充电电路、耳机及耳机充电盒制造技术

本申请提供一种充电电路、耳机及耳机充电盒，涉及无线耳机技术领域，所述充电电路包括：输入端口、充电端口、保护模块、PMOS、稳压二极管和分压电阻；保护模块的输入端与输入端口连接，保护模块的输出端与PMOS的第一端连接，PMOS的第二端与充电端口连接；分压电阻的第一端与PMOS的第一端连接，分压电阻的第二端与PMOS的控制端连接，稳压二极管的第一端与地电位连接，稳压二极管的第二端与分压电阻的第二端连接。本申请所提供的技术方案，可以通过分压电阻两端的电压控制PMOS的导通或关断，控制对无线耳机的充电。当PMOS导通时，PMOS引起的电压下降较低，可以提高充电端口处的电位，从而可以减小无线电路进行充电所花费时间，可以提高对无线耳机进行充电的效率。提高对无线耳机进行充电的效率。提高对无线耳机进行充电的效率。

【技术实现步骤摘要】
充电电路、耳机及耳机充电盒


[0001]本申请涉及无线耳机
，尤其涉及一种充电电路、耳机及耳机充电盒。

技术介绍

[0002]随着终端设备的不断发展，与终端设备配套的耳机也不断升级，耳机从有线耳机向更加方便携带的无线耳机发展。
[0003]相关技术中，在对无线耳机进行充电的过程中，无线耳机位于耳机充电盒内，耳机充电盒的充电端口与无线耳机的输入端口相连接，通过无线耳机的充电电路为耳机进行充电。其中，无线耳机的充电电路中通常设置有二极管，串联连接在充电端口与电池之间，当二极管导通时为电池充电。
[0004]但是，二极管在导通时会出现部分压降，影响无线耳机的充电效率。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请实施例提出了一种充电电路、耳机及耳机充电盒，以解决相关技术中二极管在导通时会出现部分压降，影响无线耳机的充电效率的问题。
[0006]为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供一种充电电路，所述充电电路包括：输入端口、充电端口、保护模块、P沟道金属
‑
氧化物
‑
半导体型场效应管PMOS、稳压二极管和分压电阻；
[0007]所述保护模块的输入端与所述输入端口连接，所述保护模块的输出端与所述PMOS的第一端连接，所述PMOS的第二端与所述充电端口连接；
[0008]所述分压电阻的第一端与所述PMOS的第一端连接，所述分压电阻的第二端与所述PMOS的控制端连接，所述稳压二极管的第一端与地电位连接，所述稳压二极管的第二端与所述分压电阻的第二端连接；
[0009]当所述输入端口输出第一电压时，所述PMOS关断，停止为无线耳机充电；
[0010]当所述输入端口输出第二电压时，所述PMOS导通，通过所述充电端口为所述无线耳机充电，所述第二电压高于所述第一电压。
[0011]可选的，所述保护模块包括：磁珠，用于抑制所述充电电路中的干扰信号；
[0012]所述磁珠的第一端与所述输入端口连接，所述磁珠的第二端与所述PMOS的第一端连接。
[0013]可选的，所述保护模块还包括：保险丝，所述保险丝串联连接在所述磁珠和所述PMOS之间。
[0014]可选的，所述保护模块还包括：静电保护器件；
[0015]所述静电保护器件的第一端与所述输入端口连接，所述静电保护器件的第二端与所述地电位连接。
[0016]可选的，所述充电电路还包括：通信端口，所述通信端口与所述PMOS的第一端连接。
[0017]可选的，所述充电电路还包括：第一保护电阻；
[0018]所述第一保护电阻串联连接在所述保护模块和所述通信端口之间。
[0019]可选的，所述充电电路还包括：输出端口，所述输出端口与所述地电位连接。
[0020]可选的，所述充电电路还包括：第二保护电阻；
[0021]所述第二保护电阻串联连接在所述输出端口和所述地电位之间。
[0022]第二方面，本申请实施例提供一种耳机，所述耳机包括如第一方面中任一所述的充电电路。
[0023]第三方面，本申请实施例提供一种耳机充电盒，所述耳机充电盒包括如第一方面中任一所述的充电电路。
[0024]本申请实施例提供的一种充电电路，通过在充电电路中设置PMOS、稳压二极管和分压电阻，将输入端口、保护模块、PMOS和充电端口串联连接，并将分压电阻连接在PMOS的控制端和第一端之间，再结合与PMOS的控制端相连接的稳压二极管，可以通过分压电阻两端的电压控制PMOS的导通或关断，控制对无线耳机的充电。当PMOS导通时，PMOS引起的电压下降较低，可以提高充电端口处的电位，从而可以减小无线电路进行充电所花费时间，可以提高对无线耳机进行充电的效率。
附图说明
[0025]图1为一种充电电路的电路结构图；
[0026]图2为本申请实施例提供的一种充电电路所涉及的电路结构图；
[0027]图3为本申请实施例提供的另一种充电电路所涉及的电路结构图；
[0028]图4为本申请实施例提供的又一种充电电路所涉及的电路结构图；
[0029]图5为本申请实施例提供的又一种充电电路所涉及的电路结构图。
具体实施方式
[0030]下面以具体地实施例对本申请的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
[0031]随着终端设备的不断发展，与终端设备搭配使用的耳机也逐渐从有线耳机演变为无线耳机。与有线耳机不同的是，无线耳机需要通过预先设置的电池提供电能，以确保无线耳机正常工作。
[0032]相应的，在无线耳机的电量不足的情况下，需要通过耳机充电盒对无线耳机进行充电。而在充电过程中，耳机充电盒的充电端口，可以与无线耳机的输入端口相接触，并通过无线耳机中的充电电路为无线耳机的电池进行充电。
[0033]参见图1，图1为一种充电电路的电路结构图，如图1所示，该充电电路包括：输入端口110、保护模块120、二极管130和充电端口140。
[0034]其中，输入端口110可以与耳机充电盒的充电端口相连接，充电端口140可以与无线耳机的电池相连接，从而通过耳机充电盒提供的电量为无线耳机的电池充电。
[0035]在充电过程中，无线耳机位于耳机充电盒中，输入端口110可以与耳机充电盒的充电端口相连接。输入端口110可以输出耳机充电盒所提供的电压电流，由于输入端口110所输出的电压大于二极管130的导通电压(0.38伏特(V))，则二极管130导通，电流流经保护模
块120和二极管130，通过充电端口140为无线耳机的电池充电。
[0036]但是，二极管130在导通时，会引起输入端口110输出的电压降低，使得充电端口140处的电压与电池之间的电压差值降低，从而影响对电池的充电效率。
[0037]因此，本申请实施例提出一种充电电路，通过设置P沟道金属
‑
氧化物
‑
半导体型场效应管(metal
‑
oxide
‑
semiconductor field
‑
effect transistor,MOSFET)(下述简称为PMOS)、分压电阻和稳压二极管，可以通过PMOS的导通或关断，控制对无线耳机的充电。而PMOS在导通时引起的电压降为0.05V，远低于二极管所引起的0.38V的电压降，从而可以降低二极管所引起的电压降，提高充电端口处的电位，进而可以提高无线耳机的充电效率。
[0038]参见图2，图2为本申请实施例提供的一种充电电路所涉及的电路结构图，该充电电路中可以包括：输入端口210、充电端口220、保护模块230、PMOS240、稳压二极管250和分压电阻260。
[0039]其中，保护模块230的输入端与输入端口210连接，保护模块230的输出端230与PMOS240的第一端连接，PM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种充电电路，其特征在于，所述充电电路包括：输入端口、充电端口、保护模块、P沟道金属
‑
氧化物
‑
半导体型场效应管PMOS、稳压二极管和分压电阻；所述保护模块的输入端与所述输入端口连接，所述保护模块的输出端与所述PMOS的第一端连接，所述PMOS的第二端与所述充电端口连接；所述分压电阻的第一端与所述PMOS的第一端连接，所述分压电阻的第二端与所述PMOS的控制端连接，所述稳压二极管的第一端与地电位连接，所述稳压二极管的第二端与所述分压电阻的第二端连接；当所述输入端口输出第一电压时，所述PMOS关断，停止为无线耳机充电；当所述输入端口输出第二电压时，所述PMOS导通，通过所述充电端口为所述无线耳机充电，所述第二电压高于所述第一电压。2.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述保护模块包括：磁珠，用于抑制所述充电电路中的干扰信号；所述磁珠的第一端与所述输入端口连接，所述磁珠的第二端与所述PMOS的第一端连接。3.根据权利要求2所述的充电电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭世文，吴海全，廖旭明，杨卉，谢光河，
申请(专利权)人：深圳市冠旭电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：