一种电子传输材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种电子传输材料及其制备方法和应用，所述电子传输材料具有如式I所示结构，是一种具有稠环

【技术实现步骤摘要】
一种电子传输材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于有机光电材料
，具体涉及一种电子传输材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光(EL)的原理是通过电能激发有机材料进行发光。OLED器件是一种利用多层有机薄膜结构产生电激发光的器件，它具有易制作以及只需很低的驱动电压的优点。与LCD器件相比，OLED器件具有很多优点，例如自发光、广视角、高效率、广色域、可柔性显示等，因此OLED器件已经成为了新一代主流的平面显示器。
[0003]为了提高OLED器件的性能，需要在器件中选用高性能的OLED功能材料，从而发挥器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。构成OLED器件中有机材料层的材料有空穴传输材料、发光材料、电子传输材料等。应用于OLED器件中的有机材料应当具有以下特点：在可见光区具有较高效率的荧光、较高的导电率、良好的半导体特性、具有良好的成膜特性以及成型后的薄膜具有较好的均一性。
[0004]为了进一步提高的OLED器件的使用寿命，常需要对应用于OLED器件的有机材料进行改进和创新。例如，CN111171028A公开了一种OLED电子传输材料，该电子传输材料以萘啶类基团为中心，一侧连接含有苯并恶唑基团，一侧连接其它的具有电子传输性能的芳基基团的不对称结构的小分子，该OLED材料，具有良好的成膜性；分子中含有大的刚性基团，具有高的热稳定性。作为电子传输材料应用于OLED器件中，能够获得良好的器件性能，较低的驱动电压；同时，器件的发光效率、寿命得到较大改善。CN111217803A公开了一种小分子OLED电子传输材料，该小分子OLED电子传输材料的化合物中包括相互连接的芳香稠杂环和芳基取代的苯并咪唑基团。这两种基团不仅使化合物具有良好的受电子能力，而且趋向平面性有利于分子的堆叠，且有利于空穴和电子的结合，生成激子，从而提升材料的电子迁移率，提高器件效率。同时，二者的结合使得载流子传输平衡。将其应用于有机发光器件，作为电子传输层使用，器件表现出驱动电压低、发光效率高的优点。CN107936038A公开了一种将BTBT作为电子传输材料的母核，该母核具有优异的平面性、结晶性以及载流子传输性能。通过在两端的至少一个中引入含氮芳香杂环的吸电子封端基团，降低体系的LUMO能级，从而提高了材料的电子传输性能。同时，BTBT作为母核带给材料较高的三线态能级，有利于提高器件的稳定性。该OLED电子传输材料具有较高的电子传输性能，成膜性好，在室温下具有较好的稳定性，因此可以降低驱动电压，在室温下较好的稳定性使得器件工作更加稳定，使用寿命较长。
[0005]虽然现有技术中已经公开了电子传输材料及其在OLED器件中的应用，但是电子传输材料的种类仍然较少，而且还存在驱动电压较高、传输效率低，从而导致使用寿命缩短的问题。
[0006]因此，开发出更多种类的具有优异稳定性、传输效率高的电子传输材料，以满足低驱动电压、高效率和长寿命的OLED的需要，具有重要的实际意义。

技术实现思路

[0007]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种电子传输材料及其制备方法与应用，所述电子传输材料通过特定结构的母核与特殊位点上的取代基的协效作用，具有优异的电子传输性能，将其应用于OLED器件，可以有效提高器件的发光效率，降低驱动电压，延长工作寿命。
[0008]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]第一方面，本专利技术提供一种电子传输材料，所述电子传输材料具有如式I所示结构：
[0010][0011]其中，A1、A2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基、取代或未取代的C3～C30亚环烷基中的任意一种。
[0012]L1、L2各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C3～C30环烷基中的任意一种。
[0013]m为0～4的整数(例如可以为1、2或3等)，p为1～4的整数(例如可以为2或3等)。
[0014]所述C6～C30可以为C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C22、C24、C25、C27或C29等。
[0015]所述C3～C30可以为C4、C5、C6、C8、C10、C12、C15、C18、C20、C22、C24、C25、C27或C29等。
[0016]本专利技术提供的电子传输材料是稠环
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咔唑基化合物，母核结构为大共轭结构，该结构使得电子云分布更均匀，有利于电子传输，同时降低分子内能，提高分子稳定性，使材料在蒸镀过程中更不易变质，母核结构与取代基协效作用，赋予了电子传输材料优异的电子传输性能，将其应用于OLED器件，可以有效提高器件的发光效率，降低驱动电压，延长工作寿命。
[0017]本专利技术中，A1、A2、L1、L2中所述取代的取代基各自独立地选自C6～C30(例如C6、C8、C10、C12、C15、C18、C20、C22、C24、C27或C29等)芳基、C3～C30(例如C4、C5、C6、C8、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27或C29等)杂芳基或C3～C30(例如C4、C5、C6、C8、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27或C29等)环烷基中的至少一种。
[0018]优选地，所述m为0或1。
[0019]优选地，所述p为1。
[0020]本专利技术中，所述A1、A2各自独立地为单键或C6～C18亚芳基中的任意一种。
[0021]所述“A1为单键”，意指取代基L1与母核结构通过单键连接，所述“A2为单键”，意指取代基L2与母核结构通过单键连接，下文涉及相同描述时(“A1为单键”或“A2为单键”)，具有相同的意义。
[0022]优选地，所述A1、A2各自独立地选自单键、亚苯基、亚联苯基或亚萘基。
[0023]本专利技术中，所述L1选自C6～C20芳基中的任意一种。
[0024]所述C6～C20芳基，例如可以为C6、C8、C9、C10、C12、C16或C18等的芳基，示例性地包括但不限于：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基或芴基等。
[0025]优选地，所述L1为苯基或联苯基。
[0026]优选地，所述L2选自取代或未取代的C3～C30杂芳基中的任意一种。
[0027]所述C3～C30杂芳基，例如可以为C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27或C29等的杂芳基，所述杂芳基的杂原子包括N、O或S等，示例性地包括但不限于：N
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苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、咔唑基、吖啶基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、喹啉基或异喹啉基等。
[0028]优选地，所述L2选自苯并吖啶基、二苯并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子传输材料，其特征在于，所述电子传输材料具有如式I所示结构：其中，A1、A2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基、取代或未取代的C3～C30亚环烷基中的任意一种；L1、L2各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C3～C30环烷基中的任意一种；m为0～4的整数，p为1～4的整数。2.根据权利要求1所述的电子传输材料，其特征在于，A1、A2、L1、L2中所述取代的取代基各自独立地选自C6～C30芳基、C3～C30杂芳基或C3～C30环烷基中的至少一种；优选地，所述m为0或1；优选地，所述p为1。3.根据权利要求1或2所述的电子传输材料，其特征在于，所述A1、A2各自独立地为单键或C6～C18亚芳基中的任意一种；优选地，所述A1、A2各自独立地选自单键、亚苯基、亚联苯基或亚萘基。4.根据权利要求1
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3任一项所述的电子传输材料，其特征在于，所述L1选自C6～C20芳基中的任意一种；优选地，所述L1为苯基或联苯基；优选地，所述L2选自取代或未取代的C3～C30杂芳基中的任意一种；优选地，所述L2选自苯并吖啶基、二苯并吖啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基中的任意一种；所述取代的取代基各自独立地选自C6～C20芳基或C3～C20杂芳基中的至少一种；优选地，所述L2选自如下基团中的任意一种：

【专利技术属性】
技术研发人员：于蕾，
申请(专利权)人：上海和辉光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：