【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种方法,包括:在硅晶片上形成材料层,所述硅晶片具有包括至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化,所述材料层具有包括分别与所述晶片的厚的区域和薄的区域相对应的至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化;以及在所述材料层中形成至少一个窄的区域和至少一个宽的区域,所述窄的区域和宽的区域分别对应于所述晶片的厚的区域和薄的区域。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:西奥多多罗什,克里什纳塞莎恩,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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