高频电路以及通信装置制造方法及图纸

技术编号:36585500 阅读:14 留言:0更新日期:2023-02-04 17:47
本发明专利技术更加精度良好地限制放大电路的输出功率。高频电路具备放大电路(2)、偏置电路(3)、偏置控制电路(54)、比较部(6)、信号输入端子、天线端子、衰减电路(4)、以及控制部(55)。放大电路(2)包含特定的晶体管(Tr2A)。偏置电路(3)对特定的晶体管(Tr2A)的输入端子供给偏置电流或偏置电压。偏置控制电路(54)对偏置电路(3)供给控制电流或控制电压。比较部(6)对与特定的晶体管(Tr2A)的输出端子连接的电源端子(11)的电源电压(Vcc)和阈值电压(Vref)进行比较。衰减电路(4)连接于信号输入端子与天线端子之间的信号路径,能够对高频信号进行衰减。控制部(55)根据比较部(6)的比较结果来变更衰减电路(4)的衰减量。减电路(4)的衰减量。减电路(4)的衰减量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频电路以及通信装置


[0001]本专利技术总体上涉及高频电路以及通信装置,更详细地,涉及具备放大电路的高频电路以及通信装置。

技术介绍

[0002]以往,已知具备功率放大电路和偏置电路的功率放大模块(例如,参照专利文献1)。
[0003]放大电路具备进行了多级连接的多个放大器。放大器具备发射极接地形式的晶体管。晶体管的集电极通过电感元件与电源电压连接。
[0004]偏置电路具备多个射极跟随器晶体管和控制IC。控制IC具备第1电流源和第2电流源。第1电流源将追随控制电压的变化而变化的控制电流供给到多个射极跟随器晶体管各自的集电极。第1电流源将控制电流限制为上限值以下。第2电流源将恒定电流供给到多个射极跟随器晶体管各自的基极。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特开2018

152714号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]在专利文献1记载的功率放大模块中,在电源电压比额定电源电压高的情况下,例如,由于射极跟随器30的h
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(输出短路电流增益)的偏差的影响,有时供给到放大器的晶体管的基极的偏置电流或偏置电压会产生偏差。因此,在专利文献1记载的功率放大模块中,有时放大电路和被输入由放大电路进行了放大的高频信号的电子部件中的至少一者的特性会劣化。
[0010]本专利技术的目的在于,提供一种能够更加精度良好地限制放大电路的输出功率的高频电路以及通信装置。
[0011]用于解决问题的技术方案
[0012]本专利技术的一个方式涉及的高频电路具备放大电路、偏置电路、偏置控制电路、比较部、信号输入端子、天线端子、衰减电路、以及控制部。所述放大电路包含特定的晶体管。所述特定的晶体管具有输入端子以及输出端子,将输入到所述输入端子的高频信号放大并从所述输出端子输出。所述偏置电路对所述特定的晶体管的所述输入端子供给偏置电流或偏置电压。所述偏置控制电路对所述偏置电路供给控制电流或控制电压。所述比较部对与所述特定的晶体管的所述输出端子连接的电源端子的电源电压和阈值电压进行比较。所述信号输入端子与所述特定的晶体管的所述输入端子连接,被输入所述高频信号。所述衰减电路连接于所述信号输入端子与所述天线端子之间的信号路径,能够对所述高频信号进行衰减。所述控制部根据所述比较部的比较结果来变更所述衰减电路的衰减量。
[0013]本专利技术的一个方式涉及的通信装置具备所述高频电路和信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频电路连接。
[0014]专利技术效果
[0015]根据本专利技术的上述方式涉及的高频电路以及通信装置,能够更加精度良好地限制放大电路的输出功率。
附图说明
[0016]图1是实施方式1涉及的高频电路以及通信装置的电路图。
[0017]图2是同上的高频电路具备的功率放大电路的电路图。
[0018]图3A是同上的高频电路具备的衰减电路的电路图。图3B是实施方式1的变形例1涉及的高频电路具备的衰减电路的电路图。图3C是实施方式1的变形例2涉及的高频电路具备的衰减电路的电路图。图3D是实施方式1的变形例3涉及的高频电路具备的衰减电路的电路图。图3E是实施方式1的变形例4涉及的高频电路具备的衰减电路的电路图。
[0019]图4A是实施方式1的变形例5涉及的高频电路具备的衰减电路的电路图。图4B是实施方式1的变形例6涉及的高频电路具备的衰减电路的电路图。图4C是实施方式1的变形例7涉及的高频电路具备的衰减电路的电路图。
[0020]图5是实施方式2涉及的高频电路以及通信装置的电路图。
[0021]图6是实施方式3涉及的高频电路以及通信装置的电路图。
[0022]图7是实施方式4涉及的高频电路以及通信装置的电路图。
具体实施方式
[0023](实施方式1)
[0024]以下,参照图1~图4C对实施方式1涉及的高频电路100以及通信装置300进行说明。
[0025](1)高频电路以及通信装置
[0026](1.1)高频电路以及通信装置的电路结构
[0027]实施方式1涉及的高频电路100例如用于通信装置300。通信装置300例如为便携式电话(例如,智能电话),但是并不限于此,例如,也可以是可穿戴终端(例如,智能手表)。高频电路100例如是能够应对4G(第4代移动通信)标准、5G(第5代移动通信)标准的电路。4G标准例如是3GPPLTE(Long Term Evolution,长期演进)标准。5G标准例如是5GNR(New Radio,新空口)。高频电路100也可以是能够应对载波聚合以及双连接的电路。
[0028]高频电路100例如构成为能够将从信号处理电路301输入的发送信号(高频信号)放大并输出到天线310。信号处理电路301不是高频电路100的构成要素,而是具备高频电路100的通信装置300的构成要素。高频电路100例如由通信装置300具备的信号处理电路301进行控制。通信装置300具备高频电路100和信号处理电路301。通信装置300还具备天线310。
[0029]信号处理电路301例如包含RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。RF信号处理电路302例如为RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit,射频集成电路),进行对高频信号的信号处理。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号
(发送信号)进行上变频等信号处理,并输出进行了信号处理的高频信号。基带信号处理电路303例如为BBIC(Baseband Integrated Circuit,基带集成电路)。基带信号处理电路303从基带信号生成I相信号以及Q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将I相信号和Q相信号合成而进行IQ调制处理,并输出发送信号。此时,发送信号作为将给定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行了振幅调制的调制信号(IQ信号)而被生成。高频电路100在天线310与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传递高频信号(发送信号)。
[0030]高频电路100具备功率放大电路1。高频电路100还具备输出匹配电路101、第1开关102、滤波器103、第2开关104、以及天线端子105。
[0031]功率放大电路1具备放大电路2。放大电路2例如将从信号处理电路301经由高频电路100的信号输入端子13输入的输入信号放大并输出。输入信号是给定频带的高频信号(发送信号)。给定频带例如包含彼此不同的多个通信频段。放大电路2具有多个(在图示例子中为两个)放大器20。
[0032]多个放大器20各自包含放大用的晶体管Tr2(参照图2)。多个晶体管Tr2各自具有输入端子以及输出端子。此外,多个晶体管Tr2各自具有输入输出的公共端子。多个晶体管Tr2各自例如为双极晶本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高频电路,具备:放大电路,包含特定的晶体管,所述特定的晶体管具有输入端子以及输出端子,将输入到所述输入端子的高频信号放大并从所述输出端子输出;偏置电路,对所述特定的晶体管的所述输入端子供给偏置电流或偏置电压;偏置控制电路,对所述偏置电路供给控制电流或控制电压;比较部,对与所述特定的晶体管的所述输出端子连接的电源端子的电源电压和阈值电压进行比较;信号输入端子,与所述特定的晶体管的所述输入端子连接,被输入所述高频信号;天线端子;衰减电路,连接于所述信号输入端子与所述天线端子之间的信号路径,能够对所述高频信号进行衰减;以及控制部,根据所述比较部的比较结果来变更所述衰减电路的衰减量。2.根据权利要求1所述的高频电路,其中,所述放大电路具有:初级的晶体管,作为所述特定的晶体管;以及最终级的晶体管,连接于所述初级的晶体管的后级,所述衰减电路连接在所述信号路径中的所述初级的晶体管与所述最终级的晶体管之间。3.根据权利要求1所述的高频电路,其中,所述衰减电路连接在所述信号路径中的所述信号输入端子与所述特定的晶体管之间。4.根据权利要求1所述的高频电路,其中,还具备:开关,连接在所述特定的晶体管与所述天线端子之间,所述衰减电路连接在所述信号路径中的所述特定的晶体管与所述开关之间。5.根据权利要求1所述的高频电路,其中,还具备,开关,与所述天线端子连接,所述衰减电路连接在所述信号路径中的所述开关与所述天线端子之间。6.根据权利要求1~5中的任一项所述的高频电路,其中,所述衰减电路包含:开关元件,根据所述比较部的比较结果而被导通/断开;以及至少一个电阻元件,与所述开关元件并联地连接,所述至少一个电阻元件串联地连接于所述信号路...

【专利技术属性】
技术研发人员:广部正和
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:

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