【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过处理腔室壁内的透明晶体和透明基板进行薄膜原位测量
[0001]本公开内容的实施方式涉及通过处理腔室壁内的透明晶体和透明基板进行薄膜原位测量。
技术介绍
[0002]处理腔室表面的变化会影响各种处理参数。例如，蚀刻副产物在腔室壁上的再沉积，可能会改变已知的处理的蚀刻速率。因此，当基板在腔室中被处理时，蚀刻速率(或其他处理参数或状态)可能改变并导致基板之间的不均匀处理。
[0003]目前没有可靠的方法来监测处理腔室内的表面状况，包括衬垫(或内壁)、盖子、静电卡盘(ESC)、处理环等的表面。例如，处理腔室的衬垫的化学、物理、及热条件，已知可通过影响衬垫附近脱气的复合，来影响等离子体处理。多种监测方法已在研发中，例如电容或谐振频率监测，但这些方法，尤其是在处理期间，会受到热或无线电噪声的影响。
[0004]此外，由于缺乏处理中信息，尤其是随着处理设备老化，基板处理会出现低效和/或不准确的情况。例如，在处理腔室中的处理随着时间推移而发生变化之后，处理有时会导致沉积量(例如，沉积厚度)的变化或沉积组成的变化，这两者都...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种系统，包括：透明晶体，其中至少部分的所述透明晶体嵌入处理腔室的壁及衬垫内，所述透明晶体具有近端和远端，所述远端具有远端表面，所述远端表面暴露于所述处理腔室的内部；透明薄膜，所述透明薄膜沉积在所述透明晶体的所述远端表面上，所述透明薄膜的化学性质与所述衬垫的化学性质大致匹配；光谱仪；和光耦合装置，耦合至所述光谱仪，所述光耦合装置用于：将来自光源的光透射穿过所述透明晶体的所述近端；和将从所述远端表面、所述透明薄膜的表面、及沉积在所述透明薄膜上的处理膜层的表面的组合反射回来的所接收的光，聚焦进入光谱仪；和其中，所述光谱仪用于检测所述经聚焦的光内代表所述处理膜层的第一光谱。2.如权利要求1所述的系统，其中所述透明薄膜包括氧化钇、氧化铝、或氧化锆中的一者并且具有已知厚度。3.如权利要求1所述的系统，其中所述透明晶体是蓝宝石插塞、金刚石插塞、石英插塞、或碳化硅插塞中的一者。4.如权利要求1所述的系统，其中所述透明晶体的所述远端表面相对于所述衬垫形成一个角度，所述角度在0.8度与1.8度之间。5.如权利要求1所述的系统，进一步包括耦接至所述光谱仪的处理装置，所述处理装置用于：从所述光谱仪接收所述第一光谱；当所述光源关闭时，从所述光谱仪接收第二光谱；通过从所述第一光谱中减去所述第二光谱来计算反射计数据；通过将所述反射计数据除以参考光谱来计算反射计信号；和将所述反射计信号拟合至薄膜光学模型，以确定包括所述处理膜层的一个或多个光学膜性质的信息。6.如权利要求5所述的系统，其中所述一个或多个光学膜性质包括厚度，并且其中，在进行处理所述处理腔室内的基板期间，所述处理装置进一步用于：将所述厚度与所述处理膜层的基线测量值进行比较；利用所述比较，来确定超出阈值变化的所述处理膜层的沉积速率的变化；和触发所述处理腔室内的处理，以校正所述处理膜层的所述沉积速率。7.如权利要求5所述的系统，其中所述一个或多个光学膜性质包括厚度，并且其中，在进行处理所述处理腔室内的基板之后，所述处理装置进一步用于：检测所述透明薄膜上的所述处理膜层被去除了预定阈值厚度以内的时刻；和响应于所述检测步骤，触发所述处理装置以结束在所述处理腔室内的清洁处理。8.如权利要求5所述的系统，其中所述一个或多个光学膜性质包括厚度，并且其中，在进行处理所述处理腔室内的基板期间，所述处理装置进一步用于：检测当所述处理膜层在所述透明薄膜上已达到厚度的阈值水平的时刻；和触发正在沉积所述处理膜层的沉积处理的结束。9.一种处理腔室，包括：
壁，限定所述处理腔室的内部；衬垫，附着在所述壁的内侧表面；透明晶体，其中至少部分的所述透明晶体嵌入所述壁和所述衬垫内，所述透明晶体具有近端和远端，所述远端具有与所述壁的所述内侧表面大致齐平的远端表面；和透明薄膜，所述透明薄膜沉积在所述透明晶体的所述远端表面上，所述透明薄膜的化学性质与所述衬垫的化学性质大致匹配；其中，来自所述壁外的光将穿过所述透明晶体，并从所述远端表面反射，并从所述透明薄膜的表面反射回来穿过所述透明晶体的所述近端。10.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述透明薄膜包括氧化钇、氧化铝、或氧化锆中的一者并且具有已知厚度。11.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述透明晶体是蓝宝石插塞、金刚石插塞、石英插塞、或碳化硅插塞中的...
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