加热装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及加热装置。提高对基板进行加热并使在该基板形成的涂布膜干燥这样的加热处理的面内均匀性。一种加热装置，其对基板进行加热处理，其中，该加热装置包括：热板，其供基板载置，对该载置的基板进行加热；气体流入部，其使气体向所述热板的上方的空间流入；以及排气部，其用于从所述空间排气，所述气体流入部和所述排气部设为俯视时隔着在所述热板载置的基板彼此相对，该加热装置还包括气体供给部，该气体供给部对所述空间的排气部侧向着朝向所述气体流入部侧的方向供给气体。着朝向所述气体流入部侧的方向供给气体。着朝向所述气体流入部侧的方向供给气体。

【技术实现步骤摘要】
加热装置


[0001]本公开涉及加热装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1公开了加热单元，其具有供基板载置且用于对该基板进行加热处理的热板。该加热单元具备设有热板的处理容器，在处理容器具备对该处理容器内进行排气的排气装置。在热板的深处侧附近形成有与排气装置连接的排气口，在热板的近前侧附近形成有与气体供给源连接的喷出口。在热板的上方配设有顶板。在该加热单元，从喷出口供给吹扫用气体，利用排气口对该吹扫用气体进行抽吸而形成气体流并且利用顶板对该气体流进行整流，利用该被整流了的气体流防止微粒附着于加热处理中的基板。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2010
‑
45190号公报

技术实现思路

[0006]技术要解决的问题
[0007]本公开的技术提高对基板进行加热并使在该基板形成的涂布膜干燥这样的加热处理的面内均匀性。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一技术方案是一种加热装置，其对基板进行加热处理，其中，该加热装置包括：热板，其供基板载置，对该载置的基板进行加热；气体流入部，其使气体向所述热板的上方的空间流入；以及排气部，其用于从所述空间排气，所述气体流入部和所述排气部设为俯视时隔着在所述热板载置的基板彼此相对，该加热装置还包括气体供给部，该气体供给部对所述空间的排气部侧向着朝向所述气体流入部侧的方向供给气体。
[0010]对于上述加热装置，也可以是，所述气体供给部向斜上方向供给气体。
[0011]对于上述加热装置，也可以是，所述气体供给部从所述排气部的下侧供给气体。
[0012]对于上述加热装置，也可以是，所述气体供给部具有喷出口，该喷出口形成于所述基板在俯视时与从所述气体流入部朝向所述排气部的气流方向正交的方向上的宽度的范围内。
[0013]对于上述加热装置，也可以是，从所述气体供给部供给的气体的流速比从所述气体流入部朝向所述排气部流动的气体的流速低。
[0014]对于上述加热装置，也可以是，该加热装置还包括其他气体供给部，该其他气体供给部从俯视时与从所述气体流入部朝向所述排气部的气流方向正交的方向上的、在所述热板载置的基板的侧方对所述空间向着所述正交的方向供给气体。
[0015]对于上述加热装置，也可以是，该加热装置还包括：顶板，其隔着所述空间与所述热板相对；升降机构，其使基板升降；以及控制部，所述控制部进行如下控制：保持基板相对
于所述顶板离开规定距离的第1状态，进行基板上的涂布膜的干燥，之后，以所述顶板和基板之间的间隔比所述第1状态下的该间隔大的第2状态将基板加热至规定的处理温度，进一步进行所述涂布膜的干燥。
[0016]对于上述加热装置，也可以是，在所述第1状态下，基板比在所述第2状态下远离热板。
[0017]对于上述加热装置，也可以是，在所述第1状态下，所述气体供给部的气体的喷出轴线与基板的背面交叉。
[0018]技术的效果
[0019]根据本公开，能够提高对基板进行加热并使在该基板形成的涂布膜干燥这样的加热处理的面内均匀性。
附图说明
[0020]图1是表示第1实施方式的加热装置的概略结构的横剖视图。
[0021]图2是表示第1实施方式的加热装置的概略结构的纵剖视图。
[0022]图3是图2的局部放大图。
[0023]图4是用于说明第1实施方式的加热处理的效果的图。
[0024]图5用于说明利用第1实施方式的加热装置对晶圆W进行加热处理的其他例子。
[0025]图6用于说明利用第1实施方式的加热装置对晶圆W进行加热处理的其他例子。
[0026]图7是表示第2实施方式的加热装置的概略结构的横剖视图。
[0027]图8是用于说明第2实施方式的加热处理的效果的图。
具体实施方式
[0028]在半导体器件等的制造工艺中，在半导体晶圆(以下，称为“晶圆”)等基板上形成抗蚀膜等涂布膜。
[0029]对于在基板上形成了涂布膜的情况，为了调节涂布膜的干燥程度，对基板进行加热处理。该加热处理通常利用具有供基板载置且对该基板进行加热的热板的加热装置进行。
[0030]在加热装置，以回收由于加热而从涂布膜汽化的溶剂等为目的，对该加热装置的内部进行排气。作为加热装置的排气方式，具有以下方式：在热板的周缘部上方设置气体的喷出口，在热板的中央部上方设置排气口，形成从热板的周缘部向中央部流动的气流而进行排气。此外，作为其他排气方式，具有以下方式：在热板的深处侧设置排气口，在热板的近前侧设置气体的喷出口，从近前侧向深处侧形成单向流动的气流而进行排气。虽然结果也会根据膜种类而改变，但是与前者的方式相比，后者的方式能够使涂布膜在基板面内均匀地干燥。但是，对于后者的方式，在基板的处于上述单向流动的下游侧的部分，涂布膜的干燥有时会不充分。例如，涂布膜较厚的情况。此外，作为消除上述单向流动的下游侧的部分处的干燥的不充分性的方法，具有使基板的加热时间延长的方法。但是，在该方法中，在与上述单向流动的下游侧的部分不同的部分，涂布膜的固化进展，在之后进行显影等时，涂布膜有时会意外地残留，即，有时会产生残渣。
[0031]因此，本公开的技术提高对基板进行加热并使在该基板形成的涂布膜干燥这样的
加热处理的面内均匀性。
[0032]以下，参照附图对本实施方式的加热装置和加热方法进行说明。另外，在本说明书中，对实质上具有相同的功能结构的要素，标注相同的附图标记并省略重复的说明。
[0033](第1实施方式)
[0034]＜加热装置＞
[0035]图1和图2分别是表示第1实施方式的加热装置的概略结构的横剖视图和纵剖视图。图3是图2的局部放大图。
[0036]如图1和图2所示，加热装置1具有能够使内部密闭的壳体10。壳体10例如具有长方体形状，利用分隔壁11分隔为上部区域12和下部区域13。在壳体10的上部区域12侧的一侧壁形成有作为基板的晶圆W的送入送出口10a，针对该送入送出口10a设有开闭闸10b。
[0037]此外，壳体10在送入送出口10a侧即近前侧(附图的Y方向负侧)具有对晶圆W进行冷却而进行温度调节的温度调节区域14，并且在深处侧(附图的Y方向正侧)具有对晶圆W进行加热的加热区域15，上述温度调节区域14和加热区域15被分隔壁16分隔开。在分隔壁16形成有供载置有晶圆W的后述的冷却板20穿过的开口16a。开口16a的长度方向(附图的X方向)上的长度(宽度)至少比晶圆W的直径大。对于开口16a，设有调整该开口16a的开口度的闸门16b。在本实施方式中，开口16a作为使气体向后述的热板30的上方的空间流入的气体流入部发挥功能。
[0038]在温度调节区域14内设有供晶圆W载置并对该载置的晶圆W进行冷却而进行温度调节的冷却板20，在加热区域15内设有供晶圆W载置并对该载置的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热装置，其对基板进行加热处理，其特征在于，该加热装置包括：热板，其供基板载置，对该载置的基板进行加热；气体流入部，其使气体向所述热板的上方的空间流入；以及排气部，其用于从所述空间排气，所述气体流入部和所述排气部设为俯视时隔着在所述热板载置的基板彼此相对，该加热装置还包括气体供给部，该气体供给部对所述空间的排气部侧向着朝向所述气体流入部侧的方向供给气体。2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述气体供给部向斜上方向供给气体。3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述气体供给部从所述排气部的下侧供给气体。4.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述气体供给部具有喷出口，该喷出口形成于所述基板在俯视时与从所述气体流入部朝向所述排气部的气流方向正交的方向上的宽度的范围内。5.根据权利要求1～4中任一项所述的加热装置，其特征在于，从所述气体供给部供给的气体的流速比从所述气体流入部朝向所述排气部流动的气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：井手裕幸，山中晋一郎，相良慎一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：新型
国别省市：