有机电致发光化合物以及包含其的有机电致发光装置制造方法及图纸

本公开涉及一种由式1表示的有机电致发光化合物以及一种包含其的有机电致发光装置。通过包含根据本公开的化合物，可以提供一种具有改善的发光效率和/或寿命特性的有机电致发光装置。装置。

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光化合物以及包含其的有机电致发光装置


[0001]本公开涉及一种有机电致发光化合物以及一种包含其的有机电致发光装置。

技术介绍

[0002]电致发光装置(EL装置)是自发光显示装置，其具有的优点在于它提供更宽的视角、更大的对比率和更快的响应时间。有机EL装置首先是由伊士曼柯达公司(Eastman Kodak)于1987年通过使用小的芳香族二胺分子和铝络合物作为用于形成发光层的材料而开发的[Appl.Phys.Lett.[应用物理学快报]51,913,1987]。
[0003]有机电致发光装置(OLED)由多层结构组成以便提高其效率和稳定性，该多层结构包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层等。在这种情况下，选择包含在空穴传输层等中的化合物被认为是用于改善装置特性如向发光层的空穴传输效率、发光效率和寿命的手段之一。
[0004]就这一点而言，将酞菁铜(CuPc)、4,4
’‑
双[N
‑
(1
‑
萘基)
‑
N
‑
苯基氨基]联苯(NPB)、N,N
’‑
二苯基
‑
N,N
’‑
双(3
‑
甲基苯基)
‑
(1,1
’‑
联苯基)
‑
4,4
’‑
二胺(TPD)、4,4
’
,4
”‑
三(3
‑
甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)等用作OLED中的空穴注入和传输材料。然而，使用这些材料制备的OLED具有量子效率和寿命降低的问题。这是由于当在高电流下驱动OLED时，在阳极与空穴注入层之间出现热应力，从而这种热应力显著降低装置的寿命。此外，由于在空穴注入层中使用的有机材料具有非常高的空穴迁移率，所以存在空穴
‑
电子电荷平衡被破坏和量子效率(cd/A)降低的问题。
[0005]因此，仍然需要开发用于改善OLED性能的空穴传输材料。
[0006]韩国专利申请公开号10
‑
2016
‑
0078526公开了包含二苯并硒吩、苯并[b]硒吩、或苯并[c]硒吩的有机硒化合物，但是其中没有将此类化合物用于空穴传输区的实例。

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]本公开的目的是，首先，提供一种有效生产具有改善的发光效率和/或寿命特性的有机电致发光装置的有机电致发光化合物，并且其次，提供一种包含该有机电致发光化合物的有机电致发光装置。
[0009]问题的解决方案
[0010]作为解决以上技术问题的深入研究的结果，本专利技术诸位专利技术人发现前述目的可以通过由下式1表示的有机电致发光化合物来实现，使得完成了本公开。
[0011][0012]在式1中，
[0013]R1至R4各自独立地表示氢或氘；
[0014]R5至R8各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基、取代或未取代的(C6
‑
C30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(C3
‑
C30)环烷基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷氧基、取代或未取代的三(C1
‑
C30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(C1
‑
C30)烷基(C6
‑
C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基二(C6
‑
C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(C6
‑
C30)芳基甲硅烷基、或
[0015][0016]前提是R5至R8中的至少一个表示
[0017]L1和L2各自独立地表示单键、取代或未取代的(C1
‑
C30)亚烷基、取代或未取代的(C6
‑
C30)亚芳基、取代或未取代的(3元至30元)亚杂芳基、或取代或未取代的(C3
‑
C30)亚环烷基；
[0018]Ar1和Ar2各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基、未取代的或被一个或多个(C1
‑
C30)烷基取代的(C6
‑
C30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(C3
‑
C30)环烷基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(C1
‑
C30)烷基氨基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(C2
‑
C30)烯基氨基、被一个或多个(C1
‑
C30)烷基取代的单
‑
或二
‑
(C6
‑
C30)芳基氨基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(3元至30元)杂芳基氨基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基(C2
‑
C30)烯基氨基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基(C6
‑
C30)芳基氨基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基(3元至30元)杂芳基氨基、取代或未取代的(C2
‑
C30)烯基(C6
‑
C30)芳基氨基、取代或未取代的(C2
‑
C30)烯基(3元至30元)杂芳基氨基、或取代或未取代的(C6
‑
C30)芳基(3元至30元)杂芳基氨基；前提是Ar1和Ar2不包括二苯并硒吩；并且
[0019]*表示键合位置；
[0020]前提是不包括以下结构。
[0021][0022]本专利技术的有益效果
[0023]通过使用根据本公开的有机电致发光化合物，可以提供一种具有改善的发光效率和/或寿命特性的有机电致发光装置。
具体实施方式
[0024]在下文中，将详细描述本公开。然而，以下描述旨在解释本公开，并不意味着以任何方式限制本公开的范围。
[0025]本公开中的术语“有机电致发光化合物”意指可以用于有机电致发光装置中、并且如有需要可以包含在构成有机电致发光装置的任何层中的化合物。
[0026]本公开中的术语“有机电致发光材料”意指可以用于有机电致发光装置中、并且可以包含至少一种化合物的材料。如有需要，有机电致发光材料可以包含在构成有机电致发光装置的任何层中。例如，有机电致发光材料可以是空穴注入材料、空穴传输材料、空穴辅助材料、发光辅助材料、电子阻挡材料、发光材料(包括主体材料和掺杂剂材料)、电子缓冲材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、或电子注入材料等。空穴传输区材料可以是选自由以下组成的组的至少一种：空穴传输材料、空穴注入材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光化合物，其由下式1表示：在式1中，R1至R4各自独立地表示氢或氘；R5至R8各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基、取代或未取代的(C6
‑
C30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(C3
‑
C30)环烷基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷氧基、取代或未取代的三(C1
‑
C30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(C1
‑
C30)烷基(C6
‑
C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基二(C6
‑
C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(C6
‑
C30)芳基甲硅烷基、或前提是R5至R8中的至少一个表示L1和L2各自独立地表示单键、取代或未取代的(C1
‑
C30)亚烷基、取代或未取代的(C6
‑
C30)亚芳基、取代或未取代的(3元至30元)亚杂芳基、或取代或未取代的(C3
‑
C30)亚环烷基；Ar1和Ar2各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基、未取代的或被一个或多个(C1
‑
C30)烷基取代的(C6
‑
C30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(C3
‑
C30)环烷基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(C1
‑
C30)烷基氨基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(C2
‑
C30)烯基氨基、被一个或多个(C1
‑
C30)烷基取代的单
‑
或二
‑
(C6
‑
C30)芳基氨基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(3元至30元)杂芳基氨基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基(C2
‑
C30)烯基氨基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基(C6
‑
C30)芳基氨基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基(3元至30元)杂芳基氨基、取代或未取代的(C2
‑
C30)烯基(C6
‑
C30)芳基氨基、取代或未取代的(C2
‑
C30)烯基(3元至30元)杂芳基氨基、或取代或未取代的(C6
‑
C30)芳基(3元至30元)杂芳基氨基；前提是Ar1和Ar2不包括二苯并硒吩；并且*表示键合位置；前提是不包括以下结构。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光化合物，其中，式1由下式1
‑
1至1
‑
4中的任一个表示：表示：在式1
‑
1至1
‑
4中，R5至R8各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基、取代或未取代的(C6
‑
C30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(C3
‑
C30)环烷基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷氧基、取代或未取代的三(C1
‑
C30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(C1
‑
C30)烷基(C6
‑
C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基二(C6
‑
C30)芳基甲硅烷基、或取代或未取代的三(C6
‑
C30)芳基甲硅烷基；并且R1至R4、L1、L2、Ar1和Ar2是如权利要求1中所定义的。3.根据权利要求1所述的有机电致发光化合物，其中，Ar1或Ar2由下式1
‑
5至1
‑
8中的任一个表示：
在式1
‑
5至1
‑
8中，X各自独立地表示
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、或CR'R"；R'和R"各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基、取代或未取代的(C6
‑
C30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(C3
‑
C30)环烷基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷氧基、取代或未取代的三(C1
‑
C30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(C1
‑
C30)烷基(C6
‑
C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基二(C6
‑
C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(C6
‑
C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(C1
‑
C30)烷基氨基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(C2
‑
C30)烯基氨基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(C6
‑
C30)芳基氨基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(3元至30元)杂芳基氨基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基(C2
‑
C30)烯基氨基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基(C6
‑
C30)芳基氨基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基(3元至30元)杂芳基氨基、取代或未取代的(C2
‑
C30)烯基(C6
‑
C30)芳基氨基、取代或未取代的(C2
‑
C30)烯基(3元至30元)杂芳基氨基、或取代或未取代的(C6
‑
C30)芳基(3元至30元)杂芳基氨基；或者可以与一个或多个相邻取代基连接以形成一个或多个环；
X1和Y1各自独立地表示
‑
N＝、
‑
NR
15
‑
、
‑
O
‑
或
‑
S
‑
，前提是X1和Y1中的任一个表示
‑
N＝，并且X1和Y1中的另一个表示
‑
NR
15
‑
、
‑
O
‑
或
‑
S
‑
；R
11
表示取代或未取代的(C6
‑
C30)芳基、或取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、或与L1或L2的键合位置；R9、R
10
以及R
12
至R
15
各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基、取代或未取代的(C6
‑
C30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(C3
‑
C30)环烷基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷氧基、取代或未取代的三(C1
‑
C30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(C1
‑
C30)烷基(C6
‑
C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(C1
‑
C30)烷基二(C6
‑
C30)...

【专利技术属性】
技术研发人员：全志松，吴洪世，金荣光，朴笑美，李东炯，韩泰俊，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料韩国有限公司，
类型：发明
国别省市：