等离子体处理装置制造方法及图纸

技术编号:36653154 阅读:9 留言:0更新日期:2023-02-18 13:16
根据一实施例的等离子体处理装置包括:电源供应部;等离子体电极,连接于所述电源供应部;等离子体处理部,被设置所述等离子体电极;工艺气体排出管,连接于所述等离子体处理部;以及气体方向变换部,位于所述等离子体处理部与所述工艺气体排出管之间。与所述工艺气体排出管之间。与所述工艺气体排出管之间。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置


[0001]本公开涉及等离子体处理装置以及利用其的显示装置制造方法。

技术介绍

[0002]平板显示装置包括液晶显示装置(liquid crystal display divice:LCD)、等离子体显示装置(plasma display panel:PDP)、有机发光显示装置(organic light emitting display device:OLED device)、场效应显示装置(field effect display device:FED)、电泳显示装置(electrophoretic display device)等。
[0003]这种显示装置包括包含显示图像的多个像素的显示区域以及显示区域周边的周边区域,显示装置包括位于周边区域并用于向包括在多个像素中的多个信号线传送信号的驱动部。
[0004]为了连接显示装置的多个信号线和驱动部,利用等离子体处理装置对位于多个信号线之上的绝缘层进行蚀刻而将其去除。
[0005]此时,在显示区域和周边区域之间的表面高度差即台阶大的情况下,由于向位于显示区域和周边区域的相邻部分的绝缘层不能充分地施加等离子体气体,不能完全去除绝缘层。由此,有可能不能将多个信号线和驱动部彼此连接。

技术实现思路

[0006]实施例用于提供即使在存在显示区域与显示区域周边的周边区域之间的表面台阶的情况下也能够充分地去除位于显示区域和周边区域的相邻部分处的绝缘层的等离子体处理装置以及利用其的显示装置制造方法。
[0007]但是,实施例所要解决的课题不限于上述的课题,可以在包括在实施例中的技术构思的范围中进行各种扩展。
[0008]可以是,根据一实施例的等离子体处理装置包括:电源供应部;等离子体电极,连接于所述电源供应部;等离子体处理部,被设置所述等离子体电极;工艺气体排出管,连接于所述等离子体处理部;以及气体方向变换部,位于所述等离子体处理部与所述工艺气体排出管之间。
[0009]可以是,所述气体方向变换部包括形成于内部面的槽部。
[0010]可以是,所述槽部在所述气体方向变换部的所述内部面呈螺旋形形成。
[0011]可以是,所述槽部形成为与所述气体方向变换部的所述内部面形成一定角度。
[0012]可以是,所述一定角度是30度至60度的角度。
[0013]可以是,所述槽部的深度是1mm至2mm。
[0014]所述槽部的所述螺旋形可以以等间隔配置,所述一定角度可以是45度,所述等间隔可以是10mm。
[0015]可以是,所述气体方向变换部包括喷嘴和配置成横截所述喷嘴的内部的气体方向变换过滤器。
[0016]可以是,所述气体方向变换过滤器包括多个孔。
[0017]通过所述等离子体处理部的工艺气体可以以线性流(linear flow)排出,通过所述气体方向变换部的所述工艺气体可以以涡流(turbulent flow)排出。
[0018]可以是,根据一实施例的显示装置的制造方法包括:形成包括第一基板、与所述第一基板相对的第二基板、位于所述第一基板与所述第二基板之间的发光层、位于所述第一基板的焊盘部、位于所述焊盘部之上的薄膜封装层的显示面板的步骤;利用等离子体处理装置,去除位于所述焊盘部之上的所述薄膜封装层的步骤;以及在去除所述薄膜封装层而漏出的所述焊盘部之上附着安装有集成电路芯片的柔性电路基板的步骤。
[0019]所述显示面板可以还包括位于所述发光层与所述第二基板之间的颜色变换层,所述显示面板可以包括:显示区域,包括所述发光层和所述颜色变换层;驱动部区域,设置所述焊盘部;以及阻断区域,位于所述显示区域与所述驱动部区域之间,所述薄膜封装层可以包括第一无机封装层、第二无机封装层、位于所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层,可以是,所述有机封装层位于所述显示区域,所述第一无机封装层和所述第二无机封装层位于所述显示区域和所述阻断区域,去除所述薄膜封装层的步骤可以去除位于所述驱动部区域的所述第一无机封装层和所述第二无机封装层。
[0020]可以是,去除所述薄膜封装层的步骤利用从所述等离子体处理装置以涡流排出的工艺气体。
[0021]所述等离子体处理装置可以包括:电源供应部;等离子体电极,连接于所述电源供应部;等离子体处理部,被设置所述等离子体电极;工艺气体排出管,连接于所述等离子体处理部;以及气体方向变换部,位于所述等离子体处理部与所述工艺气体排出管之间,去除所述薄膜封装层的步骤可以利用通过所述气体方向变换部的所述工艺气体。
[0022]所述气体方向变换部可以包括形成于内部面的槽部,所述槽部可以在所述气体方向变换部的所述内部面呈螺旋形形成,去除所述薄膜封装层的步骤可以利用通过所述螺旋形的所述槽部的所述工艺气体。
[0023]所述气体方向变换部可以包括喷嘴和配置成横截所述喷嘴的内部的气体方向变换过滤器,去除所述薄膜封装层的步骤可以利用通过所述气体方向变换过滤器的所述工艺气体。
[0024]所述气体方向变换过滤器可以包括多个孔,去除所述薄膜封装层的步骤可以利用通过所述多个孔的所述工艺气体。
[0025]可以是,向所述驱动部区域中的与所述显示区域相邻的区域供应的所述工艺气体的流量与向所述驱动部区域的剩余区域供应的所述工艺气体的流量几乎相同。
[0026]可以是,去除所述驱动部区域中的与所述显示区域隔开约100μm的位置处的所述薄膜封装层的步骤的蚀刻速度与去除所述驱动部区域中的与所述显示区域隔开约500μm以上的位置处的所述薄膜封装层的步骤的所述蚀刻速度几乎相同。
[0027]根据实施例,即使在存在显示区域和显示区域周边的周边区域之间的表面台阶的情况下,也能够充分地去除位于显示区域和周边区域的相邻部分的绝缘层。
[0028]但是,实施例的效果不限于上述的效果,显而易见可以在不脱离本专利技术的构思以及领域的范围中进行各种扩展。
附图说明
[0029]图1是概要示出根据一实施例的显示装置的平面图。
[0030]图2是根据一实施例的显示装置的截面图。
[0031]图3至图5是示出根据一实施例的显示装置的制造方法的截面图。
[0032]图6是根据一实施例的等离子体处理装置的简要图。
[0033]图7是根据一实施例的等离子体处理装置的气体方向变换部的截面图。
[0034]图8是根据一实施例的等离子体处理装置的气体方向变换部的截面图。
[0035]图9是根据一实施例的等离子体处理装置的气体方向变换过滤器的平面图。
[0036]图10以及图11是示出向台阶部供应的气体的供应方向和供应量的曲线图。
[0037]图12以及图13是示出基于位置的蚀刻速度的曲线图。
[0038](附图标记说明)
[0039]1000:显示面板
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2000:颜色变换面板
[0040]110、210:基板...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置,其中,包括:电源供应部;等离子体电极,连接于所述电源供应部;等离子体处理部,被设置所述等离子体电极;工艺气体排出管,连接于所述等离子体处理部;以及气体方向变换部,位于所述等离子体处理部与所述工艺气体排出管之间。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其中,所述气体方向变换部包括形成于内部面的槽部,所述槽部在所述气体方向变换部的所述内部面呈螺旋形形成。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置,其中,所述槽部形成为与所述气体方向变换部的所述内部面形成一定角度。4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置,其中,所述一定角度是30度至60度的角...

【专利技术属性】
技术研发人员:金秀燕梁熙俊尹昇好丁世勋
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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