【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]本申请与2020年6月26日向日本国专利局提出的日本特愿2020－110900号对应，在此引用并录入本申请的全部公开内容。本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
[0002]专利文献1公开了一种具备半导体基板、n型的漂移区域、p型的主体区域、多个沟槽栅极构造、多个沟槽源极构造、n型的多个源极区域、以及p型的多个主体接触区域的半导体装置。漂移区域形成于半导体基板的表层部。主体区域形成于漂移区域的表层部。多个沟槽栅极构造以到达漂移区域的方式空出间隔地形成于半导体基板，以向一方方向延伸的条纹状排列。
[0003]多个沟槽源极构造分别形成于半导体基板中接近的两个沟槽栅极构造之间的区域，以沿沟槽栅极构造延伸的条纹状排列。各源极区域在主体区域的表层部沿各沟槽栅极构造形成。各主体接触区域在主体区域的表层部沿各沟槽源极构造形成，且与各源极区域连接。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：美国专利申请公开第2017/0040423号说明书
专利技术...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体芯片，其具有主面；第一导电型的漂移区域，其形成于上述主面的表层部；第二导电型的主体区域，其形成于上述漂移区域的表层部；第一导电型的源极区域，其形成于上述主体区域的表层部；多个沟槽源极构造，其以横穿上述源极区域以及上述主体区域而到达上述漂移区域的方式形成于上述主面，在第一方向上空出间隔地排列；第二导电型的主体连接区域，其以与上述主体区域电连接的方式在上述主体区域的表层部中形成于接近的两个上述沟槽源极构造之间的区域；以及第一导电型的源极连接区域，其以与上述源极区域电连接的方式在上述主体区域的表层部中且在与上述主体连接区域不同的区域形成于接近的两个上述沟槽源极构造之间的区域。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述源极连接区域隔着上述沟槽源极构造在上述第一方向上与上述主体连接区域对置。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，多个上述沟槽源极构造分别形成为在上述第一方向上延伸的带状。4.根据权利要求1～3任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述主体连接区域具有超过上述主体区域的杂质浓度的杂质浓度。5.根据权利要求1～4任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述源极区域具有超过上述漂移区域的杂质浓度的杂质浓度，上述源极连接区域具有超过上述漂移区域的杂质浓度的杂质浓度。6.根据权利要求1～5任一项中所述的半导体装置，其特征在于，上述源极连接区域利用上述源极区域的一部分而形成。7.根据权利要求1～6任一项中所述的半导体装置，其特征在于，形成有多个上述主体连接区域，形成有多个上述源极连接区域。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，多个上述源极连接区域沿上述第一方向与多个上述主体连接区域交替地形成。9.根据权利要求1～8任一项中所述的半导体装置，其特征在于，还包括多个沟槽栅极构造，该多个沟槽栅极构造以横穿上述源极区域以及上述主体区域而到达上述漂移区域的方式形成于上述主面，分别在上述第一方向上延伸，且在与上述第一方向交叉的第二方向上空出间隔地排列在上述主面上，多个上述沟槽源极构造在接近的两个上述沟槽栅极构造之间且在上述第一方向上空出间隔地排列。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，上述主体连接区域从多个上述沟槽栅极构造空出间隔地形成。11.根据权利要求9或10所述的半...
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