【技术实现步骤摘要】
开关电源二次侧同步整流控制器及开关电源
[0001]本申请涉及开关电源
,具体涉及一种开关电源二次侧同步整流控制器及开关电源。
技术介绍
[0002]随着移动终端充电功率的不断增长,能效越来越得到人们的重视,各国各地区都不断地提升能效标准。同步整流控制器的应用替代传统肖特基二极管整流,大大提升了适配器和充电器的充电效率,因此得到越来越广泛的应用。然而,同步整流控制器的现有技术的确提升了电源系统重载时的充电效率,却忽视了同步整流控制器在电源空载或者轻载时自身耗电就拉低了系统效率,并且增加了系统待机功耗,浪费了很多能量,增加了能耗。
技术实现思路
[0003]为此,为了解决现有技术中的能耗高问题,本申请提出一种开关电源二次侧同步整流控制器。
[0004]本申请通过以下技术手段解决上述问题:
[0005]本申请提供一种开关电源二次侧同步整流控制器,所述同步整流控制器包括:退磁检测电路、待机判断电路、与门电路和驱动电路;其中,所述退磁检测电路的输入端连接所述开关电源的同步整流MOS Q2的一端, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种开关电源二次侧同步整流控制器,其特征在于,所述同步整流控制器包括:退磁检测电路、待机判断电路、与门电路和驱动电路;其中,所述退磁检测电路的输入端连接所述开关电源的同步整流MOS Q2的一端,所述退磁检测电路的一个输出端与与门电路的一个输入端连接,所述退磁检测电路的另一个输出端与所述待机判断电路的输入端连接,所述待机判断电路的输出端与所述与门电路的另一个输入端连接,所述与门电路的输出端连接所述驱动电路的输入端,所述驱动电路的输出端连接所述MOS Q2的栅极;所述退磁检测电路,用于检测所述MOS Q2的漏极和源极间压差VDET,在所述VDET低于设定阈值时,通过两个输出端输出DEMAG信号;所述待机判断电路,用于积分所述DEMAG信号并与设定阈值比较得到比较结果,依据该比较结果确定输出信号V
G
‑
EN
是否有效;所述与门电路,用于依据所述DEMAG信号和V
G
‑
EN
输出V
gate
信号;所述驱动电路,用于依据所述V
gate
信号判断是否向所述MOS Q2的栅极输出VG信号驱动所述MOS Q2;所述待机判断电路包括:电阻、运算放大器、MOS管、比较器、电容、或门电路、缓冲电路BUF、D触发器、反相器;其中,第五电阻R5一端接DEMAG信号,另一端接所述运算放大器的反相输入端,所述运算放大器正相输入端接地,正侧电源端连接电压源VCC,反侧电源端连接电压源
‑
VCC,第一电容C1两端分别连接所述运算放大器的输出端以及反相输入端;第一MOS管的漏极连接运算放大器的反相输入端,所述第一MOS管的源极连接运算放大器的输出端,所述第一MOS管的栅极连接时钟信号CLK;第二比较器和第三比较器的反相输入端均连接所述运算放大器的输出端V
C1
,所述第二比较器的正相输入端连接电压
‑
V
TH
,所述第二比较器的使能端连接...
【专利技术属性】
技术研发人员:张洞田,
申请(专利权)人:深圳英集芯科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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