气相沉积设备和在真空腔室中涂覆基板的方法技术

本公开内容描述了一种气相沉积设备。气相沉积设备包括用于支撑待涂覆的基板的基板支撑件；具有多个喷嘴的蒸气源，用于通过蒸气传播空间将蒸气引导朝向基板支撑件；和从蒸气源向基板支撑件延伸的可加热屏蔽物。可加热屏蔽物至少部分地围绕蒸气传播空间，并且包括用于掩蔽基板的不被涂覆的区域的边缘排除部分。基板支撑件可以是具有弯曲滚筒表面的可旋转滚筒，并且气相沉积设备可以被构造为使弯曲滚筒表面上的基板在圆周方向移动经过蒸气源。表面上的基板在圆周方向移动经过蒸气源。表面上的基板在圆周方向移动经过蒸气源。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气相沉积设备和在真空腔室中涂覆基板的方法


[0001]本公开内容的多个实施方式涉及通过真空腔室中的热蒸发进行的基板涂覆。本公开内容的多个实施方式还涉及借由蒸发在柔性基板上(例如，在柔性金属箔上)沉积一个或多个涂覆条带(strip)。尤其，多个实施方式涉及在柔性箔上的锂沉积，例如用于制造锂电池。具体而言，多个实施方式涉及气相沉积设备、用于在真空腔室中涂覆基板的方法和安装气相沉积设备的方法。

技术介绍

[0002]用于在基板上沉积的各种技术，例如化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)和物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)是已知的。对于高沉积速率的沉积，热蒸发可用作PVD工艺。对于热蒸发，加热源材料以产生蒸气，蒸气可沉积在例如基板上。增加加热的源材料的温度，会增加蒸气浓度并且可以促进高沉积速率。实现高沉积速率的温度，取决于源材料的物理特性，例如作为温度函数的蒸气压强，和基板的物理限制，例如熔点。
[0003]例如，可以在坩埚中加热要沉积在基板上的材料，以在升高的蒸气压强本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气相沉积设备，包括：基板支撑件，用于支撑待涂覆的基板；蒸气源，所述蒸气源具有多个喷嘴，所述蒸气源用于通过蒸气传播空间将蒸气引导朝向所述基板支撑件；和可加热屏蔽物，所述可加热屏蔽物从所述蒸气源朝向所述基板支撑件延伸，并且至少部分地围绕所述蒸气传播空间，其中所述可加热屏蔽物包括边缘排除部分，用于掩蔽所述基板的不被涂覆的区域。2.如权利要求1所述的气相沉积设备，其中所述基板支撑件是具有弯曲滚筒表面的可旋转滚筒，并且所述气相沉积设备构造为使所述弯曲滚筒表面上的所述基板在圆周方向上移动经过所述蒸气源。3.如权利要求2所述的气相沉积设备，其中所述边缘排除部分沿在所述圆周方向上的所述弯曲滚筒表面延伸，并遵循所述弯曲滚筒表面的曲率。4.如权利要求2所述的气相沉积设备，其中应用至少以下一个：(i)当所述可加热屏蔽物不被加热时，在所述边缘排除部分与所述弯曲滚筒表面之间的最大距离是2mm或以上和6mm或以下；和(ii)当所述可加热屏蔽物被加热到操作温度时，在所述边缘排除部分与所述弯曲滚筒表面之间的最大距离小于2mm，尤其是约1mm或小于1mm。5.如权利要求1所述的气相沉积设备，包括至少三个对准销，所述对准销在所述圆周方向上彼此间隔开并且突出到相应的对准凹部中，用于将所述可加热屏蔽物定位在离所述可旋转滚筒的预定径向距离处，当所述可加热屏蔽物被加热时，所述预定径向距离在所述圆周方向上的所述可加热屏蔽物的延伸之上具有亚毫米偏差。6.如权利要求1至5中任一项所述的气相沉积设备，其中所述边缘排除部分构造为掩蔽所述基板的两个对向的横向边缘。7.如权利要求1至5中任一项所述的气相沉积设备，其中所述可加热屏蔽物包括分段部分，所述分段部分用于掩蔽内部基板区域，以允许两个涂覆条带的沉积。8.如权利要求7所述的气相沉积设备，其中所述分段部分将由所述可加热屏蔽物提供的涂覆窗分成两个或更多个子窗，所述两个或更多个子窗在横向方向上具有基本相等宽度。9.如权利要求1至5中任一项所述的气相沉积设备，包括加热布置，用于主动地或被动地将所述可加热屏蔽物加热至高于蒸气凝结温度的温度，尤其是，至500℃或以上和600℃或以下的温度。10.如权利要求9所述的气相沉积设备，还包括：控制器，连接到所述加热布置，并且构造为控制所述可加热屏蔽物的所述温度以低于所述蒸气源内部的温度，且高于所述蒸气传播空间中的蒸气凝结温度。11.如权利要求1至5中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：