一种直流电源的双过流双过压保护模块电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种直流电源的双过流双过压保护模块电路，包括电源输入端、过压保护模块A、过压保护模块B、过流保护模块A和过流保护模块B。本实用新型专利技术通过过压保护模块A、过压保护模块B、过流保护模块A和过流保护模块B的配合，能够对电路中的保护参数进行调整和移植，进而能够对双过流双过压保护模块电路中的保护电压和保护电流进行修改，提高使用灵活性和保护效果。和保护效果。和保护效果。

【技术实现步骤摘要】
一种直流电源的双过流双过压保护模块电路


[0001]本技术涉及直流电源
，尤其涉及一种直流电源的双过流双过压保护模块电路。

技术介绍

[0002]电源是一个系统中最基础的部分，而电源通常是比较危险的，一旦电源发生故障将会烧毁整个系统，如果系统发生短路将会引起电源的烧毁甚至爆炸等危险，所以通常每种电源都会有自己的保护电路设计，但是这种保护电路保护参数不可调整且无法移植，在某些对输入电源要求很高的场景中这种集成在电源内部的保护参数就无法达到要求，针对上述电源的保护电路，我们提出了一种直流电源的双过流双过压保护模块电路。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种直流电源的双过流双过压保护模块电路。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0005]一种直流电源的双过流双过压保护模块电路，包括电源输入端、过压保护模块A、过压保护模块B、过流保护模块A和过流保护模块B；
[0006]所述过压保护模块A包括电阻R31、电容C1、电容CH6、基准电压芯片U1、电容CH1、电容CH2、电阻RH1、电阻RH7、电阻RH2、运算放大器U4
‑
B和二极管DH7；
[0007]所述过压保护模块B包括电阻RH3、基准电压芯片U2、电容CH4、电容CH5、电阻RH5、电阻RH6、电阻RH8、运算放大器U3
‑
B和二极管DH1；
[0008]所述过流保护模块A包括电阻RH35、电位器W4、电阻RH36、电阻RH37、电阻RH38、运算放大器U4
‑
A和二极管DH8；
[0009]所述过流保护模块B包括电阻RH27、电位器W3、电阻RH28、电阻RH29、电阻RH30、运算放大器U3
‑
A和二极管DH6；
[0010]所述电源输入端的引脚1电性连接有电阻R7的一端、电阻R8的一端和MOS管M1的漏极，电源输入端的引脚1还与电阻RH31的一端、电阻RH3的一端、电阻RH7的一端、电阻RH6的一端、电容CH6的一端、电容C1的一端、运算放大器U4
‑
B的引脚8以及运算放大器U3
‑
B的引脚8电性连接，MOS管M1的源极电性连接有MOS管M2的漏极，MOS管M2的源极与电阻R7的另一端、电阻R8的另一端、电阻RH29的一端以及电阻RH37的一端电性连接，MOS管M2的源极还电性连接有电阻R5的一端和电阻R6的一端，电阻R5另一端和电阻R6的另一端电性连接有同一个电源输出端的引脚1，电阻R5的一端还与电阻RH27的一端和电阻RH35的一端电性连接。
[0011]优选的，所述过压保护模块A与过压保护模块B相同，基准电压芯片U1的负极与基准电压芯片U1的控制端、电阻RH31的另一端、电容CH1的一端、电容CH2的一端以及电阻RH1的一端电性连接，基准电压芯片U1的正极、电容CH1的另一端、电容CH2的另一端均接地，运算放大器U4
‑
B的引脚6与电阻RH1的另一端电性连接，运算放大器U4
‑
B的引脚5与电阻RH7的
另一端和电阻RH2的一端电性连接，运算放大器U4
‑
B的引脚7与二极管DH7的正极电性连接，二极管DH7的负极电性连接有电阻RH34一端，电阻RH34另一端电性连接有MOS管M1的栅极、电阻RH39的一端、电阻RH11的一端；
[0012]基准电压芯片U2的负极与基准电压芯片U2的控制端、电阻RH3的另一端、电容CH4的一端、电容CH5的一端以及电阻RH5的一端电性连接，基准电压芯片U2的正极、电容CH4的另一端、电容CH5的另一端均与接地，运算放大器U3
‑
B的引脚6与电阻RH5的另一端电性连接，运算放大器U3
‑
B的引脚5与电阻RH6的另一端和电阻RH8的一端电性连接，运算放大器U3
‑
B的引脚7与二极管DH1的正极电性连接，二极管DH1的负极电性连接有电阻RH4的一端，电阻RH4另一端电性连接有MOS管M2的栅极、电阻RH9的一端、电阻RH10的一端。
[0013]优选的，所述过流保护模块A与过流保护模块B相同，运算放大器U4
‑
A的引脚2与电阻RH35的另一端和电位器W4的一端、活动端电性连接，运算放大器U4
‑
A的引脚3与电阻RH37的另一端和RH38的一端电性连接，运算放大器U4
‑
A的引脚1与二极管DH8的正极电性连接，二极管DH8的负极与电阻RH39的另一端电性连接；
[0014]运算放大器U3
‑
A的引脚2与电阻RH27的另一端和电位器W3的一端、活动端电性连接，运算放大器U3
‑
A的引脚3与电阻RH29的另一端和RH30的一端电性连接，运算放大器U3
‑
A的引脚1与二极管DH6的正极电性连接，二极管DH6的负极与电阻RH9的另一端电性连接。
[0015]优选的，所述电源输入端的电压正常为12V。
[0016]优选的，所述电位器W4的另一端与电阻RH36的一端电性连接，电阻RH36的另一端接地，电位器W3的另一端与电阻RH28的一端电性连接，电阻RH28的另一端接地。
[0017]与现有的技术相比，本技术的有益效果是：
[0018]本技术通过过压保护模块A、过压保护模块B、过流保护模块A和过流保护模块B的配合，能够对电路中的保护参数进行调整和移植，进而能够对双过流双过压保护模块电路中的保护电压和保护电流进行修改，提高使用灵活性和保护效果。
附图说明
[0019]图1为本技术提出的一种直流电源的双过流双过压保护模块电路的电路图。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0021]参照图1，一种直流电源的双过流双过压保护模块电路，包括电源输入端、过压保护模块A、过压保护模块B、过流保护模块A和过流保护模块B，所述电源输入端的电压正常为12V；
[0022]所述过压保护模块A包括电阻R31、电容C1、电容CH6、基准电压芯片U1、电容CH1、电容CH2、电阻RH1、电阻RH7、电阻RH2、运算放大器U4
‑
B和二极管DH7；
[0023]所述过压保护模块B包括电阻RH3、基准电压芯片U2、电容CH4、电容CH5、电阻RH5、电阻RH6、电阻RH8、运算放大器U3
‑
B和二极管DH1；
[0024]所述过流保护模块A包括电阻RH35、电位器W4、电阻RH36、电阻RH37、电阻RH38、运
算放大器U4
‑
A和二极管DH8；
[0025]所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直流电源的双过流双过压保护模块电路，其特征在于，包括电源输入端、过压保护模块A、过压保护模块B、过流保护模块A和过流保护模块B；所述过压保护模块A包括电阻R31、电容C1、电容CH6、基准电压芯片U1、电容CH1、电容CH2、电阻RH1、电阻RH7、电阻RH2、运算放大器U4
‑
B和二极管DH7；所述过压保护模块B包括电阻RH3、基准电压芯片U2、电容CH4、电容CH5、电阻RH5、电阻RH6、电阻RH8、运算放大器U3
‑
B和二极管DH1；所述过流保护模块A包括电阻RH35、电位器W4、电阻RH36、电阻RH37、电阻RH38、运算放大器U4
‑
A和二极管DH8；所述过流保护模块B包括电阻RH27、电位器W3、电阻RH28、电阻RH29、电阻RH30、运算放大器U3
‑
A和二极管DH6；所述电源输入端的引脚1电性连接有电阻R7的一端、电阻R8的一端和MOS管M1的漏极，电源输入端的引脚1还与电阻RH31的一端、电阻RH3的一端、电阻RH7的一端、电阻RH6的一端、电容CH6的一端、电容C1的一端、运算放大器U4
‑
B的引脚8以及运算放大器U3
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B的引脚8电性连接，MOS管M1的源极电性连接有MOS管M2的漏极，MOS管M2的源极与电阻R7的另一端、电阻R8的另一端、电阻RH29的一端以及电阻RH37的一端电性连接，MOS管M2的源极还电性连接有电阻R5的一端和电阻R6的一端，电阻R5另一端和电阻R6的另一端电性连接有同一个电源输出端的引脚1，电阻R5的一端还与电阻RH27的一端和电阻RH35的一端电性连接。2.根据权利要求1所述的一种直流电源的双过流双过压保护模块电路，其特征在于，所述过压保护模块A与过压保护模块B相同，基准电压芯片U1的负极与基准电压芯片U1的控制端、电阻RH31的另一端、电容CH1的一端、电容CH2的一端以及电阻RH1的一端电性连接，基准电压芯片U1的正极、电容CH1的另一端、电容CH2的另一端均接地，运算放大器U4
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B的引脚6与电阻RH1的另一端电性连接，运算放大器U4
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B的引脚5与电阻RH7的另一端和电阻RH2的一端电性连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙立才，谭汐瑞，
申请(专利权)人：深圳市安贝尔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：