【技术实现步骤摘要】
面向多层磁介质电容原料的切割定位方法和装置
[0001]本专利技术涉及切割定位的
,尤其是指一种面向多层磁介质电容原料的切割定位方法、装置、存储介质及计算设备。
技术介绍
[0002]众所周知作为三大被动电子元件之一的电容器主要分为单层陶瓷电容器 (Single
‑
Layer Microchip Capacitors,SLCC)和多层瓷介质电容器(Multi
‑
layerCeramic Capacitors,MLCC)这两种类型。其中作为振荡电路、谐振回路、耦合电路、滤波电路、旁路电路的主要零件的MLCC具有体积小、电容量范围宽、等效电阻低、高频使用时损失率低、耐高压/高温、寿命长、体积小的特点,满足对产品尺寸的轻、薄、短、小的需求,从而在以智能手机为代表的消费类电子产品之中被大量使用。近年伴随着5G通信设备的推广普及,其每部5G通信设备所使用的MLCC数量相对4G通信设备提升至少40%。积极鼓励附带ADAS功能的新能源汽车的研发,因此带动了汽车电子产业对MLCC的需求量呈现每年两位数持续增长。在可预期的十年之内为了满足市场需求,MLCC供应商将会持续投资在新产品规划与产能的扩增。由于MLCC的生产工艺复杂,对生产设备的技术参数及其可靠性要求苛刻。特别是随着MLCC产品尺寸的不断缩小,在其生产流程之中的将整片的原料按照工艺的要求进行切割的这一道工艺流程的精度的要求也越来越严苛。由于执行切割工艺流程的切割机的运动机构存在固有的运动误差,以及由温度,震动等环境因素的影响所产生的随 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将获取的对应多层磁介质电容原料侧边图像进行图像垂直方向积分;2)基于步骤1)的图像垂直方向积分进行带状区域获取;3)基于步骤2)获取的带状区域进行带状区域水平方向积分;4)基于步骤3)的带状区域水平方向积分进行偏差值计算,从而实现对多层磁介质电容原料切割的精准定位。2.如权利要求1所述的面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,在步骤1)中,将摄像头获取的对应多层磁介质电容原料侧边图像转换成二维数组IMG
BS
,所述IMG
BS
的维度为[1:W,1:H],所述W为所述IMG
BS
的总列数,所述H为所述IMG
BS
的总行数,使用边缘检测算子从所述IMG
BS
提取对应所述IMG
BS
的轮廓图像的二维数组EDG
BS
,所述EDG
BS
的维度为[1:W,1:H],使用公式HIS
EDG
[i]=∑
j=1
→
H
(EDG
BS
[i,j])计算所述EDG
BS
的i列全部元素值的和HIS
EDG
[i],所述HIS
EDG
是长度为W的一维数组,所述i为所述EDG
BS
的列号,所述i∈[1,W],所述j为所述EDG
BS
的行号,所述j∈[1,H]。3.如权利要求2所述的面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,所述边缘检测算子为3*3的矩阵SOBEL_X=[
‑
1 0 1,
‑
2 0 2,
‑
1 0 1]。4.如权利要求1所述的面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,在步骤2)中,使用公式HIS
IMG
[i]=∑
j=1
→
H
(IMG
BS
[i,j])计算所述IMG
BS
的i列全部元素值的和HIS
IMG
[i],所述HIS
IMG
是长度为W的一维数组,使用公式HIS
IEG
[i]=HIS
IMG
[i]*HIS
EDG
[i]获得所述HIS
IMG
与所述HIS
EDG
各自在第i位置的对应元素值的乘积HIS
IEG
[i],所述HIS
IEG
是长度为W的一维数组,从所述HIS
IEG
的起始位置向后搜索第一个大于预设阈值TH
IEG
的左端极值点,从而获得对应所述左端极值点在所述HIS
IEG
的序号IDX
BL
,从所述HIS
IEG
的末尾位置向前搜索第一个大于所述TH
IEG
的右端端极值点,从而获得对应所述右端极值点在所述HIS
IEG
的序号IDX
BR
,从所述IMG
BS
截取维度范围为[IDX
BL
:IDX
BR
,1:H]的区域为二维数组IMG
BND
,所述IMG
BND
的维度为[1:WB,1:H],所述总列数WB=IDX
BR
‑
IDX
BL
+1。5.如权利要求1所述的面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,在步骤3)中,使用边缘检测算子从所述IMG
BND
提取对应所述IMG
BND
的轮廓图像的二维数组EDG
BND
,所述EDG
BND
的维度为[1:WB,1:H],使用公式HIS
EBND
[m]=∑
n=1
→
WB
(EDG
BND
[n,m])计算所述EDG
BND
的m行全部元素值的和HIS
EBND
[m],所述HIS
EBND
是长度为H的一维数组,所述m为所述EDG
BND
的行号,所述m∈[1,H],所述n为所述EDG
BND
的列号,所述n∈[1,WB]。6.如权利要求5所述的面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,所述边缘检测算子为3*3的矩阵SOBEL_Y=[
‑1‑2‑
1,0 0 0,1 2 1]。7.如权利要求1所述的面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,在步骤4)中,使用公式HIS
IBND
[m]=∑
n=1
→
WB
(IMG
BND
[n,m])计算所述IMG
BND
的m行全部元素值的和HIS
IBND
[m],所述HIS
IBND
是长度为H的一维数组,通过公式HIS
BND
[m]=HIS
IBND
[m]*HIS
EBND
[m]获得所述HIS
IBND
与所述HIS
EBND
各自在第m位的对应元素值的乘积HIS
BND
[m],所述HIS
BND
是长度为H的一维数组,从所述HIS
BND
的起始位置向后搜索第一个大于预设阈值TH
BND
的顶部极值点,从而获得对应所述顶部极值点在所述HIS
BND
的序号IDY
BT
,从所述HIS
BND
的末尾位置向前搜索第一个大于所述TH
BND
的底部极值点,从而获得对应所述底部极值点在所述HIS
BND
的序号IDY
BB
,计算所述IDY
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