一种超高频局部放电传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了传感器技术领域内的一种超高频局部放电传感器，仅包括：外壳，外壳内设置有凹槽；磁铁，磁铁设置于凹槽内；PCB天线，PCB天线设置于外壳内且固接于外壳，磁铁位于PCB天线与外壳内壁之间，PCB天线包括介质板、两个辐射单元和馈电巴伦，两个辐射单元分别设置于介质板正面和背面，馈电巴伦连接于介质板且分别与两个辐射单元的一端连接；接头，接头连接于外壳并与馈电巴伦连接。该传感器由外壳、磁铁、PCB天线、SMA接头组成，磁铁通过凹槽及PCB天线限位，整体结构简单，加工方便且成本较低。较低。较低。

【技术实现步骤摘要】
一种超高频局部放电传感器


[0001]本技术涉及传感器
，特别涉及一种超高频局部放电传感器。

技术介绍

[0002]局部放电超高频检测法是一种利用超高频电磁波信号进行局部放电监测的方法。当开关柜/GIS/变压器等高压设备内部发生局部放电时，将会产生陡度在纳秒级的电流脉冲，激发出频带较宽的电磁波信号，因此使用超高频局放传感器的天线来耦合特高频(UHF)信号。
[0003]局部放电超高频检测方法是局部放电检测的一种新型方法，它具有检测信号频率高，受外界干扰信号少等优点，因而检测系统受外界干扰影响小，可以极大地提高电气设备局部放电检测的灵敏度和可靠性。
[0004]目前市场上也存在一些UHF传感器，但结构复杂，成本高昂。

技术实现思路

[0005]本申请通过提供一种超高频局部放电传感器，解决了现有技术中UHF传感器成本高昂，实现了结构简单、成本低的效果。
[0006]本申请实施例提供了一种超高频局部放电传感器，仅包括：
[0007]外壳，所述外壳内设置有凹槽；
[0008]磁铁，所述磁铁设置于所述凹槽内；
[0009]PCB天线，所述PCB天线设置于外壳内且固接于所述外壳，所述磁铁位于所述PCB天线与所述外壳内壁之间，所述PCB天线包括介质板、两个辐射单元和馈电巴伦，两个所述辐射单元分别设置于所述介质板正面和背面，所述馈电巴伦连接于所述介质板且分别与两个所述辐射单元的一端连接；
[0010]接头，所述接头连接于所述外壳并与所述馈电巴伦连接。
[0011]上述实施例的有益效果在于：该传感器由外壳、磁铁、PCB天线、SMA接头组成，磁铁通过凹槽及PCB天线限位，整体结构简单，加工方便且成本较低；该传感器可直接吸附在开关柜、GIS等试品表面，使用方便。
[0012]在上述实施例基础上，本申请可进一步改进，具体如下：
[0013]在本申请其中一个实施例中，两个所述辐射单元镜像对称设置。
[0014]在本申请其中一个实施例中，所述辐射单元远离所述馈电巴伦的一端间隔设置有若干缺口。辐射单元侧边巨齿状设计，大大减小了其幅频特性的震荡，使得传感器有较稳定的接收性能。
[0015]在本申请其中一个实施例中，所述辐射单元朝向远离所述馈电巴伦的方向宽度逐渐减小。两块金属辐射贴片分别置于介质基板的上下两个表面，利用渐变过渡将微带馈线过度到平行双线上，这种过渡结构使得天线具备很宽的带宽。
[0016]在本申请其中一个实施例中，所述馈电巴伦宽度由中间向两侧逐渐减小。馈电巴
伦也采用渐变设计，使其具备更好的带宽适配能力。
[0017]在本申请其中一个实施例中，所述辐射单元和所述馈电巴伦材质为铜。对应介质基板的厚度为1.5mm。
[0018]在本申请其中一个实施例中，所述接头为SMA接头。
[0019]本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0020]1.该传感器由外壳、磁铁、PCB天线、SMA接头组成，磁铁通过凹槽及PCB天线限位，整体结构简单，加工方便且成本较低；
[0021]2.该传感器可直接吸附在开关柜、GIS等试品表面，使用方便。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
[0023]图1为实施例中一种超高频局部放电传感器的爆炸结构示意图一；
[0024]图2为实施例中一种超高频局部放电传感器的爆炸结构示意图二；
[0025]图3为实施例中PCB天线结构示意图。
[0026]其中，1.外壳、11.底座、12.上盖、13.凹槽、2.磁铁、3.PCB天线、31.介质板、32.辐射单元、33.馈电巴伦、4.SMA接头。
具体实施方式
[0027]下面结合具体实施方式，进一步阐明本技术，应理解这些实施方式仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围，在阅读了本技术之后，本领域技术人员对本技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0028]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0029]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“竖直”、“外周面”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0030]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0031]在本技术的描述中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本技术描
述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0032]本申请实施例通过提供一种超高频局部放电传感器，解决了现有技术中UHF传感器成本高昂，实现了结构简单、成本低的效果。
[0033]本申请实施例中的技术方案为解决上述问题，总体思路如下：
[0034]实施例：
[0035]如图1
‑
3所示，一种超高频局部放电传感器，由外壳1、磁铁2、PCB天线3、SMA接头4组成。
[0036]外壳1包括底座11和上盖12，底座11内设置有四个凹槽13；磁铁2设置有四个且分别位于凹槽13内，磁铁2位于PCB天线3与底座11内壁之间；PCB天线3设置于外壳1内且通过螺钉固接于底座11，PCB天线3包括介质板31、两个辐射单元32和馈电巴伦33，两个辐射单元32分别设置于介质板31正面和背面且呈镜像对称设置，辐射单元32朝向远离馈电巴伦33的方向宽度逐渐减小，辐射单元32远离馈电巴伦33的一端间隔设置有多个缺口，馈电巴伦33连接于介质板31且分别与两个辐射单元32的一端连接，馈电巴伦33宽度由中间向两侧逐渐减小；SMA接头4连接于底座11侧壁并与馈电巴伦33连接。
[0037]进一步的，辐射单元和馈电巴伦材质为铜。
[0038]上述本申请实施例中的技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超高频局部放电传感器，其特征在于，仅包括：外壳，所述外壳内设置有凹槽；磁铁，所述磁铁设置于所述凹槽内；PCB天线，所述PCB天线设置于外壳内且固接于所述外壳，所述磁铁位于所述PCB天线与所述外壳内壁之间，所述PCB天线包括介质板、两个辐射单元和馈电巴伦，两个所述辐射单元分别设置于所述介质板正面和背面，所述馈电巴伦连接于所述介质板且分别与两个所述辐射单元的一端连接；接头，所述接头连接于所述外壳并与所述馈电巴伦连接。2.根据权利要求1所述的超高频局部放电传感器，其特征在于：两个所述辐射单元镜像对称设...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈忠伟，胡苏，
申请(专利权)人：扬州极比特智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：