一种具有断电保护电路的存储器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有断电保护电路的存储器，其包括DDR3内存颗粒，DDR3内存颗粒包括引脚VDD1至VDD9、引脚VDDQ1至VDDQ9，DDR3内存颗粒的引脚VDD1至VDD9与DDR3内存颗粒的供电电源电连接，引脚VDD1至VDD9与地之间设置有第一断电保护电路；DDR3内存颗粒的引脚VDDQ1至VDDQ9与DDR3内存颗粒的供电电源电连接，引脚VDDQ1至VDDQ9与地之间设置有第二断电保护电路；第一断电保护电路、第二断电保护电路均包括多个并联的电容。本实用新型专利技术利用多个并联的电容形成断电保护电路，避免了当工作过程中发生异常断电时存储器所存储的数据受损害。发生异常断电时存储器所存储的数据受损害。发生异常断电时存储器所存储的数据受损害。

【技术实现步骤摘要】
一种具有断电保护电路的存储器


[0001]本技术涉及存储器
，具体地，涉及一种具有断电保护电路的存储器。

技术介绍

[0002]随着信息时代的到来，工控计算机越来越多的应用到工业生产中，尤其像冶金、高精密生产、机械建模等领域。但计算机经常遇到异常断电或者异常宕机的风险，在生产过程中导致许多重要生产数据丢失，甚至造成不可恢复的损失。因此为了提高数据的安全性和完整性，需要一种具有断电保护电路的且支持断电保护功能的存储器。
[0003]双倍速率动态随机存取存储器(Double Data Rate Dynamic Random Access Memory，DDR DRAM)又称为DDR内存颗粒，是存储器的一种。目前，DDR内存颗粒被DDR2内存颗粒、DDR3内存颗粒和DDR4内存颗粒取代，这些都是具有更快速度和其它改进的相同技术的后继者，并且都是相同的物理尺寸。由于DDR及其后继者具有读写速度比FLASH/硬盘等更快的优点，因此用于缓存一些图像数据和文件信息，但DDR及其后继者同时存在断电即出现数据完全丢失的情况。亟需一种具有断电保护电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有断电保护电路的存储器，其特征在于，包括DDR3内存颗粒，所述DDR3内存颗粒包括引脚VDD1至VDD9、引脚VDDQ1至VDDQ9，DDR3内存颗粒的引脚VDD1至VDD9与DDR3内存颗粒的供电电源电连接，引脚VDD1至VDD9与地之间设置有第一断电保护电路；DDR3内存颗粒的引脚VDDQ1至VDDQ9与DDR3内存颗粒的供电电源电连接，引脚VDDQ1至VDDQ9与地之间设置有第二断电保护电路；所述第一断电保护电路、第二断电保护电路均包括多个并联的电容。2.根据权利要求1所述的具有断电保护电路的存储器，其特征在于，所述第一断电保护电路包括并联的电容C412、电容C443、电容C417、电容C433、电容C451；所述第二断电保护电路包括并联的电容C456、电容C446、电容C418、电容C429、电容C421、电容C452。3.根据权利要求2所述的具有断电保护电路的存储器，其特征在于，C412＝100nF，C443＝100nF，C417＝100nF，C433＝100nF，C451＝100nF，C456＝10uF，C446＝100nF，C418＝100nF，C429＝100nF，C421＝100nF，C452＝100nF。4.根据权利要求1所述的具有断电保护电路的存储器，其特征在于，所述DDR3内存颗粒还包括引脚CK、引脚引脚ZQ、引脚VREFDQ、引脚VREFCA、引脚VSS1至VSS12、引脚VSSQ1至引脚VSSQ9；引脚CK与引脚之间跨接有电阻R435；引脚CK与DDR3内存颗粒的供电电源之间跨接有电阻R436，引脚CK与地之间跨接有电阻R440...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿涛，王腊梅，
申请(专利权)人：北京麦克沃根科技有限公司，
类型：新型
国别省市：