高频电路以及通信装置制造方法及图纸

本发明专利技术更加精度良好地限制放大电路的输出功率。高频电路具备放大电路(2)、偏置电路(3)、偏置控制电路(54)、比较部(6)、信号输入端子、天线端子、衰减电路(4)、以及控制部(55)。放大电路(2)包含特定的晶体管(Tr2A)。偏置电路(3)对特定的晶体管(Tr2A)的输入端子供给偏置电流或偏置电压。偏置控制电路(54)对偏置电路(3)供给控制电流或控制电压。比较部(6)对与特定的晶体管(Tr2A)的输出端子连接的电源端子(11)的电源电压(Vcc)和阈值电压(Vref)进行比较。衰减电路(4)连接于信号输入端子与天线端子之间的信号路径，能够对高频信号进行衰减。控制部(55)根据比较部(6)的比较结果来变更衰减电路(4)的衰减量。减电路(4)的衰减量。减电路(4)的衰减量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频电路以及通信装置


[0001]本专利技术总体上涉及高频电路以及通信装置，更详细地，涉及具备放大电路的高频电路以及通信装置。

技术介绍

[0002]以往，已知具备功率放大电路和偏置电路的功率放大模块(例如，参照专利文献1)。
[0003]放大电路具备进行了多级连接的多个放大器。放大器具备发射极接地形式的晶体管。晶体管的集电极通过电感元件与电源电压连接。
[0004]偏置电路具备多个射极跟随器晶体管和控制IC。控制IC具备第1电流源和第2电流源。第1电流源将追随控制电压的变化而变化的控制电流供给到多个射极跟随器晶体管各自的集电极。第1电流源将控制电流限制为上限值以下。第2电流源将恒定电流供给到多个射极跟随器晶体管各自的基极。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2018
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152714号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]在专利文献1记载的功率放大模块中，在电源电压比额定电源电压高的情况下，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高频电路，具备：放大电路，包含特定的晶体管，所述特定的晶体管具有输入端子以及输出端子，将输入到所述输入端子的高频信号放大并从所述输出端子输出；偏置电路，对所述特定的晶体管的所述输入端子供给偏置电流或偏置电压；偏置控制电路，对所述偏置电路供给控制电流或控制电压；比较部，对与所述特定的晶体管的所述输出端子连接的电源端子的电源电压和阈值电压进行比较；信号输入端子，与所述特定的晶体管的所述输入端子连接，被输入所述高频信号；天线端子；衰减电路，连接于所述信号输入端子与所述天线端子之间的信号路径，能够对所述高频信号进行衰减；以及控制部，根据所述比较部的比较结果来变更所述衰减电路的衰减量。2.根据权利要求1所述的高频电路，其中，所述放大电路具有：初级的晶体管，作为所述特定的晶体管；以及最终级的晶体管，连接于所述初级的晶体管的后级，所述衰减电路连接在所述信号路径中的所述初级的晶体管与所述最终级的晶体管之间。3.根据权利要求1所述的高频电路，其中，所述衰减电路连接在所述信号路径中的所述信号输入端子与所述特定的晶体管之间。4.根据权利要求1所述的高频电路，其中，还具备：开关，连接在所述特定的晶体管与所述天线端子之间，所述衰减电路连接在所述信号路径中的所述特定的晶体管与所述开关之间。5.根据权利要求1所述的高频电路，其中，还具备，开关，与所述天线端子连接，所述衰减电路连接在所述信号路径中的所述开关与所述天线端子之间。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频电路，其中，所述衰减电路包含：开关元件，根据所述比较部的比较结果而被导通/断开；以及至少一个电阻元件，与所述开关元件并联地连接，所述至少一个电阻元件串联地连接于所述信号路...

【专利技术属性】
技术研发人员：广部正和，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：