透明导电性膜制造技术

本发明专利技术提供一种弯曲性及透明性这两者均优异的透明导电性膜。本发明专利技术的透明导电性膜依次具备第1透明导电层、基材、和第2透明导电层，该第1透明导电层包含金属纳米线，该第2透明导电层由金属氧化物构成。在一个实施方式中，构成上述第2透明导电层的金属氧化物为铟

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透明导电性膜


[0001]本专利技术涉及透明导电性膜。

技术介绍

[0002]以往，作为触控传感器的电极等中使用的透明导电性膜，多使用在树脂膜上形成有铟
‑
锡复合氧化物层(ITO层)等金属氧化物层的透明导电性膜。然而，形成有金属氧化物层的透明导电性膜存在如下问题：弯曲性不充分，容易因弯曲等物理应力产生龟裂。
[0003]另外，作为透明导电性膜，提出了包含使用了银或铜等的金属纳米线的透明导电性膜。此种透明导电性膜具有弯曲性优异的优点。然而，包含金属纳米线的透明导电性膜存在难以获得充分的透明性的问题。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特表2009
‑
505358号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种弯曲性及透明性这两者均优异的透明导电性膜。
[0009]用于解决问题的手段
[0010]本专利技术的透明导电性膜依次具备第1透明导电层、基材、和第2透明导电层，该第1透明导电层包含金属纳米线，该第2透明导电层由金属氧化物构成。
[0011]在一个实施方式中，构成上述第2透明导电层的金属氧化物为铟
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锡复合氧化物。
[0012]在一个实施方式中，上述基材的拉伸断裂强度为100MPa以上。
[0013]在一个实施方式中，上述基材由环烯烃系树脂构成。
>[0014]专利技术效果
[0015]根据本专利技术，能够提供弯曲性及透明性这两者均优异的透明导电性膜。
附图说明
[0016]图1是本专利技术的一个实施方式的透明导电性膜的概略剖视图。
具体实施方式
[0017]A.透明导电性膜的整体构成
[0018]图1是本专利技术的一个实施方式的透明导电性膜的概略剖视图。透明导电性膜100依次具备第1透明导电层10、基材20、及第2透明导电层30。第1透明导电层10包含金属纳米线(未图示)。第2透明导电层30由金属氧化物构成。虽然未图示，但透明导电性膜也可进一步包含任意适当的其他层。
[0019]在本专利技术中，通过将包含金属纳米线的第1透明导电层与由金属氧化物构成的第2透明导电层隔着基材层叠，能够获得弯曲性优异的透明导电性膜。更详细而言，本专利技术的透明导电性膜将一个透明导电层设为包含金属纳米线的透明导电层(第1透明导电层)、即不易因弯曲而受损的透明导电层，通过为此种构成，具有如下特征：以第1透明导电层为外侧而弯曲时，不易破损(例如不易产生龟裂)，弯曲性优异。
[0020]进而，本专利技术的透明导电性膜的另一透明导电层(第2透明导电层)由金属氧化物构成，通过为此种构成，具有如下特征：虽然具备多层透明导电层，但透明性也优异(例如，雾度值小)。在本专利技术的透明导电性膜中，若以第1透明导电层为外侧而使该透明导电性膜弯曲，则不会对第2透明导电层施加拉伸方向的应力，因此，即便为由金属氧化物构成的第2透明导电层，也可防止其破损。
[0021]本专利技术的透明导电性膜的第1透明导电层侧的表面电阻值优选为0.01Ω/
□
～1000Ω/
□
，更优选为0.1Ω/
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～500Ω/
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，特别优选为0.1Ω/
□
～300Ω/
□
，最优选为0.1Ω/
□
～100Ω/
□
。
[0022]本专利技术的透明导电性膜的第2透明导电层侧的表面电阻值优选为0.01Ω/
□
～1000Ω/
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，更优选为0.1Ω/
□
～500Ω/
□
，特别优选为0.1Ω/
□
～300Ω/
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，最优选为0.1Ω/
□
～100Ω/
□
。
[0023]以上述第1透明导电层为外侧，将本专利技术的透明导电性膜架设于直径2mm的圆杆而使其弯曲时的第1透明导电层侧的表面电阻值的上升率[＝((弯曲后的表面电阻值/弯曲前的表面电阻值)－1)
×
100]优选为20％以下，更优选为15％以下，进一步优选为10％以下。如上所述，本专利技术的透明导电性膜的弯曲性优异，可防止弯曲时电阻值上升(即导电性降低)。
[0024]本专利技术的透明导电性膜的雾度值优选为1％以下，更优选为0.7％以下，进一步优选为0.5％以下。该雾度值越小越优选，但其下限值例如为0.05％。
[0025]本专利技术的透明导电性膜的总光线透过率优选为80％以上，更优选为85％以上，特别优选为90％以上。
[0026]本专利技术的透明导电性膜的厚度优选为10μm～500μm，更优选为15μm～300μm，进一步优选为20μm～200μm。
[0027]B.第1透明导电层
[0028]如上所述，第1透明导电层包含金属纳米线。
[0029]在一个实施方式中，第1透明导电层进而包含聚合物基质。在该实施方式中，金属纳米线存在于聚合物基质中。在由聚合物基质构成的第1透明导电层中，通过聚合物基质保护金属纳米线。其结果是，可防止金属纳米线的腐蚀，可获得耐久性更优异的透明导电性膜。
[0030]上述第1透明导电层的厚度优选为10nm～1000nm，更优选为20nm～500nm。再者，在第1透明导电层包含聚合物基质时，该第1透明导电层的厚度相当于聚合物基质的厚度。
[0031]在一个实施方式中，上述第1透明导电层被图案化。作为图案化的方法，可根据第1透明导电层的形态采用任意适当的方法。第1透明导电层的图案形状根据用途可为任意适当的形状。例如可列举日本特表2011
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511357号公报、日本特开2010
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164938号公报、日本特开2008
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310550号公报、日本特表2003
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511799号公报、日本特表2010
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541109号公报中记载
的图案。在基材上形成第1透明导电层的后，可根据第1透明导电层的形态，使用任意适当的方法进行图案化。
[0032]上述第1透明导电层的总光线透过率优选为85％以上，更优选为90％以上，进一步优选为95％以上。
[0033]上述金属纳米线是指材质为金属、形状为针状或丝状、直径为纳米尺寸的导电性物质。金属纳米线可为直线状，也可为曲线状。若使用由金属纳米线构成的第1透明导电层，则金属纳米线成为网眼状，由此即便为少量的金属纳米线，也可形成良好的导电路径，可获得电阻小的透明导电性膜。
[0034]上述金属纳米线的粗度d与长度L的比(纵横比：L/d)优选为10～100,000，更优选为50～100,000，特别优选为100～10,000。若像这样使用纵横比大的金属纳米线，则金属纳米线会良好地交叉，从而可通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种透明导电性膜，其依次具备第1透明导电层、基材、和第2透明导电层，该第1透明导电层包含金属纳米线，该第2透明导电层由金属氧化物构成。2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其中，构成所述第2透明导电层的金属氧化物为铟

【专利技术属性】
技术研发人员：河野文彦，安藤豪彦，济木雄二，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：