本发明专利技术提供一种改善后氧化处理中晶硅片白点不良的方法，所述方法包括如下步骤：(1)进舟；(2)第一臭氧净化；(3)升温；(4)第一抽真空；(5)第二臭氧净化；(6)后氧化；(7)第二抽真空；(8)回压；(9)降温；(10)出舟。本发明专利技术所述方法利用具有强氧化性的臭氧将炉管内的空气进行净化处理，改善后氧化处理中的环境氛围的洁净度，降低炉管内的污染物比例，进而有效降低了晶硅片的白点不良比例；所述方法操作简单，对设备的要求低，处理成本低，具有大规模推广应用前景。用前景。
【技术实现步骤摘要】
一种改善后氧化处理中晶硅片白点不良的方法
[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种改善后氧化处理中晶硅片白点不良的方法。
技术介绍
[0002]为了提高电池片钝化性能，增加抗诱导能力，所以必须进行氧化处理。但是在氧化过程中，炉管内的气氛、环境等无法达到完全可控的状态，极易引起硅片表面白点等污染，严重影响产品品质，从而使太阳能电池良率大幅下降。对电池晶硅片的氧化处理主要包括前氧化处理和后氧化处理两个步骤，而后氧化处理后的晶硅片的质量很大程度上决定了最终得到的成品电池片的质量。因此，有效控制后氧化处理中晶硅片白点不良的出现，是目前亟待解决的问题。
[0003]CN110690319A公开了一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺，将常压氧化改为低压氧化，并在退火过程中采用恒温680～710℃以及降温620～650℃退火，使得工艺过程中气体氛围能够精确控制，退火环境洁净得到提升，使得电池效率提升。
[0004]CN112670373A公开了一种晶硅太阳能电池的氧化退火方法及其应用，对氧化过程进行拆分，在第一次形成氧化层后迅速升温，进行第二次氧化，由于温度提升，使之需要的通氧时间减少，从而大幅降低工艺时间。
[0005]CN108878289A公开了一种高效电池退火工艺，通过对背面钝化后的硅片进行升温烘干，通过负压通气，在升温至降温过程中一直保持负压状态，将水汽彻底去除干净；通过梯度降温的方式，将硅片体内的杂质更充分地析出，从而减少了缺陷与复合现象。
[0006]但上述方法仅对氧化工艺或退火工艺进行了改进，均没有考虑到如何解决氧化过程中存在的白点不良问题。
[0007]因此，开发一种操作简单且处理成本降低的改善后氧化处理中晶硅片白点不良的方法具有重要意义。
技术实现思路
[0008]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种改善后氧化处理中晶硅片白点不良的方法，利用具有强氧化性的臭氧将炉管内的空气进行净化处理，改善后氧化过程中的环境氛围的洁净度，降低炉管内的污染物比例，进而有效降低了晶硅片的白点不良比例。本专利技术所述方法操作简单，对设备的要求低，处理成本低，具有大规模推广应用前景。
[0009]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0010]本专利技术提供一种改善后氧化处理中晶硅片白点不良的方法，所述方法包括如下步骤：
[0011](1)进舟；(2)第一臭氧净化；(3)升温；(4)第一抽真空；(5)第二臭氧净化；(6)后氧化；(7)第二抽真空；(8)回压；(9)降温；(10)出舟；
[0012]步骤(2)所述第一臭氧净化中臭氧的体积浓度为50％～70％；
[0013]步骤(5)所述第二臭氧净化中臭氧的体积浓度为40％～50％。
[0014]本专利技术所述的改善后氧化处理中晶硅片白点不良的方法通过在现有的后氧化处理中增加两次臭氧净化处理，有效降低了晶硅片的白点不良比例。其中，第一臭氧净化处理中臭氧的体积浓度为50％～70％，主要作用是氧化开管过程中出现的粉尘或其他脏污类不良；第二臭氧净化处理中臭氧的体积浓度为40％～50％，主要作用是进一步与晶硅片表面的水痕印、脏污点反应生产氧化物，改变原有状态，淡化或者去除白点。而且本专利技术所述方法得到的晶硅片具有优异的电性能，进行光热诱导衰减现象测试和组件电势诱导衰减测试均符合质量要求。
[0015]本专利技术步骤(2)所述第一臭氧净化中臭氧的体积浓度为50％～70％，例如可以是50％、55％、60％、65％、68％或70％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用；步骤(5)所述第二臭氧净化中臭氧的体积浓度为40％～50％，例如可以是40％、42％、45％、47％、49％或50％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0016]优选地，步骤(1)所述进舟包括将晶硅片插入石英舟并送入炉管内。
[0017]优选地，步骤(2)所述第一臭氧净化的温度为700～760℃，例如可以是700℃、710℃、720℃、740℃、750℃或760℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0018]本专利技术优选所述第一臭氧净化的温度为700～760℃，利用臭氧的衰变随温度升高而加快的原理，臭氧在1～2s反应时间内达到100％分解，进而实现对炉管内气体的高效净化处理。
[0019]优选地，所述第一臭氧净化的压力为800～1100mbar，例如可以是800mbar、850mbar、900mbar、950mbar、1000mbar或1100mbar等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0020]优选地，所述第一臭氧净化的时间为600～1200s，例如可以是600s、700s、800s、900s、1000s或1200s等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0021]本专利技术优选所述第一臭氧净化的时间为600～1200s，当第一臭氧净化的时间的较短，不能很好地净化去除钾、钙、钠等不良元素，以及粉尘类漂浮颗粒等；当第一臭氧净化的时间的较长，会增加处理成本，降低经济效益。
[0022]优选地，所述第一臭氧净化中臭氧的体积流量为10000～15000sccm，例如可以是10000sccm、11000sccm、12000sccm、13000sccm、14000sccm或15000sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0023]本专利技术优选所述第一臭氧净化中臭氧的体积流量为10000～15000sccm，比第二臭氧净化中臭氧的体积流量1000～2000sccm高出许多，具有良好净化炉管内颗粒的优势。当第一臭氧净化中臭氧的体积流量过低，会导致炉管内颗粒等净化不彻底，增加白点的比例；当第一臭氧净化中臭氧的体积流量过高，会导致臭氧过量消耗，增加成本。
[0024]优选地，步骤(3)所述升温的温度为700～800℃，例如可以是700℃、720℃、740℃、750℃、770℃或800℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0025]优选地，所述升温的压力为900～1060mbar，例如可以是900mbar、930mbar、980mbar、1000mbar、1030mbar或1060mbar等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0026]优选地，所述升温的过程中通入体积流量为10000～15000sccm的氮气，例如可以是10000sccm、11000sccm、12000sccm、13000sccm、14000sccm或15000sccm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0027]优选地，步骤(4)所述第一抽真空的温度为700～750℃，例如可以是700℃、710℃、720℃、730℃、74本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改善后氧化处理中晶硅片白点不良的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)进舟；(2)第一臭氧净化；(3)升温；(4)第一抽真空；(5)第二臭氧净化；(6)后氧化；(7)第二抽真空；(8)回压；(9)降温；(10)出舟；步骤(2)所述第一臭氧净化中臭氧的体积浓度为50％～70％；步骤(5)所述第二臭氧净化中臭氧的体积浓度为40％～50％；。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述进舟包括将晶硅片插入石英舟并送入炉管内。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述第一臭氧净化的温度为700～760℃；优选地，所述第一臭氧净化的压力为800～1100mbar；优选地，所述第一臭氧净化的时间为600～1200s；优选地，所述第一臭氧净化中臭氧的体积流量为10000～15000sccm。4.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述升温的温度为700～800℃；优选地，所述升温的压力为900～1060mbar；优选地，所述升温的过程中通入体积流量为10000～15000sccm的氮气。5.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，步骤(4)所述第一抽真空的温度为700～750℃；优选地，所述第一抽真空后的压力为0。6.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，步骤(5)所述第二臭氧净化的温度为700～850℃；优选地，所述第二臭氧净化的压力为200～400mbar；优选地，所述第二臭氧净化的时间为600～1200s；优选地，所述第二臭氧净化中臭氧的体积流量为1000～2000sccm。7.根据权利要求1～6任一项所述的方法，其特征在于，步骤(6)所述后氧化的温度为700～850℃；优选地，所述后氧化的压力为150～300mbar；优选地，所述后氧化的过程中通入体积流量为1000～1500sccm的氧气；优选地，所述氧气的体积浓度为40％～80％。8.根据权利要求1～7任一项所述的方法，其特征在于，步骤(7)所述第二抽真空的温度为600～700℃；优选地，所述第二抽真空后的压力为0。9.根据权利要求1～8任一项所述的方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑正明，宋飞飞，杜清闪，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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