一种低噪声放大电路及超声接收系统技术方案

本申请涉及一种低噪声放大电路及超声接收系统，该低噪声放大电路包括：场效应管、三极管、第一电容、第二电容、第三电容和电压调节接口；场效应管的源极与电路的输入端连接，场效应管的漏极通过第一电容与三极管的集电极连接，场效应管的栅极与电压调节接口的一端连接；电压调节接口的另一端与电压调节电路连接，电压调节电路用于控制场效应管的栅极的电压；三极管的基极通过第二电容与电路的输入端连接，三极管的发射极接地，在三极管的基极施加第一偏置电压，在三极管的集电极施加第二偏置电压；三极管的集电极通过第三电容与电路的输出端连接。本申请解决了现有技术中的低噪声放大器电路接入不同的设备时，导致系统噪声系数恶化的问题。数恶化的问题。数恶化的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种低噪声放大电路及超声接收系统


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种低噪声放大电路及超声接收系统。

技术介绍

[0002]低噪声放大器的噪声系数与输入阻抗强相关，当低噪声放大器的输入阻抗偏离最优噪声系数所对应的输入阻抗较远时，低噪声放大器的噪声系数会恶化。
[0003]在超声
，现有技术中采用的低噪声放大器电路的输入阻抗是固定值，即现有技术中的低噪声放大器电路的输入阻抗不是连续可调的。当低噪声放大器电路接入不同的设备时，接入的设备的输入阻抗发生变化，由于现有技术中的低噪声放大器电路的输入阻抗是固定值不是连续可调的，接入的设备不同会导致整个低噪声放大器电路的输入阻抗发生变化，从而导致低噪声放大器的噪声系数恶化。
[0004]针对现有技术中的低噪声放大器电路接入不同的设备时，导致低噪声放大器的噪声系数恶化的问题，目前还没有提出有效的解决方案。

技术实现思路

[0005]在本实施例中提供了一种低噪声放大电路及超声接收系统，以解决相关技术中的低噪声放大器电路接入不同的设备时，导致低噪声放大器的噪本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大电路，其特征在于，所述电路包括：场效应管、三极管、第一电容、第二电容、第三电容和电压调节接口；所述场效应管的源极与所述电路的输入端连接，所述场效应管的漏极通过所述第一电容与所述三极管的集电极连接，所述场效应管的栅极与所述电压调节接口的一端连接；所述电压调节接口的另一端与电压调节电路连接，所述电压调节电路用于控制所述场效应管的栅极的电压；所述三极管的基极通过所述第二电容与所述电路的输入端连接，所述三极管的发射极接地，在所述三极管的基极施加第一偏置电压，在所述三极管的集电极施加第二偏置电压；所述三极管的集电极通过所述第三电容与所述电路的输出端连接。2.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述电路还包括：第一磁珠、第二磁珠和第三磁珠；所述电压调节接口的一端通过所述第一磁珠连接至所述场效应管的栅极；所述第一偏置电压通过所述第二磁珠施加至所述三极管的基极；所述第二偏置电压通过所述第三磁珠施加至所述三极管的集电极。3.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述电路还包括：第四磁珠；所述场效应管的源极通过所述第四磁珠接地。4.根据权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述电路还包括：电阻；所述电阻的一端与所述第三电容的一端连接，所述电阻的另一端接地。5.一种超声接收系统，其特征在于，所述系统包括电压调节电路、噪声计算电路和权...

【专利技术属性】
技术研发人员：余云忠，
申请(专利权)人：武汉中科医疗科技工业技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：