面向多层磁介质电容原料的切割定位方法和装置制造方法及图纸

技术编号:36262306 阅读:24 留言:0更新日期:2023-01-07 10:00
本发明专利技术公开了一种面向多层磁介质电容原料的切割定位方法和装置,通过图像垂直方向积分、带状区域获取、带状区域水平方向积分以及偏差值计算,从而实现对多层磁介质电容原料切割的精准定位并计算矫正量,该方法和装置降低了降低计算的复杂度,减少了计算量,加快了处理速度,减少了计算时间,并且降低了对软硬件的性能的要求,降低了开发的难度,符合对高速化大规模数据处理模式的要求。化大规模数据处理模式的要求。化大规模数据处理模式的要求。

【技术实现步骤摘要】
面向多层磁介质电容原料的切割定位方法和装置


[0001]本专利技术涉及切割定位的
,尤其是指一种面向多层磁介质电容原料的切割定位方法、装置、存储介质及计算设备。

技术介绍

[0002]众所周知作为三大被动电子元件之一的电容器主要分为单层陶瓷电容器 (Single

Layer Microchip Capacitors,SLCC)和多层瓷介质电容器(Multi

layerCeramic Capacitors,MLCC)这两种类型。其中作为振荡电路、谐振回路、耦合电路、滤波电路、旁路电路的主要零件的MLCC具有体积小、电容量范围宽、等效电阻低、高频使用时损失率低、耐高压/高温、寿命长、体积小的特点,满足对产品尺寸的轻、薄、短、小的需求,从而在以智能手机为代表的消费类电子产品之中被大量使用。近年伴随着5G通信设备的推广普及,其每部5G通信设备所使用的MLCC数量相对4G通信设备提升至少40%。积极鼓励附带ADAS功能的新能源汽车的研发,因此带动了汽车电子产业对MLCC的需求量呈现每年两位数持续增长。在可预期的十年之内为了满足市场需求,MLCC供应商将会持续投资在新产品规划与产能的扩增。由于MLCC的生产工艺复杂,对生产设备的技术参数及其可靠性要求苛刻。特别是随着MLCC产品尺寸的不断缩小,在其生产流程之中的将整片的原料按照工艺的要求进行切割的这一道工艺流程的精度的要求也越来越严苛。由于执行切割工艺流程的切割机的运动机构存在固有的运动误差,以及由温度,震动等环境因素的影响所产生的随机位移误差,因此切割机在进行连续切割作业过程之中运动机构所累积的切刀对应物料切割位置误差累计超出工艺精度要求,从而由于切割错误造成废品。为避免累计误差,因此需要采用视觉检测的方法来对物料切割位置进行定位从而计算出校正量。但由于不同物料的尺寸和属性不同,因此在每一次更换物料类别时,需要重新设定和调试相关的算法参数,因此不能满足多品种,小批量的柔性生产需求。此外,由于生产工艺的制约,在生产过程之中不可避免的会产生如物料的尺寸误差,形变,色差等各种各样的偏差,以及物料表面可能产生的各种各样的瑕疵或污渍,因此现有的方法很难通过调整参数来提升系统的可靠性和鲁棒性。并且由于现有的方法是基于像素的传统图像来进行处理的,因此存在计算复杂度高和计算量大的问题,严重拖累切割机的整体运行效率,而为了缩减所需要的计算时间,需要处理性能更强的硬件设备,从而提高了设备的成本造价。

技术实现思路

[0003]本专利技术的第一目的在于克服现有技术的缺点与不足,提供一种面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,旨在解决现有的基于像素的传统图像处理算法来进行处理的系统很难通过调整参数来提升系统的可靠性和鲁棒性,并且存在计算复杂度高和计算量大所造成的拖累切割机的整体运行效率,而为了尽量缩减所需要的计算时间,需要处理性能更强的硬件设备而提高了设备的成本造价的这些技术问题。
[0004]本专利技术的第二目的在于提供一种面向多层磁介质电容原料的切割定位装置。
[0005]本专利技术的第三目的在于提供一种存储介质。
[0006]本专利技术的第四目的在于提供一种计算设备。
[0007]本专利技术的第一目的通过下述技术方案实现:面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,包括以下步骤:
[0008]1)将获取的对应多层磁介质电容原料侧边图像进行图像垂直方向积分;
[0009]2)基于步骤1)的图像垂直方向积分进行带状区域获取;
[0010]3)基于步骤2)获取的带状区域进行带状区域水平方向积分;
[0011]4)基于步骤3)的带状区域水平方向积分进行偏差值计算,从而实现对多层磁介质电容原料切割的精准定位。
[0012]优选的,在步骤1)中,将摄像头获取的对应多层磁介质电容原料侧边图像转换成二维数组IMG
BS
,所述IMG
BS
的维度为[1:W,1:H],所述W为所述IMG
BS
的总列数,所述H为所述IMG
BS
的总行数,使用边缘检测算子从所述IMG
BS
提取对应所述IMG
BS
的轮廓图像的二维数组EDG
BS
,所述EDG
BS
的维度为[1:W, 1:H],使用公式HIS
EDG
[i]=∑
j=1

H
(EDG
BS
[i,j])计算所述EDG
BS
的i列全部元素值的和HIS
EDG
[i],所述HIS
EDG
是长度为W的一维数组,所述i为所述EDG
BS
的列号,所述i∈[1,W],所述j为所述EDG
BS
的行号,所述j∈[1,H]。
[0013]优选的,在步骤1)中,所述边缘检测算子为3*3的矩阵SOBEL_X=[

1 0 1,
ꢀ‑
2 0 2,

1 0 1]。
[0014]优选的,在步骤2)中,使用公式HIS
IMG
[i]=∑
j=1

H
(IMG
BS
[i,j])计算所述 IMG
BS
的i列全部元素值的和HIS
IMG
[i],所述HIS
IMG
是长度为W的一维数组,使用公式HIS
IEG
[i]=HIS
IMG
[i]*HIS
EDG
[i]获得所述HIS
IMG
与所述HIS
EDG
各自在第 i位置的对应元素值的乘积HIS
IEG
[i],所述HIS
IEG
是长度为W的一维数组,从所述HIS
IEG
的起始位置向后搜索第一个大于预设阈值TH
IEG
的左端极值点,从而获得对应所述左端极值点在所述HIS
IEG
的序号IDX
BL
,从所述HIS
IEG
的末尾位置向前搜索第一个大于所述TH
IEG
的右端端极值点,从而获得对应所述右端极值点在所述HIS
IEG
的序号IDX
BR
,从所述IMG
BS
截取维度范围为[IDX
BL
:IDX
BR
,1:H] 的区域为二维数组IMG
BND
,所述IMG
BND
的维度为[1:WB,1:H],所述总列数 WB=IDX
BR

IDX
BL
+1。
[0015]优选的,在步骤3)中,使用边缘检测算子从所述IMG
BND
提取对应所述IMG
BND
的轮廓图像的二维数组EDG
BND本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将获取的对应多层磁介质电容原料侧边图像进行图像垂直方向积分;2)基于步骤1)的图像垂直方向积分进行带状区域获取;3)基于步骤2)获取的带状区域进行带状区域水平方向积分;4)基于步骤3)的带状区域水平方向积分进行偏差值计算,从而实现对多层磁介质电容原料切割的精准定位。2.如权利要求1所述的面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,在步骤1)中,将摄像头获取的对应多层磁介质电容原料侧边图像转换成二维数组IMG
BS
,所述IMG
BS
的维度为[1:W,1:H],所述W为所述IMG
BS
的总列数,所述H为所述IMG
BS
的总行数,使用边缘检测算子从所述IMG
BS
提取对应所述IMG
BS
的轮廓图像的二维数组EDG
BS
,所述EDG
BS
的维度为[1:W,1:H],使用公式HIS
EDG
[i]=∑
j=1

H
(EDG
BS
[i,j])计算所述EDG
BS
的i列全部元素值的和HIS
EDG
[i],所述HIS
EDG
是长度为W的一维数组,所述i为所述EDG
BS
的列号,所述i∈[1,W],所述j为所述EDG
BS
的行号,所述j∈[1,H]。3.如权利要求2所述的面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,所述边缘检测算子为3*3的矩阵SOBEL_X=[

1 0 1,

2 0 2,

1 0 1]。4.如权利要求1所述的面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,在步骤2)中,使用公式HIS
IMG
[i]=∑
j=1

H
(IMG
BS
[i,j])计算所述IMG
BS
的i列全部元素值的和HIS
IMG
[i],所述HIS
IMG
是长度为W的一维数组,使用公式HIS
IEG
[i]=HIS
IMG
[i]*HIS
EDG
[i]获得所述HIS
IMG
与所述HIS
EDG
各自在第i位置的对应元素值的乘积HIS
IEG
[i],所述HIS
IEG
是长度为W的一维数组,从所述HIS
IEG
的起始位置向后搜索第一个大于预设阈值TH
IEG
的左端极值点,从而获得对应所述左端极值点在所述HIS
IEG
的序号IDX
BL
,从所述HIS
IEG
的末尾位置向前搜索第一个大于所述TH
IEG
的右端端极值点,从而获得对应所述右端极值点在所述HIS
IEG
的序号IDX
BR
,从所述IMG
BS
截取维度范围为[IDX
BL
:IDX
BR
,1:H]的区域为二维数组IMG
BND
,所述IMG
BND
的维度为[1:WB,1:H],所述总列数WB=IDX
BR

IDX
BL
+1。5.如权利要求1所述的面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,在步骤3)中,使用边缘检测算子从所述IMG
BND
提取对应所述IMG
BND
的轮廓图像的二维数组EDG
BND
,所述EDG
BND
的维度为[1:WB,1:H],使用公式HIS
EBND
[m]=∑
n=1

WB
(EDG
BND
[n,m])计算所述EDG
BND
的m行全部元素值的和HIS
EBND
[m],所述HIS
EBND
是长度为H的一维数组,所述m为所述EDG
BND
的行号,所述m∈[1,H],所述n为所述EDG
BND
的列号,所述n∈[1,WB]。6.如权利要求5所述的面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,所述边缘检测算子为3*3的矩阵SOBEL_Y=[
‑1‑2‑
1,0 0 0,1 2 1]。7.如权利要求1所述的面向多层磁介质电容原料的切割定位方法,其特征在于,在步骤4)中,使用公式HIS
IBND
[m]=∑
n=1

WB
(IMG
BND
[n,m])计算所述IMG
BND
的m行全部元素值的和HIS
IBND
[m],所述HIS
IBND
是长度为H的一维数组,通过公式HIS
BND
[m]=HIS
IBND
[m]*HIS
EBND
[m]获得所述HIS
IBND
与所述HIS
EBND
各自在第m位的对应元素值的乘积HIS
BND
[m],所述HIS
BND
是长度为H的一维数组,从所述HIS
BND
的起始位置向后搜索第一个大于预设阈值TH
BND
的顶部极值点,从而获得对应所述顶部极值点在所述HIS
BND
的序号IDY
BT
,从所述HIS
BND
的末尾位置向前搜索第一个大于所述TH
BND
的底部极值点,从而获得对应所述底部极值点在所述HIS
BND
的序号IDY
BB
,计算所述IDY

【专利技术属性】
技术研发人员:布社辉胡金龙
申请(专利权)人:华南理工大学
类型:发明
国别省市:

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