基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提出了一种基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法。该二极管的结构包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、JBS结构和阳极，JBS结构包括N

【技术实现步骤摘要】
基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及超宽禁带半导体功率器件领域，具体涉及一种新型的基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]以金刚石、Ga2O3、AlN等材料为代表的超宽禁带半导体表现出远大于传统宽禁带半导体(GaN、SiC等)的禁带宽度，在功率器件、射频器件等领域有着广阔的应用前景。Ga2O3作为一种超宽禁带半导体，有着较大的禁带宽度(4.5
‑
4.9eV)及高击穿场强(8MV/cm)；Baliga优值高于3000，是GaN与SiC的5到10倍左右；并且易于在10
16
cm
‑3至10
19
cm
‑3的浓度范围进行n型可控掺杂。Ga2O3有α、β、γ、ε、κ五个相，其中β
‑
Ga2O3有着最好的热稳定性，并且通过熔融生长法易于制备高质量单晶。因此目前大部分Ga2O3功率器件相关研究都是基于β
‑
Ga2O3的。
[0003]然而，Ga2O3在研究中仍面临诸多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管，包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、JBS结构和阳极，其特征在于，所述JBS结构包括N
‑
漂移层、PN异质结和Ni纳米岛，其中，N
‑
漂移层上设有沟槽结构，位于沟槽内侧面和底部的P型金属氧化物与所述N
‑
漂移层构成PN异质结；Ni纳米岛位于沟槽的顶部，与N
‑
漂移层形成肖特基接触；所述PN异质结与肖特基接触相并联。2.根据权利要求1所述的基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管，其特征在于，所述N+衬底和N
‑
漂移层均采用β
‑
Ga2O3晶体。3.根据权利要求1所述的基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管，其特征在于，所述Ni纳米岛直径为100
‑
500nm，其间距在百纳米级。4.根据权利要求1所述的基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管，其特征在于，所述P型金属氧化物的厚度为100
‑
300nm，N
‑
漂移层上的沟槽结构的深度为100
‑
300nm。5.如权利要求1所述基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管的制备方法，其特征在于，该方法的步骤为：在衬底表面蒸镀一层Ni薄膜，再进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶建东，胡天澄，巩贺贺，郁鑫鑫，徐阳，张贻俊，任芳芳，顾书林，张荣，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：