聚合物膜及其制造方法、以及层叠体及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种介质损耗角止切小的聚合物膜及其制造方法、以及使用上述聚合物膜的层叠体及其制造方法。在本发明专利技术的聚合物膜及其制造方法、以及使用上述聚合物膜的层叠体及其制造方法中，聚合物膜具有含粒子层，上述含粒子层包含选自液晶聚合物、聚砜树脂、聚醚砜树脂及聚苯硫醚树脂中的至少一种树脂以及液晶聚合物粒子，上述含粒子层中的上述液晶聚合物粒子的含有率为40体积％以上。子的含有率为40体积％以上。

【技术实现步骤摘要】
聚合物膜及其制造方法、以及层叠体及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种聚合物膜及其制造方法、以及层叠体及其制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，在通信设备中使用的频率具有变得非常高的倾向。为了抑制高频带中的传输损失，要求降低在电路板中使用的绝缘材料的相对介电常数和介质损耗角正切。
[0003]作为现有的液晶聚合物物品，例如，已知有专利文献1中记载的液晶聚合物物品。
[0004]在专利文献1中记载有一种多轴强化的液晶聚合物物品，其包含聚合物基体和嵌入上述基体中的取向粒子，此时，上述取向粒子包含第1液晶聚合物，而且，上述基体包含具有比上述第1液晶聚合物熔点低的的第2液晶聚合物。
[0005]专利文献1：日本特开平7
‑
3124号公报

技术实现思路

[0006]本专利技术的实施方式要解决的课题在于提供一种介质损耗角正切小的聚合物膜及其制造方法。
[0007]并且，本专利技术的另一种实施方式要解决的课题在于提供一种使用上述聚合物膜的层叠体及其制造方法。
[0008]在用于解决上述课题的方法中包括以下方式。
[0009]<1>一种聚合物膜，其具有含粒子层，上述含粒子层包含选自液晶聚合物、聚砜树脂、聚醚砜树脂及聚苯硫醚树脂中的至少一种树脂以及液晶聚合物粒子，上述含粒子层中的上述液晶聚合物粒子的含有率为40体积％以上。
[0010]<2>根据<1>所述的聚合物膜，其中，上述树脂为液晶聚合物。
[0011]<3>根据<1>或<2>所述的聚合物膜，其中，上述树脂对N
‑
甲基吡咯烷酮的在140℃下的溶解度为1质量％以上。
[0012]<4>根据<1>～<3>中任一项所述的聚合物膜，其中，上述树脂包含具有由下述式(1)～式(3)中的任意者表示的结构重复单元的液晶聚合物。
[0013]式(1)
‑
O
‑
Ar1‑
CO
‑
[0014]式(2)
‑
CO
‑
Ar2‑
CO
‑
[0015]式(3)
‑
X
‑
Ar3‑
Y
‑
[0016]在式(1)～式(3)中，Ar1表示亚苯基、亚萘基或亚联苯基，Ar2及Ar3分别独立地表示亚苯基、亚萘基、亚联苯基或由下述式(4)表示的基团，X及Y分别独立地表示氧原子或亚氨基，由Ar1～Ar3表示的上述基团中的氢原子可以分别独立地被卤原子、烷基或芳基取代。
[0017]式(4)
‑
Ar4‑
Z
‑
Ar5‑
[0018]在式(4)中，Ar4及Ar5分别独立地表示亚苯基或亚萘基，Z表示氧原子、硫原子、羰基、磺酰基或亚烷基。
[0019]<5>根据<1>～<4>中任一项所述的聚合物膜，其中，上述液晶聚合物粒子的介质损
耗角正切小于上述树脂的介质损耗角正切。
[0020]<6>根据<1>～<5>中任一项所述的聚合物膜，其中，上述液晶聚合物粒子的中值粒径为0.1μm～30μm。
[0021]<7>根据<1>～<6>中任一项所述的聚合物膜，其中，上述液晶聚合物粒子包含对表面进行氧化处理而成的液晶聚合物粒子。
[0022]<8>一种层叠体，其具有：<1>～<7>中任一项所述的聚合物膜；及金属层或金属配线。
[0023]<9>根据<8>所述的层叠体，其中，在上述聚合物膜与上述金属层或金属配线之间，还具有树脂层。
[0024]<10>根据<9>所述的层叠体，其中，上述树脂层包含上述含粒子层中的上述树脂。
[0025]<11>根据<9>或<10>所述的层叠体，其中，上述树脂层的平均厚度为5μm以下。
[0026]<12>一种聚合物膜的制造方法，其包括：形成工序，将包含选自液晶聚合物、聚砜树脂、聚醚砜树脂及聚苯硫醚树脂中的至少一种树脂、液晶聚合物粒子以及有机溶剂的聚合物溶液涂布在基材上并进行干燥，由此在上述基材上形成含粒子层；及加热工序，在上述树脂的玻璃化转变温度以上的温度加热上述含粒子层，上述加热工序后的上述含粒子层中的上述液晶聚合物粒子的含有率为40体积％以上。
[0027]<13>一种层叠体的制造方法，其包括：层叠体形成工序，将包含选自液晶聚合物、聚砜树脂、聚醚砜树脂及聚苯硫醚树脂中的至少一种树脂、液晶聚合物粒子以及有机溶剂的聚合物溶液涂布在基材上并进行干燥，由此在上述基材上形成具有含粒子层的层叠体；及加热工序，在上述树脂的玻璃化转变温度以上的温度加热上述含粒子层，上述加热工序后的上述含粒子层中的上述液晶聚合物粒子的含有率为40体积％以上。
[0028]<14>根据<13>所述的层叠体的制造方法，其中，上述基材具有金属层或金属配线。
[0029]<15>根据<14>所述的层叠体的制造方法，其中，上述金属层或金属配线中的上述含粒子层侧的表面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下。
[0030]<16>根据<13>～<15>中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，在上述基材与上述含粒子层之间，还具有树脂层。
[0031]<17>根据<13>～<16>中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，上述树脂层包含上述含粒子层中的上述树脂。
[0032]专利技术效果
[0033]根据本专利技术的实施方式，能够提供一种介质损耗角正切小的聚合物膜及其制造方法。
[0034]并且，根据本专利技术的另一种实施方式，能够提供一种使用上述聚合物膜的层叠体及其制造方法。
具体实施方式
[0035]以下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚合物膜，其具有含粒子层，所述含粒子层包含选自液晶聚合物、聚砜树脂、聚醚砜树脂及聚苯硫醚树脂中的至少一种树脂以及液晶聚合物粒子，所述含粒子层中的所述液晶聚合物粒子的含有率为40体积％以上。2.根据权利要求1所述的聚合物膜，其中，所述树脂为液晶聚合物。3.根据权利要求1或2所述的聚合物膜，其中，所述树脂对N
‑
甲基吡咯烷酮的在140℃下的溶解度为1质量％以上。4.根据权利要求1或2所述的聚合物膜，其中，所述树脂包含具有由下述式(1)～式(3)中的任意者表示的结构重复单元的液晶聚合物，式(1)
‑
O
‑
Ar1‑
CO
‑
式(2)
‑
CO
‑
Ar2‑
CO
‑
式(3)
‑
X
‑
Ar3‑
Y
‑
在式(1)～式(3)中，Ar1表示亚苯基、亚萘基或亚联苯基，Ar2及Ar3分别独立地表示亚苯基、亚萘基、亚联苯基或由下述式(4)表示的基团，X及Y分别独立地表示氧原子或亚氨基，由Ar1～Ar3表示的所述基团中的氢原子任选地分别独立地被卤原子、烷基或芳基取代，式(4)
‑
Ar4‑
Z
‑
Ar5‑
在式(4)中，Ar4及Ar5分别独立地表示亚苯基或亚萘基，Z表示氧原子、硫原子、羰基、磺酰基或亚烷基。5.根据权利要求1或2所述的聚合物膜，其中，所述液晶聚合物粒子的介质损耗角正切小于所述树脂的介质损耗角正切。6.根据权利要求1或2所述的聚合物膜，其中，所述液晶聚合物粒子的中值粒径为0.1μm～30μm。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：北川浩隆，林大介，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：