一种载具、沉积炉及半导体制造技术

本实用新型专利技术提供了一种载具、沉积炉及半导体，涉及半导体制造技术领域。载具包括：两个相对设置的底座，以及固定在两个底座之间的多根挡杆；多根挡杆中至少具有一个第一挡杆，第一挡杆上设置有卡齿；第一挡杆可拆卸的固定在底座上；第一挡杆的第一线膨胀系数与待沉积件上待沉积的物质的第二线膨胀系数的比值为：1/3

【技术实现步骤摘要】
一种载具、沉积炉及半导体


[0001]本技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种载具、沉积炉及半导体。

技术介绍

[0002]在制备半导体的过程中，通常采用载具承载待沉积件，对待沉积件进行沉积。
[0003]在反复使用过程中，载具容易断裂或者出现裂缝，使得载具报废，导致载具寿命较短。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种载具、沉积炉及半导体，旨在解决制备半导体时，沉积过程中，载具容易断裂或者出现裂缝，导致载具的寿命较短的问题。
[0005]本技术的第一方面，提供了一种载具，用于在沉积过程中放置待沉积件，包括：两个相对设置的底座，以及固定在两个所述底座之间的多根挡杆；其中，所述多根挡杆中至少具有一个第一挡杆，所述第一挡杆上设置有卡齿，用于限位所述待沉积件；
[0006]所述第一挡杆可拆卸的固定在所述底座上；
[0007]所述第一挡杆的第一线膨胀系数与所述待沉积件上待沉积的物质的第二线膨胀系数的比值为：1/3
‑
3，且所述第一挡杆的抗折强度大于或等于 200Mp。
[0008]在本技术实施例中，第一挡杆的第一线膨胀系数与待沉积件上待沉积的物质的第二线膨胀系数的比值为：1/3
‑
3，即，第一挡杆本身的线膨胀系数和其上待沉积的物质的线膨胀系数差异较小，在反复的高低温过程中，第一挡杆和其上沉积的待沉积物质的线膨胀程度差异不大，大大降低了第一挡杆应力集中的概率，进而大大降低了第一挡杆上出现断裂或裂缝的概率，使得载具断裂或者出现裂缝的概率降低，可以延长载具的寿命。同时，第一挡杆的抗折强度大于或等于200Mp，就是说第一挡杆本身具有良好的力学强度或硬度，在多次使用过程中，不易断裂或破损，寿命较长，进而可以延长载具的寿命。即便是，由于第一挡杆带有卡齿，而卡齿上又带有如尖端等精细结构，第一挡杆长度较大，偶尔出现断裂或裂缝，由于，第一挡杆可拆卸固定在底座上，可以方便地仅更换第一挡杆，不至因为第一挡杆上的断裂或裂缝，导致整个载具报废，可以延长载具的寿命，且更换成本较低。
[0009]可选的，所述第一挡杆为碳化硅挡杆、钨挡杆、钨和碳化硅的叠层挡杆中的一种。
[0010]可选的，所述待沉积件为硅沉积件：所述第一挡杆为碳化硅挡杆，或，所述第一挡杆由钨基体以及包裹所述钨基体的碳化硅层组成。
[0011]可选的，每根所述挡杆中位于两个所述底座之间的部分的长度为2
‑
3米。
[0012]可选的，所述多根挡杆还包括，除了所述第一挡杆之外的第二挡杆；所述第二挡杆可拆卸的固定在所述底座之间；
[0013]和/或，所述第二挡杆的第三线膨胀系数与所述待沉积件上待沉积的物质的第二线膨胀系数的比值为：1/3
‑
3，且所述第二挡杆的抗折强度大于或等于 200Mp。
[0014]可选的，所述第二挡杆为碳化硅挡杆、钨挡杆、钨和碳化硅的叠层挡杆中的一种。
[0015]可选的，所述第一挡杆具有第一榫卯结构，所述底座具有与所述第一榫卯结构配合的第二榫卯结构，所述第一挡杆通过所述第一榫卯结构，与所述底座的第二榫卯结构可拆卸固定；
[0016]或，所述底座具有内螺纹，所述第一挡杆具有与所述内螺纹配合的外螺纹，所述第一挡杆的外螺纹，与所述底座的内螺纹可拆卸固定；
[0017]或，所述载具还包括：挡杆限位结构，所述底座上开设有通孔，所述第一挡杆穿过所述通孔，并通过所述挡杆限位结构可拆卸固定在所述底座上。
[0018]可选的，每个所述底座上的所述通孔的数量，大于所述第一挡杆的数量。
[0019]本技术的第二方面，提供了一种沉积炉，包括任一前述的载具。
[0020]本技术的第三方面，提供了一种半导体，包括：待沉积件，所述待沉积件在前述的沉积炉中沉积过。
[0021]上述沉积炉及半导体具有与前述的载具相同或相似的有益效果，为了避免重复，此处不再赘述。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1示出了本技术实施例中的第一种载具的立体结构示意图；
[0024]图2示出了本技术实施例中的一种载具的使用立体结构示意图；
[0025]图3示出了本技术实施例中的第一种第一挡杆的正视结构示意图；
[0026]图4示出了本技术实施例中的第二种第一挡杆的正视结构示意图；
[0027]图5示出了本技术实施例中的第三种第一挡杆的正视结构示意图；
[0028]图6示出了本技术实施例中的第四种第一挡杆的正视结构示意图；
[0029]图7示出了本技术实施例中的一种载具的局部俯视结构示意图；
[0030]图8示出了本技术实施例中的第一种载具的局部正视结构示意图；
[0031]图9示出了本技术实施例中的第二种载具的局部正视结构示意图；
[0032]图10示出了本技术实施例中的第一种载具的局部立体结构示意图；
[0033]图11示出了本技术实施例中的第二种载具的局部立体结构示意图；
[0034]图12示出了本技术实施例中的第三种载具的局部正视结构示意图；
[0035]图13示出了本技术实施例中的第二种载具的立体结构示意图。
[0036]附图标记说明：
[0037]101
‑
底座，1011
‑
底座的内螺纹，1012
‑
通孔，2
‑
待沉积件，102
‑
第一挡杆， 1021
‑
卡齿，103
‑
第二挡杆，104
‑
螺母，105
‑
插销，106
‑
插销盒子，107
‑
插销辅助固定件，108
‑
插销固定卡点，109
‑
把手。
具体实施方式
[0038]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行
清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0039]专利技术人发现，现有技术中，制备半导体时，沉积过程中，载具容易断裂或者出现裂缝，导致载具的寿命较短的主要原因在于：现有技术中，制备半导体时，待沉积件沉积过程所用载具通常为石英载具，沉积过程中，石英载具上也会沉积上待沉积的物质，然而石英载具的线膨胀系数仅为0.55
×ꢀ
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种载具，用于在沉积过程中放置待沉积件，其特征在于，包括：两个相对设置的底座，以及固定在两个所述底座之间的多根挡杆；其中，所述多根挡杆中至少具有一个第一挡杆，所述第一挡杆上设置有卡齿，用于限位所述待沉积件；所述第一挡杆可拆卸的固定在所述底座上；所述第一挡杆的第一线膨胀系数与所述待沉积件上待沉积的物质的第二线膨胀系数的比值为：1/3
‑
3，且所述第一挡杆的抗折强度大于或等于200Mp。2.根据权利要求1所述的载具，其特征在于，所述第一挡杆为碳化硅挡杆或钨挡杆。3.根据权利要求2所述的载具，其特征在于，所述待沉积件为硅沉积件：所述第一挡杆为碳化硅挡杆。4.根据权利要求1
‑
3中任一所述的载具，其特征在于，每根所述挡杆中位于两个所述底座之间的部分的长度为2
‑
3米。5.根据权利要求1
‑
3中任一所述的载具，其特征在于，所述多根挡杆还包括，除了所述第一挡杆之外的第二挡杆；所述第二挡杆可拆卸的固定在所述底座之间；和/或，所述第二挡杆的第三线膨胀系数与所述待沉积件上...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱广东，郭梦龙，李华，靳玉鹏，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：