一种多结垂直腔面发射激光器制造技术

本发明专利技术提供了一种多结垂直腔面发射激光器，通过所述在谐振腔层内的相邻两组多量子阱层之间设有隧穿结；其中，所述多量子阱层设置于所述驻波的波腹位置，通过所述波腹位置的电场强度以获得最大的激光增益效果；至少部分所述隧穿结设置于所述驻波的波节位置，且其包括沿第一方向依次层叠的N型层和P型层，所述隧穿结通过将至少部分P型层配置在所述波节位置以减小所述P型层的吸光。其次，所述N型层和P型层的交界面与所述波节位置具有偏离距离，进一步地，所述N型层和P型层的交界面相对所述波节位置沿所述衬底一侧偏离。如此，可将所述P型层更多地配置在所述波节的相邻位置，从而减小所述P型层的吸光，以提高整个光器的电光转换效率。以提高整个光器的电光转换效率。以提高整个光器的电光转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种多结垂直腔面发射激光器


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种多结垂直腔面发射激光器。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器是一种半导体微腔激光器，相较于传统的边发射激光器，垂直腔面发射激光器由于具有低阈值电流、体积小、圆对称光斑易于光纤耦合、高光束质量、单纵模、面发射易于集成等优势，使其在近年来得到了迅猛的发展，广泛应用于人脸识别等三维传感、光通信、激光雷达、无人驾驶等领域中。
[0003]目前采用的垂直腔面发射激光器芯片主要为单结垂直腔面发射激光器，单结垂直腔面发射激光器的单孔出光功率一般是5mW
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10mW；对于大型三维传感应用场景而言，例如基于激光雷达的无人驾驶领域，单结垂直腔面发射激光器已经无法满足其需求，需要更大功率和高效率的激光器；为了达到更大出光功率，通常考虑增大芯片发光面积，但是这种做法增加了发光面尺寸以及物料成本，不仅增加了光学设计难度，而且也让终端产品尺寸难以小型化。
[0004]利用隧道结技术在材料外延过程中直接将多个半导体激光器外延层串联，如此可以在更小的空间内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多结垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：衬底以及沿所述衬底表面依次堆叠的N型DBR反射层、谐振腔层以及P型DBR反射层；所述谐振腔层通过谐振形成驻波，其包括若干组多量子阱层以及设置于在相邻两组多量子阱层之间的隧穿结；其中，所述隧穿结包括沿第一方向依次层叠的N型层和P型层，且至少部分所述隧穿结设置于所述驻波的波节位置，使所述隧穿结通过将至少部分P型层配置在所述波节位置以减小所述P型层的吸光。2.根据权利要求1所述的多结垂直腔面发射激光器，其特征在于，沿所述第一方向，所述N型层和P型层的交界面与所述波节位置具有偏离距离。3.根据权利要求2所述的多结垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述N型层和P型层的交界面相对所述波节位置沿所述衬底一侧偏离。4.根据权利要求3所述的多结垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述偏离距离的数值不大于所述P型层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴真龙，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：