物镜和扫描电镜制造技术

本申请公开了一种物镜和扫描电镜。物镜包括透镜以及磁偏转器模组，透镜内设容置腔；磁偏转器模组位于容置腔与预设高度范围的交集中靠近透镜的主平面的一端，其中，在磁偏转器模组位于预设高度范围内时，磁偏转器模组的等效不动点位于透镜的主平面。本申请实施方式的物镜能够使得成像质量不变的情况下，扩大可用视场的范围，此外，在可用视场的范围不变的情况下，使得通过物镜的电子束的偏转轨迹更贴近中心轴线，由于中心轴线的近场均匀性优于远场，可以减轻偏转解聚效应，降低偏转像差，提高成像质量。成像质量。成像质量。

【技术实现步骤摘要】
物镜和扫描电镜


[0001]本申请涉及扫描电镜
，尤其涉及一种物镜和扫描电镜。

技术介绍

[0002]扫描电镜的主要功能是观察样品表面微观形貌和分析样品元素或结构，而如何保障一定成像质量的情况下扩大可用视场的范围，或在可用视场的范围不变的情况下，成像质量亟待提升。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种物镜和扫描电镜。
[0004]本申请实施方式的用于扫描电镜的物镜包括透镜以及磁偏转器模组，所述透镜内设容置腔；所述磁偏转器模组位于所述容置腔与预设高度范围的交集中靠近所述透镜的主平面的一端，其中，在所述磁偏转器模组位于所述预设高度范围内时，所述磁偏转器模组的等效不动点位于所述透镜的主平面。
[0005]本申请实施方式的物镜，在保证等效不动点位于透镜的主平面的情况下，将磁偏转器模组设置于靠近透镜的一端，使得成像质量不变的情况下，扩大可用视场的范围，此外，在可用视场的范围不变的情况下，使得通过物镜的电子束的偏转轨迹更贴近中心轴线，由于中心轴线的近场均匀性优于远场，可以减轻偏转解聚效应，降低偏转像差，提高成像质量。
[0006]在某些实施方式中，所述物镜包括铁氧体套筒，所述铁氧体套筒套位于所述容置腔内并套设于所述磁偏转器模组外。
[0007]在某些实施方式中，所述物镜还包括散热套筒，所述散热套筒套位于所述容置腔内并套设于所述铁氧体套筒外。
[0008]在某些实施方式中，所述散热套筒的材料为铝。
[0009]在某些实施方式中，所述散热套筒与所述容置腔的腔壁贴合设置。
[0010]在某些实施方式中，所述磁偏转器模组包括偏转线圈组，所述偏转线圈组包括第一方向偏转线圈对和第二方向偏转线圈对，所述第二方向偏转线圈对套设于所述第一方向偏转线圈对外。
[0011]在某些实施方式中，所述磁偏转器模组包括两个所述偏转线圈组，两个所述偏转线圈组沿所述物镜的光轴依次排布。
[0012]在某些实施方式中，所述第一方向偏转线圈对包括沿第一方向相对设置的两个第一方向线圈，两个所述第一方向线圈皆呈圆弧状且弧度为120
°
。
[0013]在某些实施方式中，所述第二方向偏转线圈对包括沿第二方向相对设置的两个第二方向线圈，两所述第二方向线圈皆呈圆弧状且弧度为120
°
。
[0014]本申请实施方式的扫描电镜包括电子发射源和上述任一项实施方式所述的物镜。
[0015]本申请实施方式的扫描电镜，在保证等效不动点位于透镜的主平面的情况下，将
磁偏转器模组设置于靠近透镜的主平面的一端，使得成像质量不变的情况下，扩大可用视场的范围，此外，在可用视场的范围不变的情况下，使得通过物镜的电子束的偏转轨迹更贴近中心轴线，由于中心轴线的近场均匀性优于远场，可以减轻偏转解聚效应，降低偏转像差，提高成像质量。
[0016]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0017]本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0018]图1是本申请实施方式的扫描电镜的结构示意图；
[0019]图2是相关技术的扫描电镜的结构示意图；
[0020]图3是本申请实施方式的偏转线圈组的结构示意图。
[0021]主要元件符号说明：
[0022]扫描电镜1000；
[0023]物镜100、透镜20、容置腔21、主平面22、磁偏转器模组30、偏转线圈组31、第一方向偏转线圈对311、第一方向线圈3111、第二方向偏转线圈对312、第二方向线圈3121、铁氧体套筒40、散热套筒50；
[0024]电子发射源200。
具体实施方式
[0025]下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
[0026]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0027]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0028]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它
们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0029]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0030]请参阅图1，本申请实施方式的用于扫描电镜1000的物镜100包括透镜20以及磁偏转器模组30。透镜20内设容置腔；磁偏转器模组30位于容置腔21与预设高度范围的交集中靠近透镜20的主平面22的一端，其中，在磁偏转器模组30位于预设高度范围内时，磁偏转器模组30的等效不动点位于透镜20的主平面22。
[0031]本申请实施方式的物镜100，在保证等效不动点位于透镜20的主平面22的情况下，使得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种物镜，用于扫描电镜，其特征在于，所述物镜包括透镜以及磁偏转器模组，所述透镜内设容置腔；所述磁偏转器模组位于所述容置腔与预设高度范围的交集中靠近所述透镜的主平面的一端，其中，在所述磁偏转器模组位于所述预设高度范围内时，所述磁偏转器模组的等效不动点位于所述透镜的主平面。2.根据权利要求1所述的物镜，其特征在于，所述物镜包括铁氧体套筒，所述铁氧体套筒套位于所述容置腔内并套设于所述磁偏转器模组外。3.根据权利要求2所述的物镜，其特征在于，所述物镜还包括散热套筒，所述散热套筒套位于所述容置腔内并套设于所述铁氧体套筒外。4.根据权利要求3所述的物镜，其特征在于，所述散热套筒的材料为铝。5.根据权利要求3所述的物镜，其特征在于，所述散热套筒与所述容置腔的腔壁贴合设置。6.根据权利要求1所述的物镜，其特征在于，所述磁偏转器模组包括偏转...

【专利技术属性】
技术研发人员：阴达，孙斌，张伟，
申请(专利权)人：国仪量子合肥技术有限公司，
类型：发明
国别省市：