低温磁场探针台导冷结构、探针台及温度控制方法技术

本发明专利技术提供了一种低温磁场探针台的导冷结构、低温磁场探针台，通过将样品台组件、电磁铁组件与不同的冷头导冷连接，减少样品台组件、电磁铁组件之间的温度传导，避免二者在温度上的同步变化，使样品台组件、电磁铁组件的温度可以分别调节，便于进行样品台组件、电磁铁组件的温度调节和控制。本发明专利技术还提供了低温磁场探针台的温度控制方法，实现待测样品温度的快速和高精度控制。的快速和高精度控制。的快速和高精度控制。

【技术实现步骤摘要】
低温磁场探针台导冷结构、探针台及温度控制方法


[0001]本专利技术属于物理及半导体测试
，涉及一种探针台，具体地，涉及一种低温磁场探针台导冷结构、低温磁场探针台温度控制方法及低温磁场探针台探针台。

技术介绍

[0002]探针台测试设备是一种应用广泛的非破坏性测试手段，可用于物理及半导体领域的测试，具体地，可用于测试材料样品或器件的电学特性、光电特性、高频特性等方面的性能，在物理及半导体领域中的应用十分丰富。在此基础上，磁场探针台测试系统进一步提供了磁场环境，使得探针台测试设备可以进一步研究被测材料或器件在磁场下的性能表现及特性，其典型应用包括磁学、自旋电子学、半导体物理与器件、量子器件等。
[0003]现在低温工程学中，将低温分成4个温区：制冷：室温
‑
120K；低温：120K
‑
4.2k；超低温：4.2K
‑
0.1K；极低温：0.1K
‑
0K。在实际使用过程中，由于部分被测材料或器件的最终产品的使用环境为低温环境，需要测试被测材料或器件在低温状态下的性能表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温磁场探针台导冷结构，其特征在于：包括电磁铁组件、样品台组件、冷腔、冷头，所述电磁铁组件、样品台组件设置于所述冷腔的腔体内部，所述冷头设置有两个，所述冷头的其中之一与所述样品台组件导冷连接，所述冷头的其中另一与所述电磁铁组件导冷连接。2.如权利要求1所述的一种低温磁场探针台导冷结构，其特征在于：所述导冷结构还包括外腔，所述冷腔设置于所述外腔的腔体内部。3.如权利要求2所述的一种低温磁场探针台导冷结构，其特征在于：所述外腔内部为真空；所述冷腔内部为真空。4.如权利要求3所述的一种低温磁场探针台导冷结构，其特征在于：所述冷头包括第一冷头、第二冷头，所述冷腔包括第一冷腔、第二冷腔，所述第一冷头容纳于所述第一冷腔，所述第二冷头容纳于所述第二冷腔，所述电磁铁组件、样品台组件位于所述第一冷腔内部，所述第二冷腔与第一冷腔之间通过冷腔连接管连通，所述第一冷头通过第一导冷链与所述电磁铁组件导冷连接，所述第二冷头通过第二导冷链与所述样品台组件导冷连接，所述第二导冷链穿过所述冷腔连接管；所述外腔包括第一外腔、第二外腔，所述第一冷腔设置于所述第一外腔的腔体内部，所述第二冷腔设置于所述第二外腔的腔体内部；所述第一外腔与所述第二外腔通过外腔连接管连通，所述冷腔连接管设置于所述外腔连接管内。5.如权利要求4所述的一种低温磁场探针台导冷结构，其特征在于：所述第一冷腔设置有中间冷屏，所述中间冷屏将所述第一冷腔分隔为上冷腔、下冷腔，所述电磁铁组件、样品台组件设置于所述上冷腔；所述第一冷头设置于所述下冷腔，所述中间冷屏设置有通孔，所述第一导冷链穿过所述通孔。6.如权利要求2所述的一种低温磁场探针台导冷结构，其特征在于：所述冷腔与外腔之间设置有外冷头。7.如权利要求1所述的一种低温磁场探针台导冷结...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡旭东，曹志强，张学莹，王麟，付大鹏，
申请(专利权)人：致真精密仪器杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：