成像镜头与电子装置制造方法及图纸

一种成像镜头与电子装置，成像镜头包含一成像透镜组，且一光轴通过成像镜头。成像透镜组包含多个透镜，其中透镜包含一第一透镜与一第二透镜，且分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。纳米结构层呈不规则状排列，纳米结构层包含一氧化铝结晶。结构连接层设置于第一透镜的表面与纳米结构层之间及第二透镜的表面与纳米结构层之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，二氧化硅膜层与纳米结构层的底部实体接触。当成像镜头满足特定条件时，可维持成像品质。维持成像品质。维持成像品质。

【技术实现步骤摘要】
成像镜头与电子装置


[0001]本揭示内容是关于一种成像镜头，且特别是一种应用在可携式电子装置上的成像镜头。

技术介绍

[0002]近年来，可携式电子装置发展快速，例如智能电子装置、平板计算机等，已充斥在现代人的生活中，而装载在可携式电子装置上的成像镜头也随之蓬勃发展。随着技术进步，成像镜头逐渐增加透镜数量以追求更佳的成像品质，但增加透镜数量容易衍生诸多问题，如穿透率下降及杂散光反射等问题。因此，发展一种可维持成像品质、减少研发成本浪费及缩短研发时程的成像镜头遂成为产业上重要且急欲解决的问题。

技术实现思路

[0003]本揭示内容提供一种成像镜头与电子装置，通过透过透镜设置纳米结构层与结构连接层，使成像镜头在增加透镜数量后仍可维持成像品质，同时通过穿透率衰减指标辅助模拟成像镜头的穿透率，借以减少研发成本浪费及缩短研发时程。
[0004]依据本揭示内容一实施方式提供一种成像镜头，包含一成像透镜组，且一光轴通过成像镜头。成像透镜组包含多个透镜，其中透镜包含一第一透镜与一第二透镜，且第一透镜的折射率与第二透镜的折射率不同。第一透镜与第二透镜分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。纳米结构层呈不规则状排列，纳米结构层包含一氧化铝结晶，纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm。结构连接层设置于第一透镜的表面与纳米结构层之间及第二透镜的表面与纳米结构层之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，二氧化硅膜层与纳米结构层的底部实体接触，且二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm。成像镜头具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关。穿透率衰减指标为Tdi，成像透镜组的透镜的数量为E，穿透率衰减模拟常数为c，成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T
5459
，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率的一差值为Δn，其满足下列条件：Tdi＝[(π+c)2/10]2E
，c＝0.008；0.85≤Tdi≤0.9；90％≤T
5459
；以及0.065≤Δn≤0.82。
[0005]依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T
5254
，其可满足下列条件：90％≤T
5254
。
[0006]依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T
5354
，其可满足下列条件：90％≤T
5354
。
[0007]依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像透镜组的透镜的数量为E，透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N
CS
，其可满足下列条件：0.8≤N
CS
/2E≤1。
[0008]依据本揭示内容一实施方式提供一种电子装置，包含如前述实施方式的成像镜头。
[0009]依据本揭示内容一实施方式提供一种成像镜头，包含一成像透镜组，且一光轴通过成像镜头。成像透镜组包含多个透镜，其中透镜包含一第一透镜与一第二透镜，且第一透镜的折射率与第二透镜的折射率不同。第一透镜与第二透镜分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。纳米结构层呈不规则状排列，纳米结构层包含一氧化铝结晶，纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm。结构连接层设置于第一透镜的表面与纳米结构层之间及第二透镜的表面与纳米结构层之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，二氧化硅膜层与纳米结构层的底部实体接触，且二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm。成像镜头具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关。穿透率衰减指标为Tdi，成像透镜组的透镜的数量为E，穿透率衰减模拟常数为c，成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T
5459
，第一透镜的折射率为n1，第二透镜的折射率为n2，其满足下列条件：Tdi＝[(π+c)2/10]2E
,c＝0.008；0.85≤Tdi≤0.9；90％≤T
5459
；n1>1.6；以及n2<1.6。
[0010]依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T
5254
，其可满足下列条件：90％≤T
5254
。
[0011]依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T
5354
，其可满足下列条件：90％≤T
5354
。
[0012]依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像透镜组的透镜的数量为E，透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N
CS
，其可满足下列条件：0.8≤N
CS
/2E≤1。
[0013]依据本揭示内容一实施方式提供一种电子装置，包含如前述实施方式的成像镜头。
[0014]依据本揭示内容一实施方式提供一种成像镜头，包含一成像透镜组，且一光轴通过成像镜头。成像透镜组包含多个透镜，其中透镜中至少三透镜分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。纳米结构层呈不规则状排列，纳米结构层包含一氧化铝结晶，纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm。结构连接层设置于各透镜的表面与纳米结构层之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，二氧化硅膜层与纳米结构层的底部实体接触，且二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm。成像透镜组中透镜分为一第一镜群与一第二镜群，第一镜群较第二镜群靠近物侧，且第一镜群的透镜数量少于第二镜群的透镜数量。第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜，高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜。第二镜群包含第一镜群的一像侧端的其余透镜，且第二镜群包含至少一高折射率透镜。成像镜头具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关。穿透率衰减指标为Tdi，成像透镜组的透镜的数量为E，穿透率衰减模拟常数为c，成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T
5459
，透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N
CS
，其满足下列条件：Tdi＝[(π+c)2/10]2E
，c＝0.008；0.85≤Tdi≤0.88；90％≤T
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；以及0.5≤N
CS
/2E≤1。
[0015]依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T
5254
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种成像镜头，其特征在于，一光轴通过该成像镜头，且包含：一成像透镜组，包含多个透镜，所述多个透镜包含：一第一透镜与一第二透镜，其中该第一透镜的折射率与该第二透镜的折射率不同，且分别包含：至少一纳米结构层，该至少一纳米结构层呈不规则状排列，该至少一纳米结构层包含一氧化铝结晶，该至少一纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm；以及至少一结构连接层，该至少一结构连接层设置于该第一透镜的表面与该至少一纳米结构层之间及该第二透镜的表面与该至少一纳米结构层之间，该至少一结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，该至少一二氧化硅膜层与该至少一纳米结构层的底部实体接触，且该至少一二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm；其中，该成像镜头具有一穿透率衰减指标，该穿透率衰减指标与该成像透镜组的所述多个透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关；其中，该穿透率衰减指标为Tdi，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，该穿透率衰减模拟常数为c，该成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T
5459
，该第一透镜的折射率与该第二透镜的折射率的一差值为Δn，其满足下列条件：Tdi＝[(π+c)2/10]
2E
，c＝0.008；0.85≤Tdi≤0.9；90％≤T
5459
；以及0.065≤Δn≤0.82。2.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T
5254
，其满足下列条件：90％≤T
5254
。3.如权利要求2所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T
5354
，其满足下列条件：90％≤T
5354
。4.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，所述多个透镜中设置有该至少一纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N
CS
，其满足下列条件：0.8≤N
CS
/2E≤1。5.一种电子装置，其特征在于，包含：如权利要求1所述的成像镜头。6.一种成像镜头，其特征在于，一光轴通过该成像镜头，且包含：一成像透镜组，包含多个透镜，所述多个透镜包含：一第一透镜与一第二透镜，其中该第一透镜的折射率与该第二透镜的折射率不同，且分别包含：至少一纳米结构层，该至少一纳米结构层呈不规则状排列，该至少一纳米结构层包含一氧化铝结晶，该至少一纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm；以及至少一结构连接层，该至少一结构连接层设置于该第一透镜的表面与该至少一纳米结
构层之间及该第二透镜的表面与该至少一纳米结构层之间，该至少一结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，该至少一二氧化硅膜层与该至少一纳米结构层的底部实体接触，且该至少一二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm；其中，该成像镜头具有一穿透率衰减指标，该穿透率衰减指标与该成像透镜组的所述多个透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关；其中，该穿透率衰减指标为Tdi，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，该穿透率衰减模拟常数为c，该成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T
5459
，该第一透镜的折射率为n1，该第二透镜的折射率为n2，其满足下列条件：Tdi＝[(π+c)2/10]
2E
，c＝0.008；0.85≤Tdi≤0.9；90％≤T
5459
；n1>1.6；以及n2<1.6。7.如权利要求6所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T
5254
，其满足下列条件：90％≤T
5254
。8.如权利要求7所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T
5354
，其满足下列条件：90％≤T
5354
。9.如权利要求6所述的成像镜头，其特征在于，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，所述多个透镜中设置有该至少一纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N
CS
，其满足下列条件：0.8≤N
CS
/2E≤1。10.一种电子装置，其特征在于，包含：如权利要求6所述的成像镜头。11.一种成像镜头，其特征在于，一光轴通过该成像镜头，且包含：一成像透镜组，包含多个透镜，所述多个透镜中至少三透镜分别包含：至少一纳米结构层，该至少一纳米结构层呈不规则状排列，该至少一纳米结构层包含一氧化铝结晶，该至少一纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm；以及至少一结构连接层，该至少一结构连接层设置于各该透镜的表面与该至少一纳米结构层之间，该至少一结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，该至少一二氧化硅膜层与该至少一纳米结构层的底部实体接触，且该至少一二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm；其中，该成像透镜组中所述多个透镜分为一第一镜群与一第二镜群，该第一镜群较该第二镜群靠近物侧，且该第一镜群的透镜数量少于该第二镜群的透镜数量；其中，该第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜，该高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜；其中，该第二镜群包含该第一镜群的一像侧端的其余透镜，且该第二镜群包含至少一高折射率透镜；其中，该成像镜头具有一穿透率衰减指标，该穿透率衰减指标与该成像透镜组的所述
多个透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关；其中，该穿透率衰减指标为Tdi，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，该穿透率衰减模拟常数为c，该成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T
5459
，所述多个透镜中设置有所述多个纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N
CS
，其满足下列条件：Tdi＝[(π+c)2/10]
2E
，c＝0.008；0.85≤Tdi≤0.88；90％≤T
5459
；以及0.5≤N
...

【专利技术属性】
技术研发人员：范丞纬，周明达，张建邦，林正峰，朱国强，
申请(专利权)人：大立光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：