用于沉积应用的高温面板制造技术

本公开的实施例涉及用于处理腔室的面板。在一个示例中，面板包括主体，主体具有穿过主体形成的多个孔。加热组件设置在主体内，并且加热组件环绕多个孔。支撑环设置在主体中。支撑环环绕加热组件。支撑环包括主要体和从主要体径向向内延伸的悬臂。悬臂接触面板的主体。悬臂接触面板的主体。悬臂接触面板的主体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于沉积应用的高温面板


[0001]本公开的实施例大致上涉及一种在基板处理腔室中使用的经加热的面板。

技术介绍

[0002]在集成电路的制造中，诸如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)的沉积处理用于在半导体基板上方沉积各种材料的薄膜。在其他操作中，以重复方式使用层改变处理(诸如蚀刻)，来制造诸如半导体期间的电子组件的各种层。
[0003]当组装集成电路时，可期望制造无缺陷的半导体组件，并且随着对改进的装置的需求不断增加，对用于制造这种装置的改进方法和设备的需求也不断增加。在新处理中使用的化学物质(诸如前驱物气体)不断需要增强的处理控制(诸如温度控制)，以将这种处理执行到预定规格。因此，本领域需要能够为装置制造和处理提供增强的温度控制的处理腔室部件。

技术实现思路

[0004]在一个实施例中，一种用于处理腔室的面板包括：主体，主体具有穿过主体形成的多个孔；加热组件，加热组件设置在主体内，加热组件环绕多个孔；以及支撑环，支撑环设置在主体中，支撑环环绕加热组件，支撑环包括主要体和从主要体径向向内延伸的悬臂，悬臂接触面板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理腔室的面板，包括：主体，所述主体具有穿过所述主体形成的多个孔；加热组件，所述加热组件设置在所述主体内，所述加热组件环绕所述多个孔；以及支撑环，所述支撑环设置在所述主体中，所述支撑环环绕所述加热组件，所述支撑环包括主要体和从所述主要体径向向内延伸的悬臂，所述悬臂接触所述面板的所述主体。2.如权利要求1所述的面板，其中所述主体包括铝，并且所述支撑环包括铝、氧化铝、氮化铝、氧化硅、氮化硅、或不锈钢。3.如权利要求1所述的面板，进一步其中在所述悬臂的径向向内表面与所述面板的所述主体之间形成间隙。4.如权利要求1所述的面板，进一步其中在所述悬臂的下表面与所述面板的所述主体之间形成间隙。5.如权利要求1所述的面板，进一步其中在所述支撑环的所述主要体的径向向内表面与所述面板的所述主体之间形成第一间隙，并且在所述主体的上表面与所述面板的所述主体之间形成第二间隙。6.如权利要求5所述的面板，其中所述第一间隙和所述第二间隙各自在约0.1mm至5mm的范围内。7.如权利要求1所述的面板，其中所述悬臂的厚度在约8mm至20mm的范围内。8.如权利要求1所述的面板，其中所述主体包括各自从所述主体的外表面向外延伸的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部和所述第二延伸部一起限定用于接收所述支撑环的凹陷。9.如权利要求8所述的面板，所述第一延伸部和所述第二延伸部中的每一者在其径向向外边缘处相比于在其径向向内边缘处具有更大的厚度。10.如权利要求9所述的面板，其中所述第一延伸部和所述第二延伸部中的每一者的所述径向向外边缘接触所述支撑环，并且所述第一支撑环和所述第二支撑环中的每一者的所述径向向内边缘与所述支撑环间隔开。11.一种用于处理腔室的面板，包括：主体，所述主体具有穿过所述主体形成的多个孔，所述主体包括各自从所述主体的外表面向外延伸的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部和所述第二延伸部一起限定凹陷，所述第一延伸部和所述第二延伸部中的每一者在其...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：