放大电路制造技术

本发明专利技术涉及放大电路。放大电路具备包含放大晶体管(10)的放大器(5)和偏置电路(1)，偏置电路(1)包含：具有基极端子(B1)及集电极端子(C1)的偏置晶体管(22)；具有栅极端子(G2)、源极端子(S3)以及漏极端子(D4)的晶体管(33)；具有栅极端子(G3)、源极端子(S5)以及漏极端子(D6)的晶体管(31)；电阻(41及42)；以及电流源(60)，源极端子(S3及S5)与电源连接，电阻(42)的一端与基极端子(B1)连接，电阻(42)的另一端与漏极端子(D6)连接，电阻(41)的一端与电阻(42)的另一端连接，电阻(41)的另一端与偏置输出端子(100)连接，还具备反馈电路，基于集电极端子(C1)的电位来控制基极端子(B1)的电位。端子(C1)的电位来控制基极端子(B1)的电位。端子(C1)的电位来控制基极端子(B1)的电位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】放大电路


[0001]本专利技术涉及具备偏置电路的放大电路。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了具备具有放大器晶体管的RF功率放大器和与RF功率放大器连接的偏置电路的RF功率放大电路。偏置电路包括：与放大器晶体管一起形成电流反射镜的偏置晶体管、与偏置晶体管的漏极端子连接的电流源、以及连接在电流源与偏置晶体管之间并形成电流反射镜的第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管以及第二晶体管的漏极端子与电源连接。另外，在偏置晶体管的栅极端子与漏极端子之间连接有第一电阻，在放大器晶体管与偏置晶体管之间连接有第二电阻。
[0003]专利文献1：日本特开2015
‑
46876号公报
[0004]然而，在专利文献1所公开的RF功率放大电路中，在使用低电压电源的情况下，若将偏置晶体管的栅极电位以及漏极电位确保在高电位，则第二晶体管的漏极－源极间电压变小，有可能引起第二晶体管动作不良。其结果，产生无法向与偏置晶体管形成电流反射镜的放大晶体管供给稳定的偏置信号的问题。

技术实现思路

[0005]因此，本专利技术是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供具备能够供给稳定的偏置信号的偏置电路的放大电路。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术的一方式所涉及的放大电路具备：放大器，包含放大晶体管；以及偏置电路，向上述放大器供给偏置信号，上述偏置电路包含：与上述放大器连接的偏置输出端子；具有第一控制端子、第一端子以及第二端子的偏置晶体管；具有第二控制端子、第三端子以及第四端子的第一晶体管；具有第三控制端子、第五端子以及第六端子的第二晶体管；第一电阻及第二电阻；以及与上述第三端子或上述第四端子连接的电流源，上述放大晶体管和上述偏置晶体管构成第一电流反射镜电路，上述第一晶体管和上述第二晶体管构成第二电流反射镜电路，上述第三端子以及上述第五端子与电源连接，上述第一电阻的一端与上述第一控制端子连接，上述第一电阻的另一端与上述第六端子连接，上述第二电阻的一端与上述第一电阻的另一端连接，上述第二电阻的另一端与上述偏置输出端子连接，上述偏置电路还具备反馈电路，基于上述第一端子的电位来控制上述第一控制端子的电位。
[0007]根据本专利技术，能够提供具备可以供给稳定的偏置信号的偏置电路的放大电路。
附图说明
[0008]图1是实施方式1所涉及的放大电路的电路结构图。
[0009]图2是表示实施方式1所涉及的偏置电路的反馈回路的图。
[0010]图3是比较例所涉及的偏置电路的电路结构图。
[0011]图4是实施方式2所涉及的放大电路的电路结构图。
[0012]图5是表示实施方式2所涉及的偏置电路的反馈回路的图。
具体实施方式
[0013]以下，使用实施方式及其附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。此外，以下进行说明的实施方式均是表示总体的或者具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，不是限定本专利技术的主旨。对于以下的实施方式中的构成要素中的未在独立权利要求中记载的构成要素，作为任意的构成要素来说明。另外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比不一定严格。
[0014](实施方式1)
[0015]图1是实施方式1所涉及的放大电路的电路结构图。如该图所示，本实施方式所涉及的放大电路具备放大器5和偏置电路1。
[0016]放大器5具备放大晶体管10和电感器11。放大晶体管10例如是双极型的晶体管。放大晶体管10的基极端子与偏置电路1的偏置输出端子100连接。另外，向放大晶体管10的基极端子输入高频信号RFin。在放大晶体管10的发射极端子与接地之间连接有电感器11。另外，放大晶体管10的集电极端子与电源(电源电压V1)连接。另外，从放大晶体管10的集电极端子输入高频信号RFout。根据上述结构，放大器5对从基极端子输入的高频信号RFin进行功率放大，从集电极端子作为高频信号RFout输出。
[0017]此外，也可以在放大晶体管10的集电极端子与电源之间配置有电感器、电容器以及开关等电路元件。另外，也可以在放大晶体管10的基极端子连接有DC截止用的电容器等电路元件。另外，也可以在放大晶体管10的发射极端子连接有其它电路元件，而不是电感器11。
[0018]偏置电路1包含：偏置输出端子100、偏置晶体管22、晶体管21、31、32、33、34、35及36、电阻41及42、电容器51及52、电流源60。
[0019]偏置输出端子100与放大器5的放大晶体管10的基极端子连接。
[0020]偏置晶体管22是具有基极端子B1(第一控制端子)、集电极端子C1(第一端子)以及发射极端子E2(第二端子)的n型双极晶体管。
[0021]晶体管33是第一晶体管的一个例子，是具有栅极端子G2(第二控制端子)、源极端子S3(第三端子)以及漏极端子D4(第四端子)的p型场效应型晶体管。晶体管31是第二晶体管的一个例子，是具有栅极端子G3(第三控制端子)、源极端子S5(第五端子)以及漏极端子D6(第六端子)的p型场效应型晶体管。
[0022]晶体管32是第三晶体管的一个例子，是具有栅极端子G4(第四控制端子)、源极端子S7(第七端子)以及漏极端子D8(第八端子)的p型场效应型晶体管。晶体管34是第四晶体管的一个例子，是具有栅极端子G5(第五控制端子)、源极端子S9(第九端子)以及漏极端子D10(第十端子)的p型场效应型晶体管。
[0023]晶体管36是第五晶体管的一个例子，是具有栅极端子G6(第六控制端子)、漏极端子D11(第十一端子)以及源极端子S12(第十二端子)的n型场效应型晶体管。晶体管35是第六晶体管的一个例子，是具有栅极端子G7(第七控制端子)、漏极端子D13(第十三端子)以及源极端子S14(第十四端子)的n型场效应型晶体管。
[0024]电流源60连接在漏极端子D4与接地之间。此外，电流源60也可以连接在源极端子S3与电源(电源电压V0)之间。
[0025]电阻42是第一电阻的一个例子，电阻42的一端与基极端子B1连接，电阻42的另一端与漏极端子D6连接。电阻41是第二电阻的一个例子，电阻41的一端与电阻42的另一端连接，电阻41的另一端与偏置输出端子100连接。发射极端子E2与接地连接。根据上述结构，放大晶体管10和偏置晶体管22构成第一电流反射镜电路。
[0026]源极端子S3、S5、S7以及S9与电源(电源电压V0)连接。另外，栅极端子G2与栅极端子G3及G4连接。栅极端子G2和漏极端子D4被连接。根据上述结构，晶体管31和晶体管33构成第二电流反射镜电路。
[0027]漏极端子D8与集电极端子C1以及栅极端子G5连接。
[0028]漏极端子D11与漏极端子D10连接，漏极端子D13连接于电阻41与电阻42的连接节点。栅极端子G6与栅极端子G7连接。源极端子S12以及S14与接地连接。根据上述结构，晶体管35和晶体管36构成第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种放大电路，具备：放大器，包含放大晶体管；以及偏置电路，向上述放大器供给偏置信号，上述偏置电路包含：与上述放大器连接的偏置输出端子；具有第一控制端子、第一端子以及第二端子的偏置晶体管；具有第二控制端子、第三端子以及第四端子的第一晶体管；具有第三控制端子、第五端子以及第六端子的第二晶体管；第一电阻及第二电阻；以及与上述第三端子或上述第四端子连接的电流源，上述放大晶体管和上述偏置晶体管构成第一电流反射镜电路，上述第一晶体管和上述第二晶体管构成第二电流反射镜电路，上述第三端子以及上述第五端子与电源连接，上述第一电阻的一端与上述第一控制端子连接，上述第一电阻的另一端与上述第六端子连接，上述第二电阻的一端与上述第一电阻的另一端连接，上述第二电阻的另一端与上述偏置输出端子连接，上述偏置电路还具备反馈电路，基于上述第一端子的电位来控制上述第一控制端子的电位。2.根据权利要求1所述的放大电路，其中，上述反馈电路包含：具有第四控制端子、第七端子以及第八端子的第三晶体管；具有第五控制端子、第九端子以及第十端子的第四晶体管；具有第六控制端子、第十一端子以及第十二端子的第五晶体管；以及具有第七控制端子、第十三端子以及第十四端子的第六晶体管，上述第四控制端子与上述第二控制端子连接，上述第七端子以及上述第九端子与上述电源连接，上述第八端子与上述第一端子以及上述第五控制端子连接，上述第五晶体管和上述第六晶体管构成第三电流反射镜电路，上述第十一端子与上述第十端子连接，上述第十三端子连接于上述第一电阻和上述第二电阻的连接节点。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：那须浩司，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：