钡化合物结构体及其制造方法技术

本发明专利技术的钡化合物结构体(1)包含多个第1化合物粒子(2)、结合部(3)和多个第2化合物粒子(4)，所述多个第1化合物粒子(2)包含与硫酸钡不同且具有结晶性的钡化合物，所述结合部(3)覆盖多个第1化合物粒子(2)各自的表面，且包含具有结晶性的硫酸钡，所述多个第2化合物粒子(4)包含具有硅的化合物。多个第1化合物粒子(2)各自介由结合部(3)及多个第2化合物粒子(4)各自的至少任一者而结合。(4)各自的至少任一者而结合。(4)各自的至少任一者而结合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】钡化合物结构体及其制造方法


[0001]本专利技术涉及钡化合物结构体及其制造方法。

技术介绍

[0002]钡化合物作为电子部件的材料被广泛使用。例如，钛酸钡(BaTiO3)及锆酸钡(BaZrO3)等钡化合物作为强介电体被已知，作为电容器那样的电子部件的材料被使用。这些钡化合物在电子部件中作为陶瓷而使用。
[0003]作为制造陶瓷的方法，在专利文献1中公开了由多孔性基体来制造陶瓷的方法。该方法包括使包含第1反应物质的多孔性基体与搬运第2反应物质的熔渗介质相接触的步骤。此外，该方法包括使熔渗介质在促进第1反应物质与第2反应物质之间的反应的条件下渗入多孔性基体的间质腔的至少一部分中而产生不含钛酸钡的第1产物的步骤。此外，该方法包括产生第1产物而使其能够充满多孔性基体的间质腔的至少一部分、由此来制造陶瓷的步骤。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特表2011
‑
520739号公报

技术实现思路

[0007]在专利文献1中公开的方法中，使熔渗介质与多孔性基体相接触来促进第1反应物质与第2反应物质之间的反应。多孔性基体例如可以通过将金属氧化物的粉末进行加压来成型。然而，多孔性基体包含许多气孔，该气孔有可能成为脆弱部。因此，通过这样的方法而制作的成型体有可能得不到充分的机械强度。
[0008]本专利技术是鉴于这样的现有技术所具有的课题而进行的。而且，本专利技术的目的在于提供具有高的机械强度的钡化合物结构体及钡化合物结构体的制造方法。
[0009]为了解决上述课题，本专利技术的第一方案的钡化合物结构体包含多个第1化合物粒子、结合部和多个第2化合物粒子。多个第1化合物粒子包含与硫酸钡不同且具有结晶性的钡化合物。结合部覆盖多个第1化合物粒子各自的表面且包含具有结晶性的硫酸钡。多个第2化合物粒子包含具有硅的化合物。多个第1化合物粒子各自介由结合部及多个第2化合物粒子各自的至少任一者而结合。
[0010]本专利技术的第二方案的钡化合物结构体的制造方法具有以下工序：通过将第1化合物粉末与第2化合物粉末与包含硫酸根离子的水溶液进行混合而得到混合物，其中，所述第1化合物粉末包含与硫酸钡不同且具有结晶性的钡化合物，所述第2化合物粉末包含具有硅的化合物。该方法具有将混合物在压力为10～600MPa、并且温度为50～300℃的条件下进行加压及加热的工序。
附图说明
[0011]图1是概略地表示本实施方式的钡化合物结构体的一个例子的截面图。
[0012]图2是表示钡化合物结构体的制造方法的一个例子的示意图。
[0013]图3是表示实施例1、比较例1、以及ICSD(无机晶体结构数据库)中注册的锆酸钡及硫酸钡的XRD图案的图表。
[0014]图4是将图3中的实施例1及比较例1的XRD图案放大而得到的图表。
[0015]图5是对实施例1的试验样品以1000倍观察而得到的扫描型电子显微镜(SEM)像。
[0016]图6是对实施例1的试验样品以10000倍观察而得到的SEM像。
[0017]图7是对实施例1的试验样品的与图6不同的位置以10000倍观察而得到的SEM像。
[0018]图8是图5中的位置1处的EDX光谱。
[0019]图9是图5中的位置2处的EDX光谱。
[0020]图10是对比较例1的试验样品以1000倍观察而得到的SEM像。
[0021]图11是对比较例1的试验样品以10000倍观察而得到的SEM像。
具体实施方式
[0022]以下，使用附图对本实施方式的钡化合物结构体及钡化合物结构体的制造方法进行详细说明。需要说明的是，附图的尺寸比率为了说明的方便而夸张，有时与实际的比率不同。
[0023][钡化合物结构体][0024]本实施方式的钡化合物结构体1如图1中所示的那样，包含多个第1化合物粒子2、结合部3和多个第2化合物粒子4。此外，在钡化合物结构体1中，在第1化合物粒子2各自之间存在由结合部3所围成的多个气孔5。
[0025]多个第1化合物粒子2各自介由结合部3及多个第2化合物粒子4各自的至少任一者而结合。即，多个第1化合物粒子2各自可以介由结合部3而结合，也可以介由第2化合物粒子4各自而结合，还可以介由结合部3及第2化合物粒子4各自而结合。通过多个第1化合物粒子2各自介由它们而彼此结合，形成多个第1化合物粒子2集合而成的钡化合物结构体1。需要说明的是，钡化合物结构体1也可以具有多个第1化合物粒子2不介由结合部3或第2化合物粒子4各自而第1化合物粒子2各自直接结合的部分。
[0026]结合部3将多个第1化合物粒子2各自的表面覆盖。结合部3可以将第1化合物粒子2各自的表面的一部分覆盖，也可以将全部覆盖。通过以结合部3将第1化合物粒子2各自的表面按照不露出的方式进行覆盖，能够抑制第1化合物粒子2各自直接暴露于外部环境中。因此，例如即使是酸性条件等特殊的环境下，也能够提高钡化合物结构体1的化学稳定性。因此，第1化合物粒子2各自的表面优选不露出到外表面。
[0027]第2化合物粒子4各自例如配置于第1化合物粒子2各自之间。此外，第2化合物粒子4各自例如配置于结合部3的内部。通过钡化合物结构体1包含多个第2化合物粒子4，从而第2化合物粒子4致密地填充于第1化合物粒子2各自之间，能够使钡化合物结构体1的结构变得致密。因此，能够提高钡化合物结构体1的机械强度。多个第2化合物粒子4各自的表面也可以被结合部3覆盖。可以多个第2化合物粒子4各自的表面的一部分被结合部3覆盖，也可以全部被结合部3覆盖。
[0028]钡化合物结构体1也可以包含多个第1化合物粒子2、结合部3和多个第2化合物粒子4作为主要成分。在本实施方式中，主要成分是指多个第1化合物粒子2、结合部3及多个第2化合物粒子4的合计量相对于钡化合物结构体1例如为50体积％以上。多个第1化合物粒子2、结合部3及第2化合物粒子4的合计量相对于钡化合物结构体1也可以为80体积％以上，还可以为90体积％以上。
[0029]多个第1化合物粒子2包含与硫酸钡不同的钡化合物。上述钡化合物例如也可以为复合金属氧化物。作为复合金属氧化物，例如可列举出铝酸钡、钼酸钡、铌酸钡、铬酸钡、钛酸钡、钨酸钡、锆酸钡及锡酸钡等。它们可以单独使用一种，也可以将多种组合使用。与硫酸钡不同的钡化合物也可以为钛酸钡及锆酸钡中的至少任一者。这些钡化合物为强介电体，可以作为电容器那样的电子部件的材料来使用。
[0030]与硫酸钡不同的钡化合物具有结晶性。通过钡化合物具有结晶性，能够提高钡化合物结构体1的介电常数。
[0031]第1化合物粒子2各自的形状没有特别限定，但例如可以设定为球状。此外，第1化合物粒子2各自也可以为晶须状(针状)的粒子、或鳞片状的粒子。晶须状粒子或鳞片状粒子与球状粒子相比与其他粒子的接触性提高，因此能够提高钡化合物结构体1整体的强度。
[0032]多个第1化合物粒子2的平均本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种钡化合物结构体，其包含：多个第1化合物粒子，该多个第1化合物粒子包含与硫酸钡不同且具有结晶性的钡化合物；结合部，该结合部覆盖所述多个第1化合物粒子各自的表面且包含具有结晶性的硫酸钡；和多个第2化合物粒子，该多个第2化合物粒子包含具有硅的化合物；所述多个第1化合物粒子各自介由所述结合部及所述多个第2化合物粒子各自的至少任一者而结合。2.根据权利要求1所述的钡化合物结构体，其中，所述钡化合物为钛酸钡及锆酸钡中的至少任一者。3.根据权利要求1或2所述的钡化合物结构体，其中，所述多个第2化合物粒子中所含的化合物为非晶质。4.根据权利要求1～3中任一项所述的钡化合物结构体，其中，所述多个第1化合物粒子相对于所述结合部的体积...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤夏希，泽亮介，栗副直树，吉冈达郎，关野徹，后藤知代，赵成训，徐宁浚，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：