一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te-MX2垂直异质结的制备方法技术

本发明专利技术公开一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te

【技术实现步骤摘要】
一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te
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MX2垂直异质结的制备方法


[0001]本专利技术涉及到材料和非线性光学，特别涉及一种具有增强的非线性光学特性的大面积 Te
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MX2垂直异质结的制备方法。

技术介绍

[0002]碲是第五周期VI A族(氧族)元素。在所有非金属元素中，金属性最强，具有良好的导电、导热性能。碲是窄带隙p型半导体材料，其带隙大小约为0.35eV。碲单晶材料具有独特的一维范德华结构，分子链间通过范德华力相连接。先前的理论与实验表明其具有优异的铁电、压电、热电、光电等物理特性，在光电探测器、气体传感器、场效应晶体管、压电器件、光学调制器件等方面表现出极大的应用潜力。研究发现，碲纳米结构具有优异的非线性光学响应特性，这使得其可以成为优秀光学材料之一。Te具有较高的有效宽带饱和吸收率，可利用Te作为可饱和吸收体来制造光子器件。Te在被动调Q器、锁模器、光切换器或光调制器领域具有广阔的应用前景。因此，制备具有优异饱和吸收特性的高质量碲纳米材料显得尤为重要。
[0003]为了制备具有优异饱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te
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MX2垂直异质结的制备方法，其中，M为Mo或W，X为S或Se，其特征在于，包括如下步骤：(1)准备一片长有MX2的玻璃基底，把石墨垫块放置在基底的两侧，将另一片干净的玻璃片以“面对面”的形式盖在长有MX2的玻璃基底上，形成一个微反应腔，通过控制石墨垫块的高度调控反应腔的空间高度，然后将整个微反应腔放置于管式炉下游端距离中心加热温区20
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24cm处；(2)将碲粉末放在氧化铝舟中置于中心加热温区；(3)向管式炉的反应腔内通入氩气15
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30min进行清洗；(4)清洗结束后，开启真空泵，通入氩气作为载气，升高管式炉的温度，使碲粉所在温区的温度加热至280
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300℃，设置生长时间为15
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25分钟，进行大面积Te
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MX2垂直异质结纳米结构的生长；(5)生长结束后，温度自然降至室温，关闭真空泵与氩气，即得到大面积Te
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MX2异质结纳米结构。2.根据权利要求1所述的具有增强的非线性光学特性的大面积Te
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MX2垂直异质结的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，石墨垫控制干净的玻璃片与长有MX2的玻璃基底相距1
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3mm。3.根据权利要求1所述的具有增强的非线性光学特性的大面积Te
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【专利技术属性】
技术研发人员：郝国林，肖金彪，郝玉龙，高慧，贺力员，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：