本发明专利技术涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括第一气体处理工序、疏水处理工序以及散布工序。在第一气体处理工序中，在腔室(3)的内部经减压的状态(D)下，将第一气体(G1)供给至腔室(3)内的基板(W)。第一气体(G1)包含有机溶剂的气体。疏水处理工序是在第一气体处理工序之后执行。在疏水处理工序中，腔室(3)的内部处于经减压的状态(D)，将疏水剂(H)供给至腔室(3)内的基板(W)。散布工序是在疏水处理工序之后执行。在散布工序中，腔室(3)的内部处于经减压的状态(D)，将第一液(L1)散布至腔室(3)内的基板(W)。第一液(L1)包含有机溶剂的液体。含有机溶剂的液体。含有机溶剂的液体。
【技术实现步骤摘要】
基板处理方法以及基板处理装置
[0001]本专利技术涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。基板例如是半导体晶片、液晶显示器用基板、有机电致发光(Electroluminescence，EL)用基板、平板显示器(Flat Panel Display，FPD)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、太阳能电池用基板。
技术介绍
[0002]日本专利特开2018
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56155公报公开了一种对收容在腔室内的基板进行处理的基板处理方法。基板处理方法具有第一工序、第二工序及第三工序。第一工序中，在腔室的内部经减压的状态(decompressed state)下，将异丙醇的蒸气供给至基板。第二工序中，在腔室的内部经减压的状态下，将疏水剂供给至基板。疏水剂使基板的表面疏水化。第三工序中，在腔室的内部经减压的状态下，将异丙醇的蒸气供给至基板。第三工序中，在基板上，疏水剂被置换为异丙醇。
技术实现思路
[0003][专利技术所要解决的问题][0004]以往的基板处理方法中，有时会有大量的颗粒附着于基板。基板上的颗粒会使基板的洁净度下降。基板上的颗粒会使基板的处理品质下降。
[0005]本专利技术是有鉴于此种状况而完成，其目的在于提供一种能够降低基板上的颗粒的基板处理方法以及基板处理装置。
[0006][解决问题的技术手段][0007]本专利技术人等为了解决所述问题进行了专心研究，结果获得如下所述的见解。以往的基板处理方法的第二工序中，疏水剂与基板以及基板上的异丙醇接触。因此，有时会在基板上生成颗粒。而且，疏水剂的未反应成分仍残留在基板上，所述未反应成分有时会成为残留的颗粒。以往的基板处理方法的第三工序中，对基板供给的异丙醇为气相。因而，第三工序中，基板所接受的异丙醇的量。例如，第三工序中，基板所接受的异丙醇的质量少。由于基板所接受的异丙醇的量少，因此基板上的颗粒有时无法被适当去除。其结果，有时会有大量的颗粒残留在基板上。
[0008]因此，本专利技术人等研讨了变更第三工序。在经变更的第三工序中，置换向基板供给异丙醇蒸气的做法，而是将基板浸渍于贮存在处理槽的异丙醇液体中。根据经变更的第三工序，基板上的颗粒有可能会被较佳地去除。
[0009]但是，本专利技术人等发现，经变更的第三工序存在新的问题。具体而言，在腔室的内部经减压的状态下，难以执行经变更的第三工序。在腔室的内部经减压的状态下，难以准备贮存有异丙醇的处理槽。
[0010]本专利技术是基于这些见解，通过进一步专心研讨而获得，采用如下所述的结构。即，本专利技术是一种基板处理方法，一次处理收容在一个腔室内的多个基板，所述基板处理方法
包括：第一气体处理工序，在所述腔室的内部经减压的状态下，将包含有机溶剂的气体的第一气体供给至所述腔室内的所述基板；疏水处理工序，在所述第一气体处理工序之后，在所述腔室的内部经减压的状态下，对所述腔室内的所述基板供给疏水剂；以及散布工序，在所述疏水处理工序之后，在所述腔室的内部经减压的状态下，向所述腔室内的所述基板散布包含有机溶剂的液体的第一液。
[0011]基板处理方法是一次处理收容在一个腔室的多个基板。基板处理方法包括第一气体处理工序、疏水处理工序以及散布工序。第一气体处理工序、疏水处理工序与散布工序是依此顺序来执行。在第一气体处理工序、疏水处理工序以及散布工序中，腔室的内部处于经减压的状态。在第一气体处理工序中，将第一气体供给至腔室内的基板。第一气体包含有机溶剂的气体。基板接受第一气体的有机溶剂。第一气体中的有机溶剂的气体在基板的表面结露，在基板的表面变为有机溶剂的液体。在疏水处理工序中，将疏水剂供给至腔室内的基板。基板接受疏水剂。疏水剂使基板的表面疏水化。在疏水处理工序中，疏水剂与基板以及基板上的有机溶剂接触。因此，在基板上，有时会生成颗粒。在散布工序中，将第一液散布至腔室内的基板。在腔室的内部经减压的状态下，将第一液散布至基板也容易。第一液包含有机溶剂的液体。基板接受第一液。由于第一液为液体，因此基板在散布工序中接受的第一液的量相对较大。例如，基板在散布工序中接受的第一液的质量相对较大。因而，在散布工序中，第一液较佳地去除基板上的颗粒。因此，基板上的颗粒的量较佳地降低。其结果，基板的洁净度较佳地提高。基板的处理品质较佳地提高。
[0012]如上所述，基板处理方法能够较佳地降低基板上的颗粒。
[0013]所述的基板处理方法中，优选的是，所述散布工序散布所述第一液的液滴以及所述第一液的液雾中的至少任一种。在散布工序中，第一液被效率良好地供给至基板。
[0014]所述的基板处理方法中，优选的是，所述散布工序是通过喷淋头喷嘴以及双流体喷嘴中的至少任一种来散布所述第一液。在散布工序中，第一液被效率良好地供给至基板。
[0015]所述的基板处理方法中，优选的是，在所述散布工序中，进而在所述腔室内使所述基板上下移动或摆动。在散布工序中，第一液更均匀地附着于整个基板。
[0016]所述的基板处理方法中，优选的是，所述散布工序包含第一散布工序与第二散布工序中的至少任一种，所述第一散布工序是散布已被稀释为所述第一液的有机溶剂，所述第二散布工序是散布未被稀释为所述第一液的有机溶剂。第一散布工序中，第一液是被稀释的有机溶剂。因此，在第一散布工序中使用的有机溶剂的量较佳地降低。第二散布工序中，第一液是未被稀释的有机溶剂。因此，第二散布工序中，第一液的表面张力小。因而，在第二散布工序中，第一液不会对基板造成有意的力。其结果，在第二散布工序中，基板较佳地得到保护。
[0017]所述的基板处理方法中，优选的是还包括：第二气体处理工序，在所述疏水处理工序之后，在所述腔室的内部经减压的状态下，将包含有机溶剂的气体的第二气体供给至所述腔室内的所述基板。在第二气体处理工序中，整个基板被曝露于第二气体。第二气体包含有机溶剂的气体。因此，在第二气体处理工序中，来源于第二气体的有机溶剂快速地附着于整个基板。在第二气体处理工序中，来源于第二气体的有机溶剂均匀地附着于整个基板。因而，在第二气体处理工序中，遍及整个基板的基板洁净度的均匀性提高。
[0018]所述的基板处理方法中，优选的是，在所述散布工序中供给的所述第一液的量比
在所述第二气体处理工序中供给的所述第二气体的量大。在散布工序中，基板所接受的第一液的量更大。因而，在散布工序中，第一液更适当地去除基板上的颗粒。
[0019]所述的基板处理方法中，优选的是，执行所述散布工序的时间比执行所述第二气体处理工序的时间长。在散布工序中，基板所接受的第一液的量更大。因而，在散布工序中，基板上的颗粒被更佳地去除。
[0020]所述的基板处理方法中，优选的是还包括：第一浸渍工序，在所述第一气体处理工序之前，将所述基板浸渍到贮存于处理槽内的第二液中，所述处理槽被设置在所述腔室内，在所述第一气体处理工序、所述疏水处理工序与所述散布工序中，所述基板位于所述处理槽的上方。基板处理方法包括第一浸渍工序。在第一浸渍工序中，处理槽贮本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，一次处理收容在一个腔室内的多个基板，所述基板处理方法包括：第一气体处理工序，在所述腔室的内部经减压的状态下，将包含有机溶剂的气体的第一气体供给至所述腔室内的所述基板；疏水处理工序，在所述第一气体处理工序之后，在所述腔室的内部经减压的状态下，对所述腔室内的所述基板供给疏水剂；以及散布工序，在所述疏水处理工序之后，在所述腔室的内部经减压的状态下，向所述腔室内的所述基板散布包含有机溶剂的液体的第一液。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中所述散布工序散布所述第一液的液滴以及所述第一液的液雾中的至少任一种。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中所述散布工序是通过喷淋头喷嘴以及双流体喷嘴中的至少任一种来散布所述第一液。4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中在所述散布工序中，进而在所述腔室内使所述基板上下移动或摆动。5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中所述散布工序包含第一散布工序与第二散布工序中的至少任一种，所述第一散布工序是散布已被稀释为所述第一液的有机溶剂，所述第二散布工序是散布未被稀释为所述第一液的有机溶剂。6.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：第二气体处理工序，在所述疏水处理工序之后，在所述腔室的内部经减压的状态下，将包含有机溶剂的气体的第二气体供给至所述腔室内的所述基板。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中在所述散布工序中供给的所述第一液的量比在所述第二气体处理工序中供给的所述第二气体的量大。8.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中执行所述散布工序的时间比执行所述第二气体处理工序的时间长。9.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：第一浸渍工序，在所述第一气体处理工序之前，将所述基板浸渍到贮存于处理槽内的第二液中，所述处理槽被设置在所述腔室内，在所述第一气体处理工序、所述疏水处理工序与所述散布工序中，所述基板位于所述处理槽的上方。10.根据权利要求9所述的基板处理方法，还包括：第一加压工序，在所述散布工序之后，将...
【专利技术属性】
技术研发人员：山本滋，枝光建治，藤井大树，岩田敬次，伊藤健一，川井侑哉，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：
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