通过组合来自多个收集通道的信息的设计与晶片图像相关性制造技术

能够使用光学检验系统形成半导体晶片上的特征的至少三个暗场图像。所述至少三个暗场图像中的每一者来自使用在图像产生期间完全敞开的孔隙的所述光学检验系统的不同通道。所述暗场图像能够被融合到与对应设计对准的伪晶片图像中。这种对准能够改进关照区域放置。这种对准能够改进关照区域放置。这种对准能够改进关照区域放置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过组合来自多个收集通道的信息的设计与晶片图像相关性
[0001]相关申请案的交叉参考
[0002]本申请案主张2020年6月19日申请且转让给第202041025897号申请案的印度专利申请案及2020年8月5日申请且转让给第63/061,278号美国申请案的临时专利申请案的优先权，所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。


[0003]本公开涉及半导体检验。

技术介绍

[0004]半导体制造行业的演化正对良率管理且尤其对计量及检验系统提出更高要求。临界尺寸继续缩小，但所述行业需减少实现高良率、高价值生产的时间。最小化从检测良率问题到解决所述问题的总时间最大化半导体制造商的投资回报率。
[0005]制造半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常包含使用大量制造工艺处理半导体晶片以形成所述半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是半导体制造工艺，其涉及将图案从光罩转印到布置在半导体晶片上的光致抗蚀剂。半导体制造工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。可将在单个半导体晶片上制造的多个半导体装置的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：使用光学检验系统产生半导体晶片上的特征的至少三个暗场图像，其中所述至少三个暗场图像中的每一者来自所述光学检验系统的不同通道，且其中用于所述光学检验系统中的所述通道中的每一者的孔隙在所述产生期间完全敞开；使用处理器融合所述至少三个暗场图像以形成伪晶片图像；及使用所述处理器将所述伪晶片图像与对应设计对准。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述不同通道包含至少一个侧通道及至少一个顶部通道。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用所述处理器将用于检验的关照区域汇入到所述伪晶片图像。4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括使用所述处理器确定所述关照区域的放置准确性。5.一种光学检验系统，其包括：载物台，其经配置以固持半导体晶片；光源，其产生经引导到所述载物台的光；光学器件，其接收来自所述载物台上的所述半导体晶片的光且提供三个通道；三个孔隙，其接收来自所述载物台上的所述半导体晶片的光，其中所述三个孔隙中的每一者接收来自所述三个通道中的不同一者的光；三个检测器，其接收来自所述载物台上的所述半导体晶片的光，其中所述三个检测器中的每一者接收来自所述三个通道中的不同一者的所述光；及处理器，其与所述三个检测器电子通信，其中所述处理器经配置以：产生所述半导体晶片上的特征的至少三个暗场图像，其中所述三个暗场图像中的每一者来自所述三个通道中的不同一者；融合所述至少三个暗场图像以形成伪晶片图像；及将所述伪晶片图像与对应设计对准。6.根据权利要求5所述的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：