半导体封装结构制造技术

本申请涉及一种半导体封装结构，包括：第一基板；第二基板；第一组堆叠器件，设置在第一基板与第二基板之间，并且第一组堆叠器件之间具有第一间隙；第二组堆叠器件，设置在第一基板与第二基板之间；封装件，至少包覆第二组堆叠器件；间隔件，设置在第一间隙中，使得第二组堆叠器件之间具有第二间隙，第二间隙容置封装件。上述技术方案，至少能够改善具有堆叠器件的封装结构中基板产生形变的问题。的封装结构中基板产生形变的问题。的封装结构中基板产生形变的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构


[0001]本申请涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

[0002]在现有3D(三维)堆叠封装结构中，参考图1所示，分别带有至少一个器件12的基板10与带有至少一个器件22的基板20堆叠设置。在利用表面贴焊技术(SMT，Surface Mount Technology)形成堆叠的基板10、20 之后，基板10、20会发生形变(deform)。导致形变的因素大致有两种：(1)3D堆叠封装结构中基板本身热膨胀系数(CTE，coefficient of thermalexpansion)不匹配而发生翘曲(warpage)；(2)在SMT制程之后，受到用于形成模塑料的模制(mold)流程影响。这两种因素不仅会导致器件与基板(例如器件22与基板20)之间产生的焊料对接非接点(non
‑
joint)，还会使得器件12的背侧与器件22的背侧之间的间隙30缩小，间隙30的尺寸可能低至0μm到7.8μm的范围内，导致模塑料无法填充该间隙30而产生孔洞，从而影响结构可靠性。

技术实现思路

[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一基板；第二基板；第一组堆叠器件，设置在所述第一基板与所述第二基板之间，并且所述第一组堆叠器件之间具有第一间隙；第二组堆叠器件，设置在所述第一基板与所述第二基板之间；封装件，至少包覆所述第二组堆叠器件；间隔件，设置在所述第一间隙中，使得所述第二组堆叠器件之间具有第二间隙，所述第二间隙容置所述封装件。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一间隙小于所述第二间隙。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二间隙大于所述封装件的填料尺寸。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述间隔件在垂直于所述第一组堆叠器件的堆叠方向上的宽度等于所述第一组堆叠器件中的一个第一器件在垂直于所述堆叠方向上的宽度。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一组堆叠器件中的一个第一器件的一侧壁从另一个第一器件突...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢濠至，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：