磁性随机存储器及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种磁性随机存储器及装置，所述磁性随机存储器包括：种子层，具有第一晶向；自旋轨道矩配线层，设于所述种子层上，所述自旋轨道矩配线层的晶格结构受到所述种子层的作用而具有第二晶向，当向自旋轨道矩配线层输入自旋轨道矩电流时，所述自旋轨道矩配线层形成面外方向的类阻尼矩；磁隧道结，设于所述自旋轨道矩配线层上，本发明专利技术可使自旋轨道矩配线层具有面外方向类阻尼矩的自旋轨道矩，且具有较大的电流

【技术实现步骤摘要】
磁性随机存储器及装置


[0001]本专利技术涉及磁性存储器
，尤其涉及一种磁性随机存储器、装置及读写控制方法。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺尺寸的不断缩小，摩尔定律放缓，漏电流的增加和互联延迟成为传统CMOS存储器的瓶颈。寻找新一代存储技术的解决方案成为集成电路研究的重点，其中磁性随机存储单元器受到广泛关注。相对比传统器件，磁性随机存储器(Magnetic random access memory，MRAM)具有无限擦写次数、非易失性、读写速度快和抗辐照等优点，有望成为通用存储器，是构建下一代非易失存储器以及存内计算的理想器件。
[0003]基于自旋转移矩(Spin Transfer Torque，STT)实现信息写入的磁随机存储器MRAM具有高集成度、非易失以及与CMOS工艺兼容等特点，在嵌入式存储器及计算机末级缓存等领域具有独特的优势，尤其是基于垂直磁各向异性(Perpendicular Magnetic Anisotropy,PMA)的磁随机存储器具有集成度更高、功耗更低的优势。其基本单元磁隧道结(Magnetic 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁性随机存储器，其特征在于，包括：种子层，具有第一晶向；自旋轨道矩配线层，设于所述种子层上，所述自旋轨道矩配线层的晶格结构受到所述种子层的作用而具有第二晶向，当向自旋轨道矩配线层输入自旋轨道矩电流时，所述自旋轨道矩配线层形成面外方向的类阻尼矩；磁隧道结，设于所述自旋轨道矩配线层上。2.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述面外方向的类阻尼矩为垂直于自旋轨道矩配线层平面的类阻尼矩。3.根据权利要求1所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述磁隧道结包括自由层、设于所述自由层上的绝缘层以及设于所述绝缘层上的参考层。4.根据权利要求3所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述参考层为铁磁层，当向自旋轨道矩配线层输入自旋轨道矩电流时，所述铁磁层的磁矩翻转为与所述自旋轨道矩电流对应的磁矩方向。5.根据权利要求3所述的磁性随机存储器，其特征在于，所述铁磁层的材料包括Cr、Mn、Co、Fe、Ni、以上至少两种金属形成的合金以及以上至少一种金属和B、C及N的至少一种形成的合金中的一种。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵巍胜，蔡文龙，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：