基板处理方法技术

本发明专利技术提供一种基板处理方法。本公开的基板处理方法对湿润的状态下的多个基板统一地进行干燥处理。在第一配置工序中，将多个基板配置于腔室的贮存区域。第一置换工序在第一配置工序之后，对多个基板供给有机溶剂。第二配置工序在第一置换工序之后，将多个基板配置于干燥区域。第二置换工序在第二配置工序之后，从疏水化剂喷嘴对多个基板供给疏水化剂的蒸气。第三配置工序在第二置换工序之后，将多个基板配置于贮存区域。第三置换工序在第三配置工序之后，从第一有机溶剂喷嘴对多个基板供给有机溶剂。腔室清洗工序在第三置换工序之后，在贮存区域贮存有液体，且使多个基板浸渍于液体的状态下，从第二有机溶剂喷嘴向干燥区域供给有机溶剂的蒸气。给有机溶剂的蒸气。给有机溶剂的蒸气。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法


[0001]本公开涉及一种基板处理方法。

技术介绍

[0002]在使半导体晶圆等基板干燥的干燥处理中，形成于基板的表面的电路图案(下面，简称为“图案”)有可能由于液体的表面张力而倒塌。
[0003]因此，已知如下一种技术：在使对有机溶剂等干燥液进行蒸气化而得到的干燥蒸气与液处理后的基板接触来将基板上的处理液置换为干燥液之后，通过挥发等来从基板上去除干燥液，由此抑制图案倒塌并且使基板干燥。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2013
‑
058696号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开提供一种能够抑制伴随微粒向基板上附着而产生的图案倒塌的技术。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本公开的一个方式的基板处理方法是对湿润的状态下的多个基板统一地进行干燥处理的基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理方法包括第一配置工序、第一置换工序、第二配置工序、第二置换工序、第三配置工序、第三置换工序以及腔室清洗工序。在第一配置工序中，在能够收容多个基板且具有包括贮存区域和干燥区域的气密空间的腔室中的贮存区域配置多个基板，该贮存区域用于贮存液体，该干燥区域位于贮存区域的上方。第一置换工序在第一配置工序之后，从第一有机溶剂喷嘴对多个基板供给有机溶剂，来将附着于多个基板的液体置换为有机溶剂。第二配置工序在第一置换工序之后，将多个基板配置于干燥区域。第二置换工序在第二配置工序之后，从疏水化剂喷嘴对多个基板供给疏水化剂的蒸气，来将附着于多个基板的有机溶剂置换为疏水化剂。第三配置工序在第二置换工序之后，将多个基板配置于贮存区域。第三置换工序在第三配置工序之后，从第一有机溶剂喷嘴对多个基板供给有机溶剂，来将附着于多个基板的疏水化剂置换为有机溶剂。腔室清洗工序在第三置换工序之后，在贮存区域贮存有液体，且使多个基板浸渍于液体的状态下，从第二有机溶剂喷嘴向干燥区域供给有机溶剂的蒸气，来清洗腔室。
[0011]专利技术的效果
[0012]根据本公开，能够抑制伴随微粒向基板上附着而产生的图案倒塌。
附图说明
[0013]图1是实施方式所涉及的基板处理装置的示意性的截面图。
[0014]图2是表示实施方式所涉及的疏水化剂喷嘴和第二有机溶剂喷嘴的结构的示意性
的侧视图。
[0015]图3是表示实施方式所涉及的基板处理装置执行的处理的过程的一例的流程图。
[0016]图4是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0017]图5是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0018]图6是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0019]图7是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0020]图8是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0021]图9是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0022]图10是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0023]图11是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0024]图12是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0025]图13是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0026]图14是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0027]图15是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0028]图16是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0029]图17是表示第一变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0030]图18是表示第一变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0031]图19是表示第二变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0032]图20是表示第二变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0033]图21是表示第二变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0034]图22是表示第二变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0035]图23是表示第三变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0036]图24是表示第三变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
[0037]图25是表示第四变形例所涉及的疏水化剂喷嘴和第二有机溶剂喷嘴的结构的示意性的侧视图。
具体实施方式
[0038]下面，参照附图来详细地说明用于实施本公开的基板处理方法的方式(下面，记载为“实施方式”)。此外，并不通过该实施方式来限定本公开。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当地进行组合。另外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，并且省略重复的说明。
[0039]另外，在以下所示的实施方式中，有时使用“固定”、“正交”、“垂直”或者“平行”之类的表达，但这些表达无需严密地为“固定”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即，上述的各表达例如设为容许制造精度、设置精度等的偏差。
[0040]另外，在下面进行参照的各附图中，为了使说明容易理解，规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，有时表示出以Z轴正方向为铅垂向上方向的正交坐标系。
[0041]<基板处理装置的结构>
[0042]首先，参照图1对实施方式所涉及的基板处理装置的结构进行说明。图1是实施方式所涉及的基板处理装置的示意性的截面图。
[0043]图1所示的实施方式所涉及的基板处理装置100对液处理后的湿润的状态下的多个半导体基板(下面，记载为基板W)统一地进行干燥处理。关于液处理没有特别限定，例如为蚀刻处理、清洗处理等。
[0044]在各基板W的表面形成有图案，并且在单纯地进行基板W的干燥的情况下，有可能由于进入图案间的液体的表面张力而使得图案倒塌。因此，基板处理装置100在使有机溶剂的蒸气与液处理后的基板接触来将基板上的处理液置换为干燥液后，通过挥发等从基板上去除有机溶剂。由此，基板处理装置100能够抑制图案倒塌并且使基板干燥。
[0045]在此，本申请专利技术人经过深入研究，发现在基板上的微粒与图案倒塌之间存在相关性。具体地说，本申请专利技术人对基板设置沿着基板的径向的微粒量的梯度，并沿着基板的径向(即沿着微粒量的梯度)测量了图案的倒塌个数。其结果，本申请专利技术人发现：随着微粒量增加，图案的倒塌个数增加。像这样，本申请专利技术人发现：基板上的微粒是引起图案倒塌的主要原因之一。
[0046]关于微粒向基板上附着，例如是由于附着于用于进行基板的干燥处理的腔室的内部的微粒转印到基板上而产生的。因此，在实施方式所涉及的基板处理装置100中，设为了通过设置用于清洗腔室的内部的机构，来抑制腔室内的微粒污染，由此，实现进一步抑制基板上的图案倒塌。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，对湿润的状态下的多个基板统一地进行干燥处理，所述基板处理方法包括：第一配置工序，在能够收容所述多个基板且具有包括贮存区域和干燥区域的气密空间的腔室中的所述贮存区域配置所述多个基板，所述贮存区域用于贮存液体，所述干燥区域位于所述贮存区域的上方；第一置换工序，在所述第一配置工序之后，从第一有机溶剂喷嘴对所述多个基板供给有机溶剂，来将附着于所述多个基板的液体置换为有机溶剂；第二配置工序，在所述第一置换工序之后，将所述多个基板配置于所述干燥区域；第二置换工序，在所述第二配置工序之后，从疏水化剂喷嘴对所述多个基板供给疏水化剂的蒸气，来将附着于所述多个基板的有机溶剂置换为疏水化剂；第三配置工序，在所述第二置换工序之后，将所述多个基板配置于所述贮存区域；第三置换工序，在所述第三配置工序之后，从所述第一有机溶剂喷嘴对所述多个基板供给有机溶剂，来将附着于所述多个基板的疏水化剂置换为有机溶剂；以及腔室清洗工序，在所述第三置换工序之后，在所述贮存区域贮存有液体且使所述多个基板浸渍于液体的状态下，从第二有机溶剂喷嘴向所述干燥区域供给有机溶剂的蒸气，来清洗所述腔室。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第一配置工序中，使所述多个基板配置于贮存有液体的所述贮存区域，来使所述多个基板浸渍于液体，所述基板处理方法还包括调湿工序，该调湿工序至少在所述第一配置工序之后且所述第二置换工序之前的期间，对所述干燥区域供给干燥气体。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第一置换工序中，一边使所述多个基板从所述贮存区域向所述干燥区域移动，一边从所述第一有机溶剂喷嘴对所述多个基板供给有机溶剂。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第一置换工序中，一边使所述多个基板在所述贮存区域与所述干燥区域之间至少往复一次，一边从所述第一有机溶剂喷嘴对所述多个基板供给有机溶剂。5.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第一置换工序中，使所述多个基板以1mm/sec以上且300mm/sec...

【专利技术属性】
技术研发人员：滨岛悠太，野中纯，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：