【技术实现步骤摘要】
车规半导体功率模块短路测试结构
[0001]本技术涉及新能源汽车领域，特别是涉及一种车规半导体功率模块短路测试结构。
技术介绍
[0002]在节能环保的大趋势下，随着光伏和电动汽车行业的增长，半导体产品的功率越做越大，体积也越做越大。而且行业对产品都要求极限工况下的短路能力。但产品体积增大的同时，杂散电感也增大了，这就给短路测试实验检测带来了挑战，所以开发一种能够便捷准确的对大体积半导体功率模块进行一类短路测试方案，对生产方的开发进度及使用方的产品选型筛选就显得尤为重要了。
[0003]体积较大的结构半导体功率模块上下桥的一类短路测试中，一类短路是产品发生短路时，母线电压只有轻微下降。但实际测试中最常遇到，也最不愿遇到的就是二类短路，出现二类短路的原因则是由于产品封装体积增大后，回路中的杂散电感过大引起的，此时母线电压会下降到产品的导通压降，且持续时间较长，此时很容易出现炸管。
[0004]目前常用的解决方案是通过采用铜母排或粗导线短接上桥，电流经铜母排流下下桥，然后测下桥；或通过这种方式短接下桥去测上桥。但...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种车规半导体功率模块短路测试结构，其特征在于，包括：第一测试电源，其正极连接在车规半导体功率模块被测试路上半桥IGBT的栅极，其提供第一电压；所述车规半导体功率模块被测试路上半桥IGBT的发射极接GND；第二测试电源，其连接第一二极管阴极和第二二极管阳极；第一二极管，其阳极经第一电阻连接车规半导体功率模块被测试路下半桥IGBT的栅极第二二极管，其阴极经第二电阻连接车规半导体功率模块被测试路下半桥IGBT的栅极；第三测试电源，其正极连接车规半导体功率模块被测试路上半桥IGBT的集电极；其中，执行测试时，车规半导体功率模块被测试路下半桥IGBT发射极连接地。2.如权利要求1所述的车规半导体功率模块短路测试结构，其特征在于：第一、二、三测试电源均是隔离直流电源。3.如权利要求1所述的车规半导体功率模块短路测试结构，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：贡安昌，王学合，胡志平，
申请(专利权)人：上海芯华睿半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。