改善动态EVM的电路系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种改善动态EVM的电路系统，其主要包括射频通道与主控芯片，其中，射频通道还包括功率检测单元，功率检测单元包括第一晶体管、小功率检波子单元及大功率检波子单元，小功率检波子单元对输入信号进行小功率检波以形成第一线性区域，大功率检波子单元对输入信号进行大功率检波以形成第二线性区域，第一晶体管的基极分别与小功率检波子单元的输出端、大功率检波子单元的输出端连接，以对小功率检波子单元与大功率检波子单元的输出进行叠加以形成连续的线性区域；第一晶体管的发射极与主控芯片连接，其集电极与电源连接。本实用新型专利技术的改善动态EVM的电路系统，实现了动态的补偿偏置电路，实现DEVM性能的改善。实现DEVM性能的改善。实现DEVM性能的改善。

【技术实现步骤摘要】
改善动态EVM的电路系统


[0001]本技术涉及射频微波领域，更具体地涉及一种改善动态EVM的电路系统。

技术介绍

[0002]在WiFi射频前端芯片设计过程中往往存在动态矢量误差值(DEVM)不能满足指标要求，而为了改善WiFi射频前端芯片的DEVM性能，实际在设计中往往需要实时的动态调整功放的静态偏置电流。目前主流的设计方案是采用有源偏置电路并将温度检测管内置到功放内部对温度动态调整静态电流，但这一案法随着WiFi的更新换代，而愈发的难以满足要求，且设计难度进一步增大。
[0003]目前多数的WiFi射频前端芯片的设计方案大多采用有源偏置电路，并通过将温度检测管等置于功率管温度较高的附近进行温度补偿，进而得到较为良好的DEVM特性。如keysight应用工程师Matthew ozalas在2014年发表的文章《The Impact of Electro
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thermal Coupling On HBT Power Amplifiers》中采用如图1所示的有源偏置电路，并将Qmir作为温度检测管至于HBT中间，得到了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善动态EVM的电路系统，其主要应用于WiFi射频的前端芯片，用以改善WiFi射频的前端芯片的动态EVM，其主要包括射频通道与主控芯片，所述主控芯片用以采集、获取所述射频通道的温度、功率信息，并根据获取的信息动态调节所述射频通道的静态偏置电流；其中射频通道包括，三级放大器，每一级放大器的输入端均设置有偏置单元，且每个所述偏置单元均与所述主控芯片连接，主控芯片控制偏置单元为对应的放大器提供偏置电流；其特征在于，所述射频通道还包括功率检测单元，所述功率检测单元检测所述第三级放大器输出信号的功率，将检测结果输入所述主控芯片，以供所述主控芯片调节所述射频通道的静态偏置电流；所述功率检测单元包括第一晶体管、小功率检波子单元及大功率检波子单元，小功率检波子单元、大功率检波子单元分别接收第三级所述放大器输出的信号，所述小功率检波子单元对输入信号进行小功率检波以形成第一线性区域，所述大功率检波子单元对输入信号进行大功率检波以形成第二线性区域，所述第一晶体管的基极分别与所述小功率检波子单元的输出端、所述大功率检波子单元的输出端连接，以对所述小功率检波子单元与大功率检波子单元的输出进行叠加以形成连续的线性区域；所述第一晶体管的发射极与主控芯片连接，其集电极与电源连接。2.如权利要求1所述的改善动态EVM的电路系统，其特征在于，所述小功率检波子单元包括第二晶体管、耦合电路及偏置电路，所述耦合电路将第三级所述放大器输出信号的小功率部分耦合至所述小功率检波子单元，并将耦合后的信号输入所述第二晶体管，所述第二晶体管将输入的信号整流后形成电压信号输出至所述第一晶体管；所述偏置电路与所述第二晶体管的基极连接，以为所述第二晶体管提供偏置电流。3.如权利要求2所述的改善动态EVM的电路系统，其特征在于，所述耦合电路包括第一电容与第二电容，所述第一电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：周建，张宗楠，
申请(专利权)人：四川和芯微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：