连接图案层、栅电极和上垫电极上；过孔层，设置在层间介电层上；第一桥接层和第二桥接层，在显示区域中设置在过孔层上；垫覆层，设置在垫区域上并且与上垫电极叠置；像素电极，设置在第二桥接层上；发光层，设置在像素电极上；以及共电极，设置在发光层上。第一桥接层、第二桥接层和垫覆层包括多晶金属氧化物。
[0020]上垫电极可以通过穿透缓冲层和栅极绝缘层的第一接触孔与下垫电极接触。
[0021]垫覆层可以通过穿透层间介电层的第二接触孔与上垫电极接触。
[0022]第一桥接层的一端可以通过连接图案层连接到光阻挡层，并且第一桥接层的另一端连接到半导体层。第二桥接层将半导体层与像素电极连接。
[0023]连接图案层可以通过穿透栅极绝缘层和缓冲层的第三接触孔与光阻挡层接触。
[0024]第一桥接层的一端可以通过穿透层间介电层的第四接触孔和穿透过孔层的第一通孔与连接图案层接触，并且第一桥接层的另一端可以通过穿透层间介电层的第五接触孔和穿透过孔层的第二通孔与半导体层的一部分接触。第二桥接层可以通过穿透层间介电层的第六接触孔和穿透过孔层的第三通孔与半导体层的另一部分接触。
[0025]第一桥接层、第二桥接层和垫覆层包括从由ITO、IZO、ITZO、ZnO和In2O3组成的组中选择的一种。
[0026]本专利技术的另一实施例提供了一种制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：在基底上形成光阻挡层和下垫电极；在光阻挡层和下垫电极上形成缓冲层；在缓冲层上形成与光阻挡层叠置的半导体层；在半导体层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成连接图案层、栅电极和上垫电极；在连接图案层、栅电极和上垫电极上形成层间介电层；在层间介电层上形成过孔层；在过孔层上形成第一桥接层和第二桥接层，并且形成与上垫电极叠置的垫覆层；将第一桥接层、第二桥接层和垫覆层转变为多晶相；在第二桥接层上形成像素电极；在像素电极上形成发光层；以及在发光层上形成共电极。
[0027]转变的步骤可以包括在150摄氏度至200摄氏度的温度下对其上形成有第一桥接层、第二桥接层和垫覆层的基底执行热处理。
[0028]可以经由同一掩模工艺形成连接图案层、栅电极和上垫电极。
[0029]根据专利技术构思，在显示装置中，用设置在过孔层上的第三导电层代替源/漏电极层，因此，其优点在于，半导体层可以用简单的结构和工艺连接到光阻挡层，并且可以保护垫电极。
[0030]应当理解的是，前面的一般性描述和以下的详细描述两者都是说明性和解释性的，并且旨在提供对如所要求保护的专利技术的进一步解释。
附图说明
[0031]附图示出了专利技术的说明性实施例，并且与说明书一起用于解释专利技术构思，附图被包括以提供对专利技术的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。
[0032]图1是根据本专利技术的实施例的显示装置的平面图。
[0033]图2是根据本专利技术的实施例的显示装置的剖视图。
[0034]图3是示出根据本专利技术的实施例的显示装置的第一显示基底的电路层的布局的视图。
[0035]图4是根据本专利技术的实施例的显示装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：光阻挡层，设置在基底上；缓冲层，设置在所述光阻挡层上；半导体层，设置在所述缓冲层上；栅极绝缘层，设置在所述半导体层上；连接图案层和栅电极，设置在所述栅极绝缘层上，并且彼此间隔开；层间介电层，设置在所述连接图案层和所述栅电极上；过孔层，设置在所述层间介电层上；第一桥接层和第二桥接层，设置在所述过孔层上；像素电极，设置在所述第二桥接层上；发光层，设置在所述像素电极上；以及共电极，设置在所述发光层上，其中：所述第一桥接层的第一端通过所述连接图案层连接到所述光阻挡层，并且所述第一桥接层的第二端连接到所述半导体层；并且所述第二桥接层将所述半导体层与所述像素电极连接。2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接图案层和所述栅电极设置在同一层，并且包括相同的材料。3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接图案层通过穿透所述栅极绝缘层和所述缓冲层的第一接触孔与所述光阻挡层接触。4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一桥接层的所述第一端通过穿透所述层间介电层的第二接触孔和穿透所述过孔层的第一通孔与所述连接图案层接触。5.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一桥接层的所述第二端通过穿透所述层间介电层的第三接触孔和穿透所述过孔层的第二通孔与所述半导体层的第一部分接触。6.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二桥接层通过穿透所述层间介电层的第四接触孔和穿透所述过孔层的第三通孔与所述半导体层的第二部分接触。7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一桥接层和所述第二桥接层包括金属氧化物，并且所述金属氧化物包括从由ITO、IZO、ITZO、ZnO和In2O3组成的组中选择的一种。8.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一桥接层和所述第二桥接层包括多晶金属氧化物。9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一桥接层包括：第一电极层；第二电极层，设置在所述第一电极层上；第三电极层，设置在所述第二电极层上；以及第四电极层，设置在所述第三电极层上。10.如权利要求9所述的显示装置，其中：所述第一电极层、所述第二电极层和所述第四电极层包括金属氧化物；并且所述第一电极层包括多晶金属氧化物。11.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和垫区域；光阻挡层和下垫电极，所述光阻挡层设置在所述基底的所述显示区域上，所述下垫电极设置在所述基底的所述垫区域上；缓冲层，设置在所述光阻挡层和所述下垫电极上；半导体层，设置在所述缓冲层上，并且与所述光阻挡层叠置；栅极绝缘层，设置在所述半导体层上；连接图案层和栅电极以及上垫电极，所述连接图案层和所述栅电极在所述显示区域中设置在所述栅极绝缘层上，所述上垫电极在所述垫区域中设置在所述栅极绝缘层上并且与所述下垫电极叠置；层间介电层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金璱基，尹甲洙，李在贤，崔昇夏，崔钟范，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：