集成电路制造技术

一种集成电路包含具有第一区和第二区的基底；位于第一区中的第一全绕式栅极装置，第一全绕式栅极装置包含沿第一方向纵向延伸的第一通道构件，以及包覆第一通道构件的通道区的第一栅极结构，第一栅极结构包含第一界面层；以及位于第二区中的第二全绕式栅极装置，第二全绕式栅极装置包含沿第一方向纵向延伸的第二通道构件，以及包覆第二通道构件的通道区的第二栅极结构，第二栅极结构包含第二界面层，第二界面层具有邻近第二通道构件的第一部分和在第一部分上方的第二部分，第一部分的密度小于第二部分的密度。度小于第二部分的密度。度小于第二部分的密度。

【技术实现步骤摘要】
集成电路


[0001]本技术实施例关于半导体制造技术，特别关于半导体装置。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业已经历了指数型成长。集成电路材料和设计上的技术进展已产生了数个世代的集成电路，每一世代皆较前一世代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进的历程中，当几何尺寸(亦即使用生产制程可以产生的最小元件(或线))缩减时，功能密度(亦即单位芯片面积的互连装置数量)通常也增加。这种尺寸微缩制程通常借由提高生产效率及降低相关成本而提供一些效益。这样的尺寸微缩也增加了加工和制造集成电路的复杂度。
[0003]举例来说，随着集成电路技术向更小的技术节点发展，已经引入多栅极装置以借由增加栅极
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通道耦合、减少截止状态电流和降低短通道效应(short
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channel effects，SCEs)来改善栅极控制。多栅极(multiple gate或multi
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gate)装置通常是指具有栅极结构或其部分的装置，其设置在通道区的多于一侧上方。纳米片晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其特征在于，一基底，具有一第一区和一第二区；一第一全绕式栅极装置，位于该第一区中，该第一全绕式栅极装置包含：一第一通道构件，沿一第一方向纵向延伸，以及一第一栅极结构，包覆该第一通道构件的通道区，该第一栅极结构包含一第一界面层；以及一第二全绕式栅极装置，位于该第二区中，该第二全绕式栅极装置包含：一第二通道构件，沿该第一方向纵向延伸，以及一第二栅极结构，包覆该第二通道构件的通道区，该第二栅极结构包含一第二界面层，该第二界面层具有邻近该第二通道构件的一第一部分和在该第一部分上方的一第二部分，该第一部分的密度小于该第二部分的密度。2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该第二界面层的该第一部分具有在一第二方向上测量的一第一厚度，该第二方向垂直于该第一方向，该第二界面层的该第二部分具有在该第二方向上测量的一第二厚度，并且该第一界面层具有在该第二方向上测量的一第三厚度，并且其中该第二厚度等于该第三厚度。3.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，该第一厚度为该第二厚度的30％至50％。4.如权利要求2或3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李致葳，黄文宏，游国丰，陈建豪，陈学儒，陈昱璇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：